WNSC2D101200CW6Q WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 472 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 229.77 грн |
| 10+ | 187.76 грн |
| 100+ | 130.32 грн |
| 480+ | 109.82 грн |
| 1200+ | 92.98 грн |
| 2640+ | 89.32 грн |
| 5040+ | 86.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D101200CW6Q WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції WNSC2D101200CW6Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
WNSC2D101200CW6Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |