Продукція > WAYON > WMO07N80M3
WMO07N80M3

WMO07N80M3 WAYON


WMx07N80M3.pdf Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMO07N80M3 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 55W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ M3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 6.8A, Power dissipation: 55W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.8Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMO07N80M3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WMO07N80M3 WMO07N80M3 Виробник : WAYON WMx07N80M3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній