Продукція > WAYON > WMK4N65D1B
WMK4N65D1B

WMK4N65D1B WAYON

Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 112W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+15.98 грн
36+11.11 грн
50+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMK4N65D1B WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 4A, Pulsed drain current: 16A, Power dissipation: 112W, Case: TO220-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.2Ω, Mounting: THT, Gate charge: 14.5nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Technology: WMOS™ D1, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMK4N65D1B за ціною від 12.38 грн до 19.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMK4N65D1B WMK4N65D1B Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 112W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.18 грн
22+13.85 грн
50+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.