Результат пошуку "wmq12p10ts" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WMQ12P10TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -12A; Idm: -48A; 30W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -12A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 30W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
WMQ12P10TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -12A; Idm: -48A; 30W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -12A; Idm: -48A; 30W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 44.57 грн |
16+ | 24.91 грн |
25+ | 22.38 грн |
50+ | 18.24 грн |
136+ | 17.24 грн |