YBS3007G RAG Taiwan Semiconductor
на замовлення 6189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.62 грн |
| 10+ | 51.74 грн |
| 100+ | 34.50 грн |
| 500+ | 27.25 грн |
| 1000+ | 21.89 грн |
| 3000+ | 19.17 грн |
| 6000+ | 18.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YBS3007G RAG Taiwan Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS, Case: YBS, Features of semiconductor devices: glass passivated, Type of bridge rectifier: single-phase, Electrical mounting: SMT, Load current: 3A, Max. forward voltage: 1V, Max. off-state voltage: 1kV, Max. forward impulse current: 110A, Kind of package: reel; tape.
Інші пропозиції YBS3007G RAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
YBS3007G RAG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
 Rectifier Bridge Diode Single 1KV 3A 4-Pin Case YBS T/R |
товару немає в наявності |
|
| YBS3007G RAG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS Case: YBS Features of semiconductor devices: glass passivated Type of bridge rectifier: single-phase Electrical mounting: SMT Load current: 3A Max. forward voltage: 1V Max. off-state voltage: 1kV Max. forward impulse current: 110A Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |