WMO9N50D1B WAYON
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 9A; Idm: 36A; 104W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Gate charge: 72nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ D1
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 0.68Ω
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 21.81 грн |
| 30+ | 14.61 грн |
| 50+ | 12.90 грн |
| 82+ | 11.88 грн |
| 226+ | 11.19 грн |
| 1000+ | 10.77 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
22 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMO9N50D1B WAYON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 9A; Idm: 36A; 104W, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 36A, Power dissipation: 104W, Gate charge: 72nC, Polarisation: unipolar, Technology: WMOS™ D1, Drain current: 9A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 500V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: reel; tape, Case: TO252, On-state resistance: 0.68Ω.