WMK4N65D1B WAYON
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 112W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Gate charge: 14.5nC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 22.27 грн |
| 27+ | 15.38 грн |
| 50+ | 13.56 грн |
| 77+ | 12.41 грн |
| 210+ | 11.74 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
20 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMK4N65D1B WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ D1, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 4A, Power dissipation: 112W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.2Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 16A, Gate charge: 14.5nC.