Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > Всі товари виробника RENESAS ELECTRONICS CORPORATION (27692) > Сторінка 196 з 462
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1S953-T1 | Renesas Electronics Corporation |
Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODEPackaging: Bulk |
на замовлення 30355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
1S953-TB | Renesas Electronics Corporation |
Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODEPackaging: Bulk |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| 2SK2869-91L | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk |
на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
|
2SK3055-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3055(1)-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 100257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3060-Z-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| M37160EFSS | Renesas Electronics Corporation |
Description: MCU, 8-BIT, FLASHPackaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| 2SK2869-92STR | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk |
на замовлення 5834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
|
2SK3109-Z-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 11824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SB772-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 266877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
74LS20FP-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: IC GATE NAND DUAL 4-INPPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 6974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
HZ33BP-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: DIODE ZENERPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 8636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3107-T1-AT | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 16455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
HZ33BPTK-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: DIODE ZENERPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 66074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
1SS82TA-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: DIODE 200V 200MA DO35Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V |
на замовлення 20183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
74LS174FP-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: HEX / QUAD D-TYPE FLIP-FLOPSPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SD1614-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: TRANS NPN 20V 2A SC-62Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-62 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3105-T1B-A | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL FETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
74LS21P-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: IC GATE AND DUAL 4-INPPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
1SS82RE-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: DIODE 200V 200MA DO35Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V |
на замовлення 68230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
1SS82TD-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: DIODE 200V 200MA DO35Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SD1614-T1-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: TRANS NPN 20V 2A SC-62Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-62 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
74LS27P-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: IC GATE NOR TRPL 3-INPPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SD1616A-T-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: NPN TRANSISTORPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 749200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
1SZ50-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: DIODE ZENER 0.25WPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3116B-S19-AY | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| M37705E2ASS | Renesas Electronics Corporation |
Description: MCU6-BIT, UVPROM, MELPS7700 CPUPackaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
2SD1694-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 26690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SD1691-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 8720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3367-Z-E2-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3326(9)AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: DISCRETE / POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SD1695-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPNPackaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| UPA2210T1M-T2-AT | Renesas Electronics Corporation |
Description: P-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
|
2SK3305B-S19-AY | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 3835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3306B-S17-AY | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 15495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
RJK0351DPA-02#J0 | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
HAT2050T-EL-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk |
на замовлення 186103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| BCR12KM-14LA#B00 | Renesas Electronics Corporation |
Description: TRIAC 700V 12APackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
|
UPD48576118FF-E24-DW1-E2 | Renesas Electronics Corporation |
Description: DDR DRAM, 32MX18, 0.2NSPackaging: Bulk |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3367-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| UPD60802AF1-A11-BND-A | Renesas Electronics Corporation |
Description: SOC MEDIA IC Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
|
RJK0394DPA-02#J53 | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER TRANSISTOR, MOSFETPackaging: Bulk |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3322(1)-ZK-E2-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| M37705E4BSP#U0 | Renesas Electronics Corporation |
Description: MCU6-BIT, UVPROM, MELPS7700 CPUPackaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
2SK3348CNTL-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3484-S16-AY | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 3395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
RJK0390DPA-02#J5A | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk |
на замовлення 339000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3457(2)-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3457-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 2189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
UPD48576118FF-E24-DW1 | Renesas Electronics Corporation |
Description: DDR DRAM, 32MX18, 0.2NSPackaging: Bulk |
на замовлення 3758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3510-Z-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SD774-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPNPackaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 95MHz Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 6117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3573-ZK-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SD2337C-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: TRANS NPN 150V 2A TO-220FMPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-220FM Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3635-Z-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3570-ZK-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3668-ZK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 20800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SD882-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 540224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3573-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 5629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
RJP63K2DPK-M2#T0 | Renesas Electronics Corporation |
Description: DISCTRETE / POWER TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 13082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 1S953-T1 |
![]() |
на замовлення 30355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3245+ | 7.38 грн |
| 1S953-TB |
![]() |
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3245+ | 7.38 грн |
| 2SK2869-91L |
![]() |
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 167+ | 132.96 грн |
| 2SK3055-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 131+ | 170.00 грн |
| 2SK3055(1)-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 100257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 131+ | 170.00 грн |
| 2SK3060-Z-E1-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 42+ | 531.35 грн |
| M37160EFSS |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MCU, 8-BIT, FLASH
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: MCU, 8-BIT, FLASH
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 3244.96 грн |
| 2SK2869-92STR |
![]() |
на замовлення 5834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 201+ | 119.21 грн |
| 2SK3109-Z-E1-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 11824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 105+ | 218.17 грн |
| 2SB772-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 266877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 481+ | 45.31 грн |
| 74LS20FP-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC GATE NAND DUAL 4-INP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: IC GATE NAND DUAL 4-INP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 325+ | 69.69 грн |
| HZ33BP-E |
![]() |
на замовлення 8636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1107+ | 20.09 грн |
| 2SK3107-T1-AT |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 16455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 951+ | 25.43 грн |
| HZ33BPTK-E |
![]() |
на замовлення 66074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1107+ | 20.09 грн |
| 1SS82TA-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: DIODE 200V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V
Description: DIODE 200V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V
на замовлення 20183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1901+ | 12.12 грн |
| 74LS174FP-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: HEX / QUAD D-TYPE FLIP-FLOPS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: HEX / QUAD D-TYPE FLIP-FLOPS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 296+ | 84.13 грн |
| 2SD1614-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS NPN 20V 2A SC-62
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-62
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 20V 2A SC-62
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-62
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1100+ | 23.00 грн |
| 2SK3105-T1B-A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 493+ | 48.48 грн |
| 74LS21P-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC GATE AND DUAL 4-INP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: IC GATE AND DUAL 4-INP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1015+ | 24.74 грн |
| 1SS82RE-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: DIODE 200V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V
Description: DIODE 200V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V
на замовлення 68230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1901+ | 12.12 грн |
| 1SS82TD-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: DIODE 200V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V
Description: DIODE 200V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 10.72 грн |
| 2SD1614-T1-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS NPN 20V 2A SC-62
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-62
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 20V 2A SC-62
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-62
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1082+ | 23.00 грн |
| 74LS27P-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC GATE NOR TRPL 3-INP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: IC GATE NOR TRPL 3-INP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 316+ | 69.42 грн |
| 2SD1616A-T-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 749200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 692+ | 32.00 грн |
| 1SZ50-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: DIODE ZENER 0.25W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: DIODE ZENER 0.25W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 119+ | 208.65 грн |
| 2SK3116B-S19-AY |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 111+ | 201.67 грн |
| M37705E2ASS |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MCU6-BIT, UVPROM, MELPS7700 CPU
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: MCU6-BIT, UVPROM, MELPS7700 CPU
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2SD1694-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 26690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 416+ | 53.22 грн |
| 2SD1691-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 8720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 336+ | 66.23 грн |
| 2SK3367-Z-E2-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 217+ | 113.82 грн |
| 2SK3326(9)AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: DISCRETE / POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: DISCRETE / POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 67+ | 332.65 грн |
| 2SD1695-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 1.3 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 111+ | 216.24 грн |
| UPA2210T1M-T2-AT |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 427+ | 57.50 грн |
| 2SK3305B-S19-AY |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 222+ | 100.46 грн |
| 2SK3306B-S17-AY |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 15495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 124+ | 179.35 грн |
| RJK0351DPA-02#J0 |
![]() |
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 325+ | 73.18 грн |
| HAT2050T-EL-E |
![]() |
на замовлення 186103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 325+ | 70.68 грн |
| BCR12KM-14LA#B00 |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRIAC 700V 12A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: TRIAC 700V 12A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 190+ | 116.71 грн |
| UPD48576118FF-E24-DW1-E2 |
![]() |
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6238.97 грн |
| 2SK3367-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 217+ | 113.82 грн |
| UPD60802AF1-A11-BND-A |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SOC MEDIA IC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SOC MEDIA IC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 993.33 грн |
| RJK0394DPA-02#J53 |
![]() |
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 325+ | 74.22 грн |
| 2SK3322(1)-ZK-E2-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 143+ | 156.28 грн |
| M37705E4BSP#U0 |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MCU6-BIT, UVPROM, MELPS7700 CPU
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: MCU6-BIT, UVPROM, MELPS7700 CPU
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2SK3348CNTL-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2029+ | 12.31 грн |
| 2SK3484-S16-AY |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 241+ | 93.02 грн |
| RJK0390DPA-02#J5A |
![]() |
на замовлення 339000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 204+ | 119.40 грн |
| 2SK3457(2)-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 95+ | 234.41 грн |
| 2SK3457-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 95+ | 234.41 грн |
| UPD48576118FF-E24-DW1 |
![]() |
на замовлення 3758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6238.97 грн |
| 2SK3510-Z-E1-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 63+ | 356.46 грн |
| 2SD774-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 95MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 95MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 615+ | 36.47 грн |
| 2SK3573-ZK-E1-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 108+ | 207.63 грн |
| 2SD2337C-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS NPN 150V 2A TO-220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1.5 W
Description: TRANS NPN 150V 2A TO-220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 187+ | 132.26 грн |
| 2SK3635-Z-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 173+ | 127.15 грн |
| 2SK3570-ZK-E1-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 209+ | 107.16 грн |
| 2SK3668-ZK-E1-AY |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 20800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 77+ | 284.98 грн |
| 2SD882-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 540224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 443+ | 49.69 грн |
| 2SK3573-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 108+ | 207.63 грн |
| RJP63K2DPK-M2#T0 |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: DISCTRETE / POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: DISCTRETE / POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 13082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 659.34 грн |














