Продукція > WAYON > WMS175N10LG4
WMS175N10LG4

WMS175N10LG4 WAYON


Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; Idm: 38A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+35.57 грн
20+19.89 грн
25+17.93 грн
66+14.00 грн
182+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMS175N10LG4 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; Idm: 38A; 3.1W; SOP8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 9.5A, Pulsed drain current: 38A, Power dissipation: 3.1W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 17.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 22.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMS175N10LG4 за ціною від 15.19 грн до 42.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMS175N10LG4 WMS175N10LG4 Виробник : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; Idm: 38A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.68 грн
12+24.79 грн
25+21.51 грн
66+16.80 грн
182+15.85 грн
4000+15.38 грн
8000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.