Продукція > WAYON > WMS175N10HG4
WMS175N10HG4

WMS175N10HG4 WAYON


Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 36A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 18mΩ
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 17nC
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.13 грн
22+19.62 грн
27+16.10 грн
100+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 13 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMS175N10HG4 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 36A; 3.1W; SOP8, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Drain current: 9A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: SOP8, On-state resistance: 18mΩ, Pulsed drain current: 36A, Power dissipation: 3.1W, Gate charge: 17nC.