Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (104122) > Сторінка 717 з 1736
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BU7264SF-E2 | Rohm Semiconductor |
 Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SOIC |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
BU7264SFV-E2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SSOP |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
BU7266SFV-E2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 8SSOP |
на замовлення 2452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU7294F-E2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SOIC |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU7294SF-E2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SOIC |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU7294SFV-E2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SSOP |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU7444F-E2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 8SOIC |
на замовлення 2478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU7444SF-E2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 8SOIC |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU7464SF-E2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 14SOIC |
на замовлення 2497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU7487SF-E2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 14SOIC |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
BH29M0AWHFV-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 6HVSOF |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
BU11UA3WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4SSON |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU13UA3WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4SSON |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU19UA3WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 1.9V 0.3A 4SSON |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU1AUA3WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4SSON |
на замовлення 4840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU1BTD2WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 1.15V 0.2A 4SSON |
на замовлення 4975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU1BUA3WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 1.15V 0.3A 4SSON |
на замовлення 4940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU1CUA3WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 1.25V 0.3A 4SSOP |
на замовлення 4965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU22UA3WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.2V 0.3A 4SSON |
на замовлення 4935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU23UA3WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.3V 0.3A 4SSON |
на замовлення 4817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU27UA3WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.7V 0.3A 4SSON |
на замовлення 4875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU28UA3WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LIN 2.8V 300MA 4SSON |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU29UA3WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 4SSON |
на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU2ATD2WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.05V 0.2A 4SSON |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU2AUA3WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.05V 0.3A 4SSOP |
на замовлення 4996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
BU2HTD2WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LIN 2.75V 200MA 4SSON |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU2HUA3WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.75V 0.3A 4SSOP |
на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU2JTD2WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.85V 0.2A 4SSON |
на замовлення 4403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU2JUA3WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.85V 0.3A 4SSOP |
на замовлення 4795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU2KUA3WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 2.95V 0.3A 4SSOP |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU31UA3WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 3.1V 0.3A 4SSON |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU32UA3WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4SSON |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU34TD2WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 3.4V 0.2A 4SSON |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
BU34UA3WNVX-TL | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LDO 3.4V 0.3A 4SSON |
на замовлення 4912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
BU7421SG-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 5SSOP |
на замовлення 17980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BZ6A1206GMP-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC PWR SUPP MOD 1.2V BGA-MDP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BZ6A1806GMP-TR | Rohm Semiconductor |
Description: IC PWR SUPP MOD 1.8V BGA-MDP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
 |
BD15IC0MEFJ-ME2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LINEAR 1.5V 1A 8HTSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Output Type: Fixed Mounting Type: Surface Mount Current - Output: 1A Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Output Configuration: Positive Current - Quiescent (Iq): 0.25 mA Voltage - Input (Max): 5.5V Number of Regulators: 1 Supplier Device Package: 8-HTSOP-J Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V Control Features: Enable Part Status: Active Voltage Dropout (Max): 0.9V @ 1A Protection Features: Over Current, Over Temperature, Soft Start Current - Supply (Max): 700 µA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
ML610Q793-N01HBZ03B | Rohm Semiconductor |
Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Speed: 4.096MHz Program Memory Size: 64KB (32K x 16) RAM Size: 4K x 8 Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA) Oscillator Type: External Program Memory Type: FLASH Core Processor: nX-U8/100 Data Converters: A/D 3x12b Core Size: 8-Bit Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 1.9V Connectivity: I2C, SPI, UART/USART Peripherals: POR, WDT Supplier Device Package: 48-WLCSP (3.06x2.96) Number of I/O: 21 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
ML610Q793-SDK | Rohm Semiconductor |
Description: ML610Q793 EVAL BRD |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
ML610Q793-N01HBZ03B | Rohm Semiconductor |
Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 48-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Speed: 4.096MHz Program Memory Size: 64KB (32K x 16) RAM Size: 4K x 8 Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA) Oscillator Type: External Program Memory Type: FLASH Core Processor: nX-U8/100 Data Converters: A/D 3x12b Core Size: 8-Bit Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 1.9V Connectivity: I2C, SPI, UART/USART Peripherals: POR, WDT Supplier Device Package: 48-WLCSP (3.06x2.96) Number of I/O: 21 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
2SA1774EBTLP | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 50V 0.15A EMT3F Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Frequency - Transition: 140MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-89, SOT-490 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
CDZT2RA8.2B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW VMN2 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
RDD022N50TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 168 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
RDD022N60TL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: CPT3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1mA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
UMF23NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
UMF24NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
UMG7NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: UMT5 Resistor - Base (R1): 10kOhms |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
UMZ8NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP 50V/12V UMT6 Supplier Device Package: UMT6 Frequency - Transition: 180MHz, 260MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, 500mA Power - Max: 150mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
SCS215AGC | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIC 650V 15A TO220ACFP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
SCS215AEC | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SCS220AEC | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO247 Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-247 Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
SCS230AE2C | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247 |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
SCS206AMC | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SCS208AMC | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220FM Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SCS212AMC | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Not For New Designs Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-220FM Current - Average Rectified (Io): 12A Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
SCS215AMC | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-220FM Current - Average Rectified (Io): 12A Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Packaging: Tube Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
SCS220AMC | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Supplier Device Package: TO-220FM Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
SCS212AJTLL | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-263AB Current - Average Rectified (Io): 12A Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
SCS215AJTLL | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BU7264SF-E2 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SOIC
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU7264SFV-E2 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SSOP
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU7266SFV-E2 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 8SSOP
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 8SSOP
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU7294F-E2 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SOIC
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SOIC
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU7294SF-E2 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SOIC
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU7294SFV-E2 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SSOP
Description: IC OPAMP I/O FULL SWING 14SSOP
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU7444F-E2 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 8SOIC
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 8SOIC
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU7444SF-E2 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 8SOIC
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU7464SF-E2 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 14SOIC
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 14SOIC
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU7487SF-E2 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 14SOIC
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 14SOIC
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BH29M0AWHFV-TR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 6HVSOF
Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 6HVSOF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU11UA3WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4SSON
Description: IC REG LDO 1.1V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU13UA3WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4SSON
Description: IC REG LDO 1.3V 0.3A 4SSON
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU19UA3WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.9V 0.3A 4SSON
Description: IC REG LDO 1.9V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU1AUA3WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4SSON
Description: IC REG LDO 1.05V 0.3A 4SSON
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU1BTD2WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.15V 0.2A 4SSON
Description: IC REG LDO 1.15V 0.2A 4SSON
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU1BUA3WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.15V 0.3A 4SSON
Description: IC REG LDO 1.15V 0.3A 4SSON
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU1CUA3WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 1.25V 0.3A 4SSOP
Description: IC REG LDO 1.25V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU22UA3WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.2V 0.3A 4SSON
Description: IC REG LDO 2.2V 0.3A 4SSON
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU23UA3WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.3V 0.3A 4SSON
Description: IC REG LDO 2.3V 0.3A 4SSON
на замовлення 4817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU27UA3WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.7V 0.3A 4SSON
Description: IC REG LDO 2.7V 0.3A 4SSON
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU28UA3WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LIN 2.8V 300MA 4SSON
Description: IC REG LIN 2.8V 300MA 4SSON
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BU29UA3WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 4SSON
Description: IC REG LDO 2.9V 0.3A 4SSON
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU2ATD2WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.05V 0.2A 4SSON
Description: IC REG LDO 2.05V 0.2A 4SSON
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU2AUA3WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.05V 0.3A 4SSOP
Description: IC REG LDO 2.05V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU2HTD2WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LIN 2.75V 200MA 4SSON
Description: IC REG LIN 2.75V 200MA 4SSON
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BU2HUA3WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.75V 0.3A 4SSOP
Description: IC REG LDO 2.75V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU2JTD2WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.85V 0.2A 4SSON
Description: IC REG LDO 2.85V 0.2A 4SSON
на замовлення 4403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU2JUA3WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.85V 0.3A 4SSOP
Description: IC REG LDO 2.85V 0.3A 4SSOP
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU2KUA3WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 2.95V 0.3A 4SSOP
Description: IC REG LDO 2.95V 0.3A 4SSOP
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU31UA3WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.1V 0.3A 4SSON
Description: IC REG LDO 3.1V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU32UA3WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4SSON
Description: IC REG LDO 3.2V 0.3A 4SSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU34TD2WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.4V 0.2A 4SSON
Description: IC REG LDO 3.4V 0.2A 4SSON
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU34UA3WNVX-TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3.4V 0.3A 4SSON
Description: IC REG LDO 3.4V 0.3A 4SSON
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BU7421SG-TR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 5SSOP
Description: IC OPAMP GROUND SENSE 5SSOP
на замовлення 17980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZ6A1206GMP-TR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC PWR SUPP MOD 1.2V BGA-MDP
Description: IC PWR SUPP MOD 1.2V BGA-MDP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZ6A1806GMP-TR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC PWR SUPP MOD 1.8V BGA-MDP
Description: IC PWR SUPP MOD 1.8V BGA-MDP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BD15IC0MEFJ-ME2 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LINEAR 1.5V 1A 8HTSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 0.25 mA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.9V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Soft Start
Current - Supply (Max): 700 µA
Description: IC REG LINEAR 1.5V 1A 8HTSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 0.25 mA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
Control Features: Enable
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.9V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Soft Start
Current - Supply (Max): 700 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ML610Q793-N01HBZ03B |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 4.096MHz
Program Memory Size: 64KB (32K x 16)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: nX-U8/100
Data Converters: A/D 3x12b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 1.9V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 48-WLCSP (3.06x2.96)
Number of I/O: 21
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 4.096MHz
Program Memory Size: 64KB (32K x 16)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: nX-U8/100
Data Converters: A/D 3x12b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 1.9V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 48-WLCSP (3.06x2.96)
Number of I/O: 21
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ML610Q793-SDK |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ML610Q793 EVAL BRD
Description: ML610Q793 EVAL BRD
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ML610Q793-N01HBZ03B |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 4.096MHz
Program Memory Size: 64KB (32K x 16)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: nX-U8/100
Data Converters: A/D 3x12b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 1.9V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 48-WLCSP (3.06x2.96)
Number of I/O: 21
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 4.096MHz
Program Memory Size: 64KB (32K x 16)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: nX-U8/100
Data Converters: A/D 3x12b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 1.9V
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 48-WLCSP (3.06x2.96)
Number of I/O: 21
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2SA1774EBTLP |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 0.15A EMT3F
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PNP 50V 0.15A EMT3F
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CDZT2RA8.2B |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW VMN2
Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW VMN2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RDD022N50TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 168 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 168 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RDD022N60TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: CPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: CPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UMF23NTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
Description: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UMF24NTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
Description: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UMG7NTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: UMT5
Resistor - Base (R1): 10kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UMZ8NTR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 50V/12V UMT6
Supplier Device Package: UMT6
Frequency - Transition: 180MHz, 260MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, 500mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS NPN/PNP 50V/12V UMT6
Supplier Device Package: UMT6
Frequency - Transition: 180MHz, 260MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, 500mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SCS215AGC |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIC 650V 15A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Description: DIODE SIC 650V 15A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SCS215AEC |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SCS220AEC |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SCS230AE2C |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SCS206AMC |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCS208AMC |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCS212AMC |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Not For New Designs
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FM
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Not For New Designs
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FM
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 514.13 грн |
| 10+ | 334.90 грн |
| 100+ | 243.86 грн |
| SCS215AMC |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FM
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FM
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCS220AMC |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Supplier Device Package: TO-220FM
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Supplier Device Package: TO-220FM
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SCS212AJTLL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-263AB
Current - Average Rectified (Io): 12A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-263AB
Current - Average Rectified (Io): 12A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SCS215AJTLL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 214.32 грн |