Продукція > QORVO > Всі товари виробника QORVO (6432) > Сторінка 107 з 108

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RF Amplifier 2.7-3.5GHz 18W GaN PAE >54% Gain 30.5 Qorvo RF Amplifier 2.7-3.5GHz 18W GaN PAE >54% Gain 30.5 TGA2830-SM Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF Amplifier IC Radar 2.7GHz ~ 3.5GHz 24-QFN (5x5) Qorvo RF Amplifier IC Radar 2.7GHz ~ 3.5GHz 24-QFN (5x5) TGA2830-SMTR7 TGA2830-SMTR7 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGA2963-CP Qorvo RF Amplifier 6-18GHz Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGA2975-SM Qorvo da004433 RF Amplifier IC Radar 2.7GHz ~ 3.5GHz 24-QFN (5x5) Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGA2976-SM Qorvo da004437 RF Amplifier .1-3GHz 10W GaN PAE >48% SSG >20dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGA3042-SM Qorvo da005912 RF Amplifier IC Radar 7GHz ~ 10.5GHz Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGA3042-SMTR7 Qorvo da005912 RF Amplifier IC Radar 7GHz ~ 10.5GHz , X-BAND GAN 5W PSAT P Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGL2208-SM Qorvo da004982 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGL2217-SMTR7 Qorvo da005002 0.1-20GHZ 10W VPIN LIMITER Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGL2616-SM Qorvo Attenuators 10-20GHz 5 Bit LSB .75dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGL2767-SM Qorvo da005032 Attenuators 2-31GHz Attn. 20dB IL <2dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGL2927-SM Qorvo Signal Conditioning 2-4GHz 200W IL <.6dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGM2635-CP Qorvo da005054 РЧ-усилитель 7.9-11GHz 100W Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGP2109-SM Qorvo da005089 Phase Detectors/Shifters 8-12GHz 6 Bit LSB 5.625 Deg. Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGS4304 Qorvo RF Switch ICs 32-40 GHz SPDT VPIN Switch Absorptive Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQL9062 Qorvo da005282 500-6000MHZ HIGH LINNEARITY GAIN Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQL9063 Qorvo da005288 RF Amplifier 1.5-4.0GHz NF .7dB Gain 19dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQL9092 Qorvo da005305 RF Amplifier .6-4.2GHz NF .6dB Flat Gain 2dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP0104 Qorvo RF Amplifier DC-4GHz 30W GaN Drain Eff. 64% Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP369181 Qorvo RF Amplifier DC-6GHz NF 3.6dB Gain 15.3dB 50 Ohm (SGA-4263Z) Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP3M9008 Qorvo da005504 РЧ-усилитель, 05GHz to 4GHz, 35.5dBm OIP3, SOT-89 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP3M9019 Qorvo da005523 RF Amplifier .05-4GHz P1dB= 22dB Gain 26.4dB 5Volts Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP3M9028 Qorvo da005528 RF Amplifier 500-4000MHz NF 1.3dB Gain 14.7dB 5.0Volt Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP3M9036 Qorvo da005543 RF Amplifier 400-2000MHz NF.45dB Gain 19dB @.9GHz LNA, DFN-8 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP3M9037 Qorvo da005549 РЧ-усилитель, 0.7-6.0 ГГц Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP3M9038 Qorvo da005557 RF Amplifier 50-4000MHz NF 2dB Gain 14.7dB 50 ohm Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP7M9101 Qorvo da005640 RF Amplifier 400-4000MHz NF 3.9dB Gain 17.8dB .5W (SXA389BZ) Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP7M9102 Qorvo RF Amplifier 400-4000MHz NF 3.9dB Gain 17.8dB .5W Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP7M9103 Qorvo da005652 RF Amplifier 400-4000MHZ 5VOLT GAIN 16.6DB NF 4.4DB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP7M9105 Qorvo da005665 РЧ-усилитель, 50 MHz to 1.5 GHz, SOT-89-3 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP7M9106 Qorvo da005671 RF Amplifier IC CDMA, LTE, W-CDMA 50MHz ~ 1.5GHz 24-QFN (4x4) Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP9111 Qorvo da005717 RF Amplifier 1.8-2.7GHz Gn 29.8dB P1dB 32.5dBm 2 stage Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP3M9037 QORVO da005549 RF Amplifier; 700MHz~6GHz, Gain 20dB; 3V~5,25V; -40°C ~ 105°C; TQP3M9037 UITQP3m9037
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+123.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S UF3C120400K3S QORVO UF3C120400K3S-D.PDF Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSD UJ3D1210KSD QORVO 3750917.pdf Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KS UJ3D1210KS QORVO 3750916.pdf Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3S UJ3C120150K3S QORVO 3750913.pdf Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TS UJ3D06508TS QORVO 3750923.pdf Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S QORVO UF3SC120040B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TS UJ3D06510TS QORVO 3750924.pdf Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K3S UF4C120070K3S QORVO UF4C120070K3S-D.PDF Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S QORVO 3971384.pdf Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400K3S UF3C170400K3S QORVO UF3C170400K3S-D.PDF Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S UF3C170400B7S QORVO UF3C170400B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7S UF3C120400B7S QORVO UF3C120400B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7S UJ4SC075018B7S QORVO 3971386.pdf Description: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TS UJ3D06506TS QORVO 3750922.pdf Description: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2 UJ3D1210K2 QORVO 3971406.pdf Description: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8S UJ4SC075018L8S QORVO 3971391.pdf Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3S UJ4C075023K3S QORVO UJ4C075023K3S-D.PDF Description: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSD UJ3D1220KSD QORVO 3750919.pdf Description: QORVO - UJ3D1220KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 102 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 102nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2 UJ3D1725K2 QORVO 3971409.pdf Description: QORVO - UJ3D1725K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120065K3S UJ3N120065K3S QORVO 3971404.pdf Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TS UJ3D1205TS QORVO 3750915.pdf Description: QORVO - UJ3D1205TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K3S UF4C120053K3S QORVO UF4C120053K3S-D.PDF Description: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3S UJ4C075044K3S QORVO UJ4C075044K3S-D.PDF Description: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7S UJ4C075023B7S QORVO 3971387.pdf Description: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QM33120WDK1 QM33120WDK1 QORVO 4509032.pdf Description: QORVO - QM33120WDK1 - Development Kit, QM33110QM33120nRF52840, UWB-Transceiver, Tochterplatinen, Antennen, USB-Kabel
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
IC-Funktion: Multiprotocol System-on-Chip, RF Transceiver
euEccn: NLR
rohsCompliant: TBA
Lieferumfang des Kits: Tochterplatinen QM33110W/QM33120W, Entwicklungsboard nRF52840, Antennen, Micro-USB-Kabel, Halter und Abstandhalter
Prozessorhersteller: Nordic Semiconductor, Qorvo
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
Leiterplatte: Development Kit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Prozessorkern: QM33110W, QM33120W, nRF52840
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DWS1000 DWS1000 QORVO dws1000productbriefv10.pdf Description: QORVO - DWS1000 - Arduino-Shield, DW1000, Ultra-Breitband-Transceiver
tariffCode: 85176200
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
IC-Funktion: HF-Transceiver
euEccn: NLR
rohsCompliant: TBA
Lieferumfang des Kits: Arduino-Shield DW1000
Prozessorhersteller: Qorvo
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
Leiterplatte: Arduino-Shield
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Prozessorkern: DW1000
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DWM3001CTR13 DWM3001CTR13 QORVO 4509029.pdf Description: QORVO - DWM3001CTR13 - Transceiver-Modul, GPIO/I2C/SPI/UART/USB, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 45mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
euEccn: NLR
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulschnittstelle: GPIO, I2C, SPI, UART, USB
isCanonical: Y
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
HF-Modulation: -
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Empfindlichkeit (dBm): -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Versorgungsstrom: 45mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF Amplifier 2.7-3.5GHz 18W GaN PAE >54% Gain 30.5
Виробник: Qorvo
RF Amplifier 2.7-3.5GHz 18W GaN PAE >54% Gain 30.5 TGA2830-SM Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF Amplifier IC Radar 2.7GHz ~ 3.5GHz 24-QFN (5x5)
Виробник: Qorvo
RF Amplifier IC Radar 2.7GHz ~ 3.5GHz 24-QFN (5x5) TGA2830-SMTR7 TGA2830-SMTR7 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGA2963-CP
Виробник: Qorvo
RF Amplifier 6-18GHz Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGA2975-SM da004433
Виробник: Qorvo
RF Amplifier IC Radar 2.7GHz ~ 3.5GHz 24-QFN (5x5) Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGA2976-SM da004437
Виробник: Qorvo
RF Amplifier .1-3GHz 10W GaN PAE >48% SSG >20dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGA3042-SM da005912
Виробник: Qorvo
RF Amplifier IC Radar 7GHz ~ 10.5GHz Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGA3042-SMTR7 da005912
Виробник: Qorvo
RF Amplifier IC Radar 7GHz ~ 10.5GHz , X-BAND GAN 5W PSAT P Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGL2208-SM da004982
Виробник: Qorvo
Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGL2217-SMTR7 da005002
Виробник: Qorvo
0.1-20GHZ 10W VPIN LIMITER Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGL2616-SM
Виробник: Qorvo
Attenuators 10-20GHz 5 Bit LSB .75dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGL2767-SM da005032
Виробник: Qorvo
Attenuators 2-31GHz Attn. 20dB IL <2dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGL2927-SM
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning 2-4GHz 200W IL <.6dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGM2635-CP da005054
Виробник: Qorvo
РЧ-усилитель 7.9-11GHz 100W Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGP2109-SM da005089
Виробник: Qorvo
Phase Detectors/Shifters 8-12GHz 6 Bit LSB 5.625 Deg. Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TGS4304
Виробник: Qorvo
RF Switch ICs 32-40 GHz SPDT VPIN Switch Absorptive Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQL9062 da005282
Виробник: Qorvo
500-6000MHZ HIGH LINNEARITY GAIN Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQL9063 da005288
Виробник: Qorvo
RF Amplifier 1.5-4.0GHz NF .7dB Gain 19dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQL9092 da005305
Виробник: Qorvo
RF Amplifier .6-4.2GHz NF .6dB Flat Gain 2dB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP0104
Виробник: Qorvo
RF Amplifier DC-4GHz 30W GaN Drain Eff. 64% Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP369181
Виробник: Qorvo
RF Amplifier DC-6GHz NF 3.6dB Gain 15.3dB 50 Ohm (SGA-4263Z) Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP3M9008 da005504
Виробник: Qorvo
РЧ-усилитель, 05GHz to 4GHz, 35.5dBm OIP3, SOT-89 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP3M9019 da005523
Виробник: Qorvo
RF Amplifier .05-4GHz P1dB= 22dB Gain 26.4dB 5Volts Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP3M9028 da005528
Виробник: Qorvo
RF Amplifier 500-4000MHz NF 1.3dB Gain 14.7dB 5.0Volt Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP3M9036 da005543
Виробник: Qorvo
RF Amplifier 400-2000MHz NF.45dB Gain 19dB @.9GHz LNA, DFN-8 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP3M9037 da005549
Виробник: Qorvo
РЧ-усилитель, 0.7-6.0 ГГц Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP3M9038 da005557
Виробник: Qorvo
RF Amplifier 50-4000MHz NF 2dB Gain 14.7dB 50 ohm Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP7M9101 da005640
Виробник: Qorvo
RF Amplifier 400-4000MHz NF 3.9dB Gain 17.8dB .5W (SXA389BZ) Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP7M9102
Виробник: Qorvo
RF Amplifier 400-4000MHz NF 3.9dB Gain 17.8dB .5W Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP7M9103 da005652
Виробник: Qorvo
RF Amplifier 400-4000MHZ 5VOLT GAIN 16.6DB NF 4.4DB Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP7M9105 da005665
Виробник: Qorvo
РЧ-усилитель, 50 MHz to 1.5 GHz, SOT-89-3 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP7M9106 da005671
Виробник: Qorvo
RF Amplifier IC CDMA, LTE, W-CDMA 50MHz ~ 1.5GHz 24-QFN (4x4) Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP9111 da005717
Виробник: Qorvo
RF Amplifier 1.8-2.7GHz Gn 29.8dB P1dB 32.5dBm 2 stage Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQP3M9037 da005549
Виробник: QORVO
RF Amplifier; 700MHz~6GHz, Gain 20dB; 3V~5,25V; -40°C ~ 105°C; TQP3M9037 UITQP3m9037
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+123.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S UF3C120400K3S-D.PDF
UF3C120400K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSD 3750917.pdf
UJ3D1210KSD
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KS 3750916.pdf
UJ3D1210KS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3S 3750913.pdf
UJ3C120150K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TS 3750923.pdf
UJ3D06508TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S-D.PDF
UF3SC120040B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TS 3750924.pdf
UJ3D06510TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K3S UF4C120070K3S-D.PDF
UF4C120070K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7S 3971384.pdf
UJ4SC075009B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400K3S UF3C170400K3S-D.PDF
UF3C170400K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S UF3C170400B7S-D.PDF
UF3C170400B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7S UF3C120400B7S-D.PDF
UF3C120400B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7S 3971386.pdf
UJ4SC075018B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TS 3750922.pdf
UJ3D06506TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2 3971406.pdf
UJ3D1210K2
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8S 3971391.pdf
UJ4SC075018L8S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3S UJ4C075023K3S-D.PDF
UJ4C075023K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSD 3750919.pdf
UJ3D1220KSD
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1220KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 102 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 102nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2 3971409.pdf
UJ3D1725K2
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1725K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120065K3S 3971404.pdf
UJ3N120065K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TS 3750915.pdf
UJ3D1205TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1205TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K3S UF4C120053K3S-D.PDF
UF4C120053K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3S UJ4C075044K3S-D.PDF
UJ4C075044K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7S 3971387.pdf
UJ4C075023B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QM33120WDK1 4509032.pdf
QM33120WDK1
Виробник: QORVO
Description: QORVO - QM33120WDK1 - Development Kit, QM33110QM33120nRF52840, UWB-Transceiver, Tochterplatinen, Antennen, USB-Kabel
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
IC-Funktion: Multiprotocol System-on-Chip, RF Transceiver
euEccn: NLR
rohsCompliant: TBA
Lieferumfang des Kits: Tochterplatinen QM33110W/QM33120W, Entwicklungsboard nRF52840, Antennen, Micro-USB-Kabel, Halter und Abstandhalter
Prozessorhersteller: Nordic Semiconductor, Qorvo
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
Leiterplatte: Development Kit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Prozessorkern: QM33110W, QM33120W, nRF52840
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DWS1000 dws1000productbriefv10.pdf
DWS1000
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWS1000 - Arduino-Shield, DW1000, Ultra-Breitband-Transceiver
tariffCode: 85176200
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
IC-Funktion: HF-Transceiver
euEccn: NLR
rohsCompliant: TBA
Lieferumfang des Kits: Arduino-Shield DW1000
Prozessorhersteller: Qorvo
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
Leiterplatte: Arduino-Shield
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Prozessorkern: DW1000
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DWM3001CTR13 4509029.pdf
DWM3001CTR13
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM3001CTR13 - Transceiver-Modul, GPIO/I2C/SPI/UART/USB, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 45mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
euEccn: NLR
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulschnittstelle: GPIO, I2C, SPI, UART, USB
isCanonical: Y
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
HF-Modulation: -
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Empfindlichkeit (dBm): -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Versorgungsstrom: 45mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.