Результат пошуку "wmr13n03t1" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMR13N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 50A; 2.1W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.5A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 2.1W Case: DFN2020-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| WMR13N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 50A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.1W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 50A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.1W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 38.63 грн |
| 29+ | 14.19 грн |
| 34+ | 11.80 грн |
| 100+ | 9.41 грн |
| 274+ | 8.93 грн |