WMSC008H12B2P6T WEEN SEMICONDUCTORS

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC008H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 157 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, WeEnPACK-B2, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 157A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: 272W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm.