Результат пошуку "wms140dnv6lg4" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMS140DNV6LG4 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3.1W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| WMS140DNV6LG4 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 32.19 грн |
| 23+ | 17.09 грн |
| 28+ | 14.10 грн |
| 79+ | 11.42 грн |
| 216+ | 10.81 грн |