WMS080N10LG2 WAYON
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 260A
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 54.70 грн |
| 13+ | 33.18 грн |
| 25+ | 29.80 грн |
| 100+ | 26.33 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMS080N10LG2 WAYON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 10A, Power dissipation: 3W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 11mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 260A, Gate charge: 15.7nC, Kind of package: reel; tape.