Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (98822) > Сторінка 315 з 1648

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 164 310 311 312 313 314 315 316 317 318 319 320 328 492 656 820 984 1148 1312 1476 1640 1648  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
QS8J1TR QS8J1TR Rohm Semiconductor QS8J1.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.93 грн
6000+ 29.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RSY160P05TL RSY160P05TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RSY160P05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TCPT3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V
товар відсутній
RT1A050ZPTR RT1A050ZPTR Rohm Semiconductor RT1A050ZP.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5A 8TSST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 6 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.85 грн
6000+ 25.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RZQ045P01TR RZQ045P01TR Rohm Semiconductor RZQ045P01.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 6 V
товар відсутній
TT8J21TR TT8J21TR Rohm Semiconductor tt8j21tr-e.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
US5U35TR US5U35TR Rohm Semiconductor datasheet?p=US5U35&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 700mA, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
товар відсутній
QS5U34TR QS5U34TR Rohm Semiconductor qs5u34.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5
товар відсутній
QS5U36TR QS5U36TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS5U36&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.06 грн
10+ 33.5 грн
100+ 23.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
QS8J1TR QS8J1TR Rohm Semiconductor QS8J1.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.89 грн
10+ 60.82 грн
100+ 47.3 грн
500+ 37.62 грн
1000+ 30.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
RSY160P05TL RSY160P05TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RSY160P05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TCPT3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.53 грн
10+ 81.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
RT1A050ZPTR RT1A050ZPTR Rohm Semiconductor RT1A050ZP.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 6 V
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.19 грн
10+ 53.05 грн
100+ 41.26 грн
500+ 32.82 грн
1000+ 26.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
RZQ045P01TR RZQ045P01TR Rohm Semiconductor RZQ045P01.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 6 V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.27 грн
10+ 41.26 грн
100+ 28.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
TT8J21TR TT8J21TR Rohm Semiconductor tt8j21tr-e.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8
на замовлення 5929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
US5U38TR US5U38TR Rohm Semiconductor US5U29TR_1.jpg Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.83 грн
11+ 26.6 грн
100+ 15.97 грн
500+ 13.88 грн
1000+ 9.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
US5U35TR US5U35TR Rohm Semiconductor datasheet?p=US5U35&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 700mA, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+50.02 грн
10+ 41.98 грн
100+ 29.06 грн
500+ 22.79 грн
1000+ 19.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
US6U37TR US6U37TR Rohm Semiconductor US6U37 Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GDZT2R3.9 GDZT2R3.9 Rohm Semiconductor gdz3.9.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 100MW GMD2
товар відсутній
GDZT2R4.7 GDZT2R4.7 Rohm Semiconductor gdz4.7.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 100MW GMD2
товар відсутній
GDZT2R5.1 GDZT2R5.1 Rohm Semiconductor gdzt2r5.1-e Description: DIODE ZENER 5.1V 100MW GMD2
товар відсутній
GDZT2R5.6 GDZT2R5.6 Rohm Semiconductor gdz5.6.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 100MW GMD2
товар відсутній
GDZT2R6.2 GDZT2R6.2 Rohm Semiconductor gdz6.2.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 100MW GMD2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GDZT2R6.8 GDZT2R6.8 Rohm Semiconductor gdzt2r6.8-e Description: DIODE ZENER 6.8V 100MW GMD2
товар відсутній
GDZT2R7.5 GDZT2R7.5 Rohm Semiconductor gdzt2r7.5-e Description: DIODE ZENER 7.5V 100MW GMD2
товар відсутній
GDZT2R8.2 GDZT2R8.2 Rohm Semiconductor gdz8.2.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW GMD2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR3.6B KDZTR3.6B Rohm Semiconductor kdztr3.6b-e.pdf Description: DIODE ZENER 3.8V 1W PMDU
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR4.3B KDZTR4.3B Rohm Semiconductor KDZ4.3B Description: DIODE ZENER 4.6V 1W PMDU
товар відсутній
KDZTR4.7B KDZTR4.7B Rohm Semiconductor kdztr4.7b-e.pdf Description: DIODE ZENER 4.9V 1W PMDU
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR5.1B KDZTR5.1B Rohm Semiconductor kdztr5.1b-e.pdf Description: DIODE ZENER 5.4V 1W PMDU
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR5.6B KDZTR5.6B Rohm Semiconductor kdztr5.6b-e.pdf Description: DIODE ZENER 5.9V 1W PMDU
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR6.2B KDZTR6.2B Rohm Semiconductor kdztr6.2b-e.pdf Description: DIODE ZENER 6.5V 1W PMDU
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR6.8B KDZTR6.8B Rohm Semiconductor kdztr6.8b-e.pdf Description: DIODE ZENER 7.3V 1W PMDU
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR7.5B KDZTR7.5B Rohm Semiconductor kdztr7.5b-e.pdf Description: DIODE ZENER 7.9V 1W PMDU
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR8.2B KDZTR8.2B Rohm Semiconductor kdztr8.2b-e.pdf Description: DIODE ZENER 8.7V 1W PMDU
товар відсутній
KDZTR9.1B KDZTR9.1B Rohm Semiconductor KDZ9.1B Description: DIODE ZENER 9.8V 1W PMDU
товар відсутній
KDZTR10B KDZTR10B Rohm Semiconductor datasheet?p=KDZ10B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 10.3V 1W PMDU
Tolerance: ±6%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10.3 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
KDZTR11B KDZTR11B Rohm Semiconductor KDZ11B Description: DIODE ZENER 11.5V 1W PMDU
товар відсутній
KDZTR12B KDZTR12B Rohm Semiconductor kdztr12b-e.pdf Description: DIODE ZENER 12.5V 1W PMDU
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR13B KDZTR13B Rohm Semiconductor KDZ13B Description: DIODE ZENER 13.8V 1W PMDU
товар відсутній
KDZTR15B KDZTR15B Rohm Semiconductor kdztr15b-e.pdf Description: DIODE ZENER 15.4V 1W PMDU
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR16B KDZTR16B Rohm Semiconductor KDZ16B Description: DIODE ZENER 16.9V 1W PMDU
товар відсутній
KDZTR20B KDZTR20B Rohm Semiconductor kdztr20b-e.pdf Description: DIODE ZENER 20.8V 1W PMDU
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR22B KDZTR22B Rohm Semiconductor kdztr22b-e.pdf Description: DIODE ZENER 23.9V 1W PMDU
товар відсутній
KDZTR24B KDZTR24B Rohm Semiconductor kdztr24b-e.pdf Description: DIODE ZENER 25.3V 1W PMDU
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR27B KDZTR27B Rohm Semiconductor KDZ27B Description: DIODE ZENER 28.7V 1W PMDU
товар відсутній
KDZTR30B KDZTR30B Rohm Semiconductor kdztr30b-e.pdf Description: DIODE ZENER 31.6V 1W PMDU
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR33B KDZTR33B Rohm Semiconductor kdztr33b-e.pdf Description: DIODE ZENER 35V 1W PMDU
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GDZT2R3.9 GDZT2R3.9 Rohm Semiconductor gdz3.9.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 100MW GMD2
на замовлення 16834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GDZT2R4.7 GDZT2R4.7 Rohm Semiconductor gdz4.7.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 100MW GMD2
на замовлення 7823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GDZT2R5.1 GDZT2R5.1 Rohm Semiconductor gdzt2r5.1-e Description: DIODE ZENER 5.1V 100MW GMD2
товар відсутній
GDZT2R5.6 GDZT2R5.6 Rohm Semiconductor gdz5.6.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 100MW GMD2
на замовлення 6947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GDZT2R6.2 GDZT2R6.2 Rohm Semiconductor gdz6.2.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 100MW GMD2
на замовлення 21634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GDZT2R6.8 GDZT2R6.8 Rohm Semiconductor gdzt2r6.8-e Description: DIODE ZENER 6.8V 100MW GMD2
на замовлення 13658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GDZT2R8.2 GDZT2R8.2 Rohm Semiconductor gdz8.2.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW GMD2
на замовлення 13491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR3.6B KDZTR3.6B Rohm Semiconductor kdztr3.6b-e.pdf Description: DIODE ZENER 3.8V 1W PMDU
на замовлення 6021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR4.7B KDZTR4.7B Rohm Semiconductor kdztr4.7b-e.pdf Description: DIODE ZENER 4.9V 1W PMDU
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR5.1B KDZTR5.1B Rohm Semiconductor kdztr5.1b-e.pdf Description: DIODE ZENER 5.4V 1W PMDU
на замовлення 5552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR5.6B KDZTR5.6B Rohm Semiconductor kdztr5.6b-e.pdf Description: DIODE ZENER 5.9V 1W PMDU
на замовлення 7921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR6.2B KDZTR6.2B Rohm Semiconductor kdztr6.2b-e.pdf Description: DIODE ZENER 6.5V 1W PMDU
на замовлення 9775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR6.8B KDZTR6.8B Rohm Semiconductor kdztr6.8b-e.pdf Description: DIODE ZENER 7.3V 1W PMDU
на замовлення 6008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR7.5B KDZTR7.5B Rohm Semiconductor kdztr7.5b-e.pdf Description: DIODE ZENER 7.9V 1W PMDU
на замовлення 5806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
QS8J1TR QS8J1.pdf
QS8J1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+31.93 грн
6000+ 29.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RSY160P05TL datasheet?p=RSY160P05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RSY160P05TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TCPT3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V
товар відсутній
RT1A050ZPTR RT1A050ZP.pdf
RT1A050ZPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 5A 8TSST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 6 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+27.85 грн
6000+ 25.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RZQ045P01TR RZQ045P01.pdf
RZQ045P01TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 6 V
товар відсутній
TT8J21TR tt8j21tr-e.pdf
TT8J21TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
US5U35TR datasheet?p=US5U35&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
US5U35TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 700mA, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
товар відсутній
QS5U34TR qs5u34.pdf
QS5U34TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5
товар відсутній
QS5U36TR datasheet?p=QS5U36&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS5U36TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.06 грн
10+ 33.5 грн
100+ 23.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
QS8J1TR QS8J1.pdf
QS8J1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.89 грн
10+ 60.82 грн
100+ 47.3 грн
500+ 37.62 грн
1000+ 30.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
RSY160P05TL datasheet?p=RSY160P05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RSY160P05TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TCPT3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.53 грн
10+ 81.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
RT1A050ZPTR RT1A050ZP.pdf
RT1A050ZPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 6 V
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.19 грн
10+ 53.05 грн
100+ 41.26 грн
500+ 32.82 грн
1000+ 26.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
RZQ045P01TR RZQ045P01.pdf
RZQ045P01TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 6 V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.27 грн
10+ 41.26 грн
100+ 28.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
TT8J21TR tt8j21tr-e.pdf
TT8J21TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8
на замовлення 5929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
US5U38TR US5U29TR_1.jpg
US5U38TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.83 грн
11+ 26.6 грн
100+ 15.97 грн
500+ 13.88 грн
1000+ 9.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
US5U35TR datasheet?p=US5U35&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
US5U35TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 700mA, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.02 грн
10+ 41.98 грн
100+ 29.06 грн
500+ 22.79 грн
1000+ 19.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
US6U37TR US6U37
US6U37TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GDZT2R3.9 gdz3.9.pdf
GDZT2R3.9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.9V 100MW GMD2
товар відсутній
GDZT2R4.7 gdz4.7.pdf
GDZT2R4.7
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.7V 100MW GMD2
товар відсутній
GDZT2R5.1 gdzt2r5.1-e
GDZT2R5.1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.1V 100MW GMD2
товар відсутній
GDZT2R5.6 gdz5.6.pdf
GDZT2R5.6
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 100MW GMD2
товар відсутній
GDZT2R6.2 gdz6.2.pdf
GDZT2R6.2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.2V 100MW GMD2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GDZT2R6.8 gdzt2r6.8-e
GDZT2R6.8
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 100MW GMD2
товар відсутній
GDZT2R7.5 gdzt2r7.5-e
GDZT2R7.5
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 7.5V 100MW GMD2
товар відсутній
GDZT2R8.2 gdz8.2.pdf
GDZT2R8.2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW GMD2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR3.6B kdztr3.6b-e.pdf
KDZTR3.6B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.8V 1W PMDU
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR4.3B KDZ4.3B
KDZTR4.3B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.6V 1W PMDU
товар відсутній
KDZTR4.7B kdztr4.7b-e.pdf
KDZTR4.7B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.9V 1W PMDU
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR5.1B kdztr5.1b-e.pdf
KDZTR5.1B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.4V 1W PMDU
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR5.6B kdztr5.6b-e.pdf
KDZTR5.6B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.9V 1W PMDU
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR6.2B kdztr6.2b-e.pdf
KDZTR6.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.5V 1W PMDU
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR6.8B kdztr6.8b-e.pdf
KDZTR6.8B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 7.3V 1W PMDU
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR7.5B kdztr7.5b-e.pdf
KDZTR7.5B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 7.9V 1W PMDU
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR8.2B kdztr8.2b-e.pdf
KDZTR8.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.7V 1W PMDU
товар відсутній
KDZTR9.1B KDZ9.1B
KDZTR9.1B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 9.8V 1W PMDU
товар відсутній
KDZTR10B datasheet?p=KDZ10B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
KDZTR10B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 10.3V 1W PMDU
Tolerance: ±6%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10.3 V
Supplier Device Package: PMDU
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 7 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
KDZTR11B KDZ11B
KDZTR11B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 11.5V 1W PMDU
товар відсутній
KDZTR12B kdztr12b-e.pdf
KDZTR12B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 12.5V 1W PMDU
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR13B KDZ13B
KDZTR13B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 13.8V 1W PMDU
товар відсутній
KDZTR15B kdztr15b-e.pdf
KDZTR15B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 15.4V 1W PMDU
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR16B KDZ16B
KDZTR16B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 16.9V 1W PMDU
товар відсутній
KDZTR20B kdztr20b-e.pdf
KDZTR20B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 20.8V 1W PMDU
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR22B kdztr22b-e.pdf
KDZTR22B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 23.9V 1W PMDU
товар відсутній
KDZTR24B kdztr24b-e.pdf
KDZTR24B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 25.3V 1W PMDU
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR27B KDZ27B
KDZTR27B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 28.7V 1W PMDU
товар відсутній
KDZTR30B kdztr30b-e.pdf
KDZTR30B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 31.6V 1W PMDU
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR33B kdztr33b-e.pdf
KDZTR33B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 35V 1W PMDU
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GDZT2R3.9 gdz3.9.pdf
GDZT2R3.9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.9V 100MW GMD2
на замовлення 16834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GDZT2R4.7 gdz4.7.pdf
GDZT2R4.7
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.7V 100MW GMD2
на замовлення 7823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GDZT2R5.1 gdzt2r5.1-e
GDZT2R5.1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.1V 100MW GMD2
товар відсутній
GDZT2R5.6 gdz5.6.pdf
GDZT2R5.6
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 100MW GMD2
на замовлення 6947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GDZT2R6.2 gdz6.2.pdf
GDZT2R6.2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.2V 100MW GMD2
на замовлення 21634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GDZT2R6.8 gdzt2r6.8-e
GDZT2R6.8
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 100MW GMD2
на замовлення 13658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GDZT2R8.2 gdz8.2.pdf
GDZT2R8.2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW GMD2
на замовлення 13491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR3.6B kdztr3.6b-e.pdf
KDZTR3.6B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.8V 1W PMDU
на замовлення 6021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR4.7B kdztr4.7b-e.pdf
KDZTR4.7B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.9V 1W PMDU
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR5.1B kdztr5.1b-e.pdf
KDZTR5.1B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.4V 1W PMDU
на замовлення 5552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR5.6B kdztr5.6b-e.pdf
KDZTR5.6B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.9V 1W PMDU
на замовлення 7921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR6.2B kdztr6.2b-e.pdf
KDZTR6.2B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.5V 1W PMDU
на замовлення 9775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR6.8B kdztr6.8b-e.pdf
KDZTR6.8B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 7.3V 1W PMDU
на замовлення 6008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KDZTR7.5B kdztr7.5b-e.pdf
KDZTR7.5B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 7.9V 1W PMDU
на замовлення 5806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 164 310 311 312 313 314 315 316 317 318 319 320 328 492 656 820 984 1148 1312 1476 1640 1648  [ Наступна Сторінка >> ]