Продукція > WAYON > WMMB015N08HGS

WMMB015N08HGS WAYON



Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 358A; Idm: 1432A; 347.2W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1432A
Power dissipation: 347.2W
Gate charge: 238nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 358A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 1.5mΩ
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+184.24 грн
5+162.70 грн
25+142.57 грн
100+128.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMMB015N08HGS WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 358A; Idm: 1432A; 347.2W, Case: TO263-7, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 1432A, Power dissipation: 347.2W, Gate charge: 238nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 358A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 80V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 1.5mΩ.