WMO25N10T1 WAYON
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; Idm: 100A; 53.2W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 44mΩ
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 53.2W
Gate charge: 37.9nC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 36.52 грн |
| 26+ | 15.96 грн |
| 29+ | 14.39 грн |
| 82+ | 11.58 грн |
| 225+ | 10.92 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
13 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMO25N10T1 WAYON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; Idm: 100A; 53.2W; TO252, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Drain current: 25A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: TO252, On-state resistance: 44mΩ, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 53.2W, Gate charge: 37.9nC.