WMS06N10TS WAYON
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.8A; Idm: 23A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 37.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 3.1W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 35.55 грн |
| 26+ | 16.76 грн |
| 31+ | 13.80 грн |
| 100+ | 12.11 грн |
| 500+ | 11.26 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
13 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMS06N10TS WAYON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.8A; Idm: 23A; 3.1W; SOP8, Mounting: SMD, Gate charge: 37.9nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 5.8A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: SOP8, On-state resistance: 45mΩ, Pulsed drain current: 23A, Power dissipation: 3.1W.