Продукція > WAYON > WMS175N10LG4
WMS175N10LG4

WMS175N10LG4 WAYON


Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; Idm: 38A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 17.5mΩ
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 22.5nC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.13 грн
22+19.96 грн
25+18.11 грн
100+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 13 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMS175N10LG4 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; Idm: 38A; 3.1W; SOP8, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Drain current: 9.5A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: SOP8, On-state resistance: 17.5mΩ, Pulsed drain current: 38A, Power dissipation: 3.1W, Gate charge: 22.5nC.