Результат пошуку "wmq140dnv6lg4" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 14
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WMQ140DNV6LG4 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 30A; Idm: 120A; 23.6W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 23.6W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
WMQ140DNV6LG4 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 30A; Idm: 120A; 23.6W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 23.6W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 30A; Idm: 120A; 23.6W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 23.6W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 31.77 грн |
23+ | 17.94 грн |
25+ | 16.18 грн |
69+ | 13.63 грн |
189+ | 12.91 грн |