WMJ9N150D1 WAYON
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 674.21 грн |
| 3+ | 500.19 грн |
| 10+ | 375.15 грн |
| 30+ | 337.23 грн |
| 120+ | 312.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMJ9N150D1 WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ D1, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.5kV, Drain current: 9A, Pulsed drain current: 36A, Power dissipation: 320W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.9Ω, Mounting: THT, Gate charge: 85.2nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WMJ9N150D1 за ціною від 340.78 грн до 809.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMJ9N150D1 | Виробник : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 9A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 320W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.9Ω Mounting: THT Gate charge: 85.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 195 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|