Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (106408) > Сторінка 721 з 1774

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 177 354 531 708 716 717 718 719 720 721 722 723 724 725 726 885 1062 1239 1416 1593 1770 1774  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RQ6E050ATTCR RQ6E050ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
12+25.89 грн
100+19.59 грн
500+15.85 грн
1000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6P015SPTR RQ6P015SPTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6P015SP&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 33083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+52.23 грн
50+38.72 грн
100+32.23 грн
500+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRF015P03GTL RRF015P03GTL Rohm Semiconductor rrf015p03tl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 9752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
12+25.36 грн
100+12.60 грн
500+11.21 грн
1000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200BNTB RS1E200BNTB Rohm Semiconductor rs1e200bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240BNTB RS1E240BNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E240BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+42.04 грн
100+30.24 грн
500+23.21 грн
1000+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E280BNTB RS1E280BNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E280BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 57149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+62.72 грн
50+46.66 грн
100+38.92 грн
500+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB RS1G120MNTB Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 23168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+37.14 грн
50+27.25 грн
100+22.56 грн
500+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G150MNTB RS1G150MNTB Rohm Semiconductor rs1g150mntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 15557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+66.50 грн
100+44.25 грн
500+32.56 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G260MNTB RS1G260MNTB Rohm Semiconductor rs1g260mntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2988 pF @ 20 V
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.55 грн
10+116.09 грн
100+79.77 грн
500+61.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G300GNTB RS1G300GNTB Rohm Semiconductor rs1g300gntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 15526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.04 грн
10+137.45 грн
50+105.07 грн
100+88.82 грн
500+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 RSC002P03T316 Rohm Semiconductor datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
16+19.62 грн
100+10.39 грн
500+6.41 грн
1000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSD046P05TL RSD046P05TL Rohm Semiconductor rsd046p05.pdf Description: MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSD200N05TL RSD200N05TL Rohm Semiconductor rsd200n05.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 20A CPT3
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: CPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+50.95 грн
100+39.62 грн
500+31.52 грн
1000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSD201N10TL RSD201N10TL Rohm Semiconductor rsd201n10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TL RSJ151P10TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RSJ151P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+94.80 грн
100+64.21 грн
500+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RT1A060APTR RT1A060APTR Rohm Semiconductor rt1a060aptr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RT1C060UNTR RT1C060UNTR Rohm Semiconductor rt1c060un.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RT1E040RPTR RT1E040RPTR Rohm Semiconductor RT1E040RP.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RT1E050RPTR RT1E050RPTR Rohm Semiconductor rt1e050rptr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTF016N05TL RTF016N05TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RTF016N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 71901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
11+28.53 грн
50+20.76 грн
100+17.12 грн
500+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTL RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
31+10.04 грн
100+6.24 грн
500+4.29 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1C002ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 77236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
31+9.89 грн
50+7.08 грн
100+5.78 грн
500+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCL RU1E002SPTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1E002SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 5769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.30 грн
50+8.76 грн
100+7.16 грн
500+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCL RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 1735125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.74 грн
50+6.97 грн
100+5.70 грн
500+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C001ZPT2L RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML0806
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
26+11.62 грн
100+7.25 грн
500+5.02 грн
1000+3.87 грн
2000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor datasheet?p=RV1C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: VML0806
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 726306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
51+5.96 грн
100+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C001ZPT2L RV2C001ZPT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML1006
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.10 грн
100+9.50 грн
500+6.62 грн
1000+5.88 грн
2000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML1006
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
на замовлення 5497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+16.00 грн
50+11.53 грн
100+9.45 грн
500+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C010UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 70745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+17.96 грн
100+11.33 грн
500+7.93 грн
1000+7.06 грн
2000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW1A025APT2CR RW1A025APT2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=RW1A025AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
23+13.28 грн
100+8.94 грн
500+6.46 грн
1000+5.81 грн
2000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW1C026ZPT2CR RW1C026ZPT2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=RW1C026ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
11+28.23 грн
100+18.07 грн
500+12.84 грн
1000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW1E014SNT2R RW1E014SNT2R Rohm Semiconductor datasheet?p=RW1E014SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
на замовлення 7791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
27+11.32 грн
100+7.60 грн
500+5.47 грн
1000+4.91 грн
2000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW1E015RPT2R RW1E015RPT2R Rohm Semiconductor datasheet?p=RW1E015RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
19+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW1E025RPT2CR RW1E025RPT2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=RW1E025RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RYE002N05TCL RYE002N05TCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RYE002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RZF013P01TL RZF013P01TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RZF013P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
13+24.38 грн
100+15.53 грн
500+10.97 грн
1000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZM001P02T2L RZM001P02T2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RZM001P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 31193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
32+9.43 грн
50+6.73 грн
100+5.49 грн
500+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETB SH8K41GZETB Rohm Semiconductor sh8k41-e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+60.53 грн
100+47.21 грн
500+36.60 грн
1000+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8K1TR TT8K1TR Rohm Semiconductor tt8k1tr-e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M1TR TT8M1TR Rohm Semiconductor TT8M1_DS.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+35.10 грн
100+22.70 грн
500+16.28 грн
1000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M3TR TT8M3TR Rohm Semiconductor TT8M3.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT8U2TR TT8U2TR Rohm Semiconductor tt8u2.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN UM6K33NTN Rohm Semiconductor datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 481906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+18.19 грн
50+13.09 грн
100+10.73 грн
500+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K34NTCN UM6K34NTCN Rohm Semiconductor datasheet?p=UM6K34N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 226155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+18.42 грн
50+13.30 грн
100+10.91 грн
500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6J1T2CR VT6J1T2CR Rohm Semiconductor vt6j1.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6K1T2CR VT6K1T2CR Rohm Semiconductor vt6k1t2cr-e Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
на замовлення 19446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6M1T2CR VT6M1T2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=VT6M1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: VMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 120mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 67311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
15+21.28 грн
100+12.08 грн
500+7.51 грн
1000+5.76 грн
2000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCD041N25TL RCD041N25TL Rohm Semiconductor rcd041n25.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCD051N20TL RCD051N20TL Rohm Semiconductor rcd051n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RT1A060APTR RT1A060APTR Rohm Semiconductor rt1a060aptr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RT1C060UNTR RT1C060UNTR Rohm Semiconductor rt1c060un.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TT8K1TR TT8K1TR Rohm Semiconductor tt8k1tr-e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TT8U2TR TT8U2TR Rohm Semiconductor tt8u2.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6J1T2CR VT6J1T2CR Rohm Semiconductor vt6j1.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TB HP8KA1TB Rohm Semiconductor datasheet?p=HP8KA1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K11TB HS8K11TB Rohm Semiconductor datasheet?p=HS8K11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Part Status: Active
Supplier Device Package: HSML3030L10
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TL RSJ151P10TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RSJ151P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.69 грн
2000+43.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTF016N05TL RTF016N05TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RTF016N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.95 грн
9000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5009FNJTL R5009FNJTL Rohm Semiconductor r5009fnjtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 9A LPTS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5011FNJTL R5011FNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R5011FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 500V 11A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050ATTCR datasheet?p=RQ6E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E050ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.14 грн
12+25.89 грн
100+19.59 грн
500+15.85 грн
1000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6P015SPTR datasheet?p=RQ6P015SP&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RQ6P015SPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 33083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.22 грн
10+52.23 грн
50+38.72 грн
100+32.23 грн
500+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRF015P03GTL rrf015p03tl-e.pdf
RRF015P03GTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 9752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.11 грн
12+25.36 грн
100+12.60 грн
500+11.21 грн
1000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200BNTB rs1e200bntb-e.pdf
RS1E200BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240BNTB datasheet?p=RS1E240BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E240BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.08 грн
10+42.04 грн
100+30.24 грн
500+23.21 грн
1000+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E280BNTB datasheet?p=RS1E280BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E280BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 57149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.46 грн
10+62.72 грн
50+46.66 грн
100+38.92 грн
500+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G120MNTB rs1g120mntb-e.pdf
RS1G120MNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 23168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.92 грн
10+37.14 грн
50+27.25 грн
100+22.56 грн
500+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G150MNTB rs1g150mntb-e.pdf
RS1G150MNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 15557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.73 грн
10+66.50 грн
100+44.25 грн
500+32.56 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G260MNTB rs1g260mntb-e.pdf
RS1G260MNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2988 pF @ 20 V
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.55 грн
10+116.09 грн
100+79.77 грн
500+61.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G300GNTB rs1g300gntb-e.pdf
RS1G300GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 20 V
на замовлення 15526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+221.04 грн
10+137.45 грн
50+105.07 грн
100+88.82 грн
500+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSC002P03T316 datasheet?p=RSC002P03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RSC002P03T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.08 грн
16+19.62 грн
100+10.39 грн
500+6.41 грн
1000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSD046P05TL rsd046p05.pdf
RSD046P05TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSD200N05TL rsd200n05.pdf
RSD200N05TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 20A CPT3
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: CPT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.27 грн
10+50.95 грн
100+39.62 грн
500+31.52 грн
1000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSD201N10TL rsd201n10.pdf
RSD201N10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TL datasheet?p=RSJ151P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSJ151P10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.63 грн
10+94.80 грн
100+64.21 грн
500+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RT1A060APTR rt1a060aptr-e.pdf
RT1A060APTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RT1C060UNTR rt1c060un.pdf
RT1C060UNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RT1E040RPTR RT1E040RP.pdf
RT1E040RPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RT1E050RPTR rt1e050rptr-e.pdf
RT1E050RPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTF016N05TL datasheet?p=RTF016N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTF016N05TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 71901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.81 грн
11+28.53 грн
50+20.76 грн
100+17.12 грн
500+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTL datasheet?p=RU1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1C001ZPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.46 грн
31+10.04 грн
100+6.24 грн
500+4.29 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCL datasheet?p=RU1C002ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1C002ZPTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 77236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.46 грн
31+9.89 грн
50+7.08 грн
100+5.78 грн
500+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCL datasheet?p=RU1E002SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1E002SPTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 5769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.16 грн
25+12.30 грн
50+8.76 грн
100+7.16 грн
500+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCL datasheet?p=RU1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1J002YNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 1735125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.46 грн
32+9.74 грн
50+6.97 грн
100+5.70 грн
500+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C001ZPT2L datasheet?p=RV1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV1C001ZPT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML0806
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.38 грн
26+11.62 грн
100+7.25 грн
500+5.02 грн
1000+3.87 грн
2000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV1C002UNT2CL datasheet?p=RV1C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV1C002UNT2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: VML0806
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 726306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.76 грн
51+5.96 грн
100+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C001ZPT2L datasheet?p=RV2C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C001ZPT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML1006
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.87 грн
20+15.10 грн
100+9.50 грн
500+6.62 грн
1000+5.88 грн
2000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C002UNT2L datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C002UNT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML1006
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
на замовлення 5497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.65 грн
19+16.00 грн
50+11.53 грн
100+9.45 грн
500+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV2C010UNT2L datasheet?p=RV2C010UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C010UNT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 70745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.57 грн
17+17.96 грн
100+11.33 грн
500+7.93 грн
1000+7.06 грн
2000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW1A025APT2CR datasheet?p=RW1A025AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW1A025APT2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.38 грн
23+13.28 грн
100+8.94 грн
500+6.46 грн
1000+5.81 грн
2000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW1C026ZPT2CR datasheet?p=RW1C026ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW1C026ZPT2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.81 грн
11+28.23 грн
100+18.07 грн
500+12.84 грн
1000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW1E014SNT2R datasheet?p=RW1E014SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW1E014SNT2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
на замовлення 7791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.24 грн
27+11.32 грн
100+7.60 грн
500+5.47 грн
1000+4.91 грн
2000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW1E015RPT2R datasheet?p=RW1E015RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW1E015RPT2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.43 грн
19+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW1E025RPT2CR datasheet?p=RW1E025RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW1E025RPT2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RYE002N05TCL datasheet?p=RYE002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RYE002N05TCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RZF013P01TL datasheet?p=RZF013P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZF013P01TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.54 грн
13+24.38 грн
100+15.53 грн
500+10.97 грн
1000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZM001P02T2L datasheet?p=RZM001P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZM001P02T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 31193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.68 грн
32+9.43 грн
50+6.73 грн
100+5.49 грн
500+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETB sh8k41-e.pdf
SH8K41GZETB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.54 грн
10+60.53 грн
100+47.21 грн
500+36.60 грн
1000+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8K1TR tt8k1tr-e.pdf
TT8K1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M1TR TT8M1_DS.pdf
TT8M1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.79 грн
10+35.10 грн
100+22.70 грн
500+16.28 грн
1000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT8M3TR TT8M3.pdf
TT8M3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT8U2TR tt8u2.pdf
TT8U2TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K33NTN datasheet?p=UM6K33N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UM6K33NTN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 481906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.57 грн
17+18.19 грн
50+13.09 грн
100+10.73 грн
500+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UM6K34NTCN datasheet?p=UM6K34N&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UM6K34NTCN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 0.9V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
на замовлення 226155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.35 грн
17+18.42 грн
50+13.30 грн
100+10.91 грн
500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6J1T2CR vt6j1.pdf
VT6J1T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6K1T2CR vt6k1t2cr-e
VT6K1T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
на замовлення 19446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6M1T2CR datasheet?p=VT6M1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
VT6M1T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: VMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 120mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 67311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.78 грн
15+21.28 грн
100+12.08 грн
500+7.51 грн
1000+5.76 грн
2000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCD041N25TL rcd041n25.pdf
RCD041N25TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RCD051N20TL rcd051n20.pdf
RCD051N20TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RT1A060APTR rt1a060aptr-e.pdf
RT1A060APTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RT1C060UNTR rt1c060un.pdf
RT1C060UNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TT8K1TR tt8k1tr-e.pdf
TT8K1TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TT8U2TR tt8u2.pdf
TT8U2TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6J1T2CR vt6j1.pdf
VT6J1T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HP8KA1TB datasheet?p=HP8KA1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
HP8KA1TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS8K11TB datasheet?p=HS8K11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
HS8K11TB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Part Status: Active
Supplier Device Package: HSML3030L10
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSJ151P10TL datasheet?p=RSJ151P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSJ151P10TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+48.69 грн
2000+43.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTF016N05TL datasheet?p=RTF016N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTF016N05TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.95 грн
9000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5009FNJTL r5009fnjtl-e.pdf
R5009FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 9A LPTS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R5011FNJTL datasheet?p=R5011FNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R5011FNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 11A LPT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LPTS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+60.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 177 354 531 708 716 717 718 719 720 721 722 723 724 725 726 885 1062 1239 1416 1593 1770 1774  [ Наступна Сторінка >> ]