WMQ080N03LG2 WAYON
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17.7A; Idm: 112A; 21.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 21.5W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 112A
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 42.76 грн |
| 27+ | 15.72 грн |
| 32+ | 13.07 грн |
| 100+ | 12.41 грн |
| 500+ | 10.84 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
11 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMQ080N03LG2 WAYON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17.7A; Idm: 112A; 21.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 17.7A, Power dissipation: 21.5W, Case: PDFN3030-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 12mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 112A, Gate charge: 7nC, Kind of package: reel; tape.