YJQ4666B YANGJIE TECHNOLOGY
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 90+ | 4.77 грн |
| 120+ | 3.40 грн |
| 500+ | 3.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJQ4666B YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TRENCH POWER LV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -16V, Drain current: -5.6A, Pulsed drain current: -28A, Power dissipation: 2.2W, Case: DFN2020-6, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 60mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 7.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 10 шт.
Інші пропозиції YJQ4666B за ціною від 3.63 грн до 5.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
YJQ4666B | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -16V Drain current: -5.6A Pulsed drain current: -28A Power dissipation: 2.2W Case: DFN2020-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|