Результат пошуку "wms119n10lg2" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMS119N10LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.5A; Idm: 38A; 3W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11.5A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| WMS119N10LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.5A; Idm: 38A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.5A; Idm: 38A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 60.10 грн |
| 12+ | 33.56 грн |
| 25+ | 30.18 грн |
| 37+ | 25.00 грн |