Результат пошуку "wmt05n10t1" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMT05N10T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 4.2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 4.2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 20.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| WMT05N10T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 4.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 4.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 4.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 4.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 41.26 грн |
| 24+ | 16.17 грн |
| 32+ | 12.26 грн |
| 90+ | 10.04 грн |
| 247+ | 9.50 грн |