Результат пошуку "wmq050n04lg2" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMQ050N04LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 36A; Idm: 182A; 33.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 36A Pulsed drain current: 182A Power dissipation: 33.8W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| WMQ050N04LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 36A; Idm: 182A; 33.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 182A
Power dissipation: 33.8W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 36A; Idm: 182A; 33.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 182A
Power dissipation: 33.8W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 46.36 грн |
| 16+ | 25.83 грн |
| 25+ | 23.20 грн |
| 48+ | 19.61 грн |
| 132+ | 18.50 грн |