Продукція > WAYON > WMR10N03T1
WMR10N03T1

WMR10N03T1 WAYON


Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 40A; 26.6W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 26.6W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.67 грн
32+12.64 грн
38+10.62 грн
100+10.06 грн
500+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMR10N03T1 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 40A; 26.6W; DFN2020-6, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 8A, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 26.6W, Case: DFN2020-6, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 16.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 9.9nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMR10N03T1 за ціною від 9.27 грн до 41.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMR10N03T1 WMR10N03T1 Виробник : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 40A; 26.6W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 26.6W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.60 грн
20+15.75 грн
25+12.75 грн
100+12.07 грн
500+10.53 грн
3000+9.56 грн
6000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.