WSJM65R099DTLJ

WSJM65R099DTLJ WeEn Semiconductors


WSJM65R099DTL_Product_Rev_01-3436679.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
MOSFETs WSJM65R099DTL/TOLL/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WSJM65R099DTLJ WeEn Semiconductors

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 147W; TOLL; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 16A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 147W, Case: TOLL, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 99mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 57nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.

Інші пропозиції WSJM65R099DTLJ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WSJM65R099DTLJ Виробник : WeEn Semiconductors WSJM65R099DTLJ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 147W; TOLL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 147W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.