WMM6N90D1 WAYON
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86.2nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 100W
Technology: WMOS™ D1
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 24A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 59.68 грн |
| 9+ | 49.63 грн |
| 25+ | 44.00 грн |
| 100+ | 39.37 грн |
| 250+ | 38.05 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMM6N90D1 WAYON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 100W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 6A, Case: TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.7Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 86.2nC, Kind of channel: enhancement, Power dissipation: 100W, Technology: WMOS™ D1, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 24A.