Результат пошуку "wmp119n10lg2" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMP119N10LG2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 220A; 65.8W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 55A Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 65.8W Case: TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| WMP119N10LG2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 220A; 65.8W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 65.8W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 220A; 65.8W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 65.8W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 49.52 грн |
| 13+ | 31.88 грн |
| 25+ | 30.04 грн |
| 37+ | 24.45 грн |