Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > YJS2022A
YJS2022A

YJS2022A YANGJIE TECHNOLOGY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8EF39C72E8C800C7&compId=YJS2022A.pdf?ci_sign=9bba0981fe8cb53b2b113b911caf68eb14978f0e Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 20V; -10.4A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: -10.4A
Pulsed drain current: -55A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.86 грн
28+14.31 грн
40+9.83 грн
100+6.68 грн
173+5.35 грн
475+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис YJS2022A YANGJIE TECHNOLOGY

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 20V; -10.4A; 3W, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TRENCH POWER MV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: -10.4A, Pulsed drain current: -55A, Power dissipation: 3W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 26mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 72.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.