WNSC2M60120R6Q WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn SemiconductorsSiC MOSFETs WNSC2M60120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2M60120R6Q WeEn Semiconductors
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43.2A; Idm: 120A; 417W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 43.2A, Pulsed drain current: 120A, Power dissipation: 417W, Case: TO247-4, Gate-source voltage: -4...18V, On-state resistance: 93mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 83nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal.
Інші пропозиції WNSC2M60120R6Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| WNSC2M60120R6Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43.2A; Idm: 120A; 417W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 43.2A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 417W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 93mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |