Результат пошуку "wmt05n12ts" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMT05N12TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 4.6A; Idm: 18.4A; 3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 4.6A Pulsed drain current: 18.4A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| WMT05N12TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 4.6A; Idm: 18.4A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 18.4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 4.6A; Idm: 18.4A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 18.4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 33.84 грн |
| 24+ | 16.55 грн |
| 26+ | 14.87 грн |
| 75+ | 12.11 грн |
| 206+ | 11.42 грн |