Результат пошуку "wmmb015n08hgs" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMMB015N08HGS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 358A; Idm: 1432A; 347.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 358A Pulsed drain current: 1432A Power dissipation: 347.2W Case: TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 238nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| WMMB015N08HGS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 358A; Idm: 1432A; 347.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 358A
Pulsed drain current: 1432A
Power dissipation: 347.2W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 238nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 358A; Idm: 1432A; 347.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 358A
Pulsed drain current: 1432A
Power dissipation: 347.2W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 238nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 173.53 грн |
| 5+ | 153.28 грн |
| 8+ | 128.91 грн |
| 20+ | 121.84 грн |