Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > YJQ4666B
YJQ4666B

YJQ4666B YANGJIE TECHNOLOGY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC023D8EF6E78BF&compId=YJQ4666B.pdf?ci_sign=8d540fe7042fad1ee75623e59d7378d0b6796652 Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.70 грн
120+3.36 грн
280+3.34 грн
500+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис YJQ4666B YANGJIE TECHNOLOGY

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TRENCH POWER LV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -16V, Drain current: -5.6A, Pulsed drain current: -28A, Power dissipation: 2.2W, Case: DFN2020-6, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 60mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 7.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.