WMO9N50D1B WAYON
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 9A; Idm: 36A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Technology: WMOS™ D1
Kind of package: reel; tape
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 22.71 грн |
| 28+ | 15.22 грн |
| 50+ | 13.48 грн |
| 84+ | 11.33 грн |
| 230+ | 10.67 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
20 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMO9N50D1B WAYON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 9A; Idm: 36A; 104W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 9A, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.68Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 72nC, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 36A, Power dissipation: 104W, Technology: WMOS™ D1, Kind of package: reel; tape.