Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > YJQ3400A
YJQ3400A

YJQ3400A YANGJIE TECHNOLOGY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC00E5916B858BF&compId=YJQ3400A.pdf?ci_sign=edf90e3781289916461715116e5c208a35597069 Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.34 грн
100+4.37 грн
240+3.78 грн
660+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис YJQ3400A YANGJIE TECHNOLOGY

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: TRENCH POWER LV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 6.2A, Pulsed drain current: 30A, Power dissipation: 2W, Case: DFN2020-6, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 45mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 4.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.