Продукція > WEEN > WNSC2M12120R6Q

WNSC2M12120R6Q Ween


wnsc2m12120r_0.pdf Виробник: Ween
WNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WNSC2M12120R6Q Ween

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 152.8A; Idm: 430A; 1071W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 152.8A, Pulsed drain current: 430A, Power dissipation: 1071W, Case: TO247-4, Gate-source voltage: -4...18V, On-state resistance: 19.1mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 321nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal.

Інші пропозиції WNSC2M12120R6Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WNSC2M12120R6Q WNSC2M12120R6Q Виробник : WeEn Semiconductors WNSC2M12120R_0-3435514.pdf SiC MOSFETs WNSC2M12120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M12120R6Q Виробник : WeEn Semiconductors WNSC2M12120R6Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 152.8A; Idm: 430A; 1071W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 152.8A
Pulsed drain current: 430A
Power dissipation: 1071W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 19.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 321nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.