Результат пошуку "2SA1208" : 11
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2049
Мінімальне замовлення: 2049
Мінімальне замовлення: 2466
Мінімальне замовлення: 1527
Мінімальне замовлення: 1268
Мінімальне замовлення: 1268
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||
---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SA1208S-AE | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 91000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
2SA1208S-AE | Sanyo |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
2SA1208S-AE | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
2SA1208T | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
2SA1208T | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 13699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
2SA1208T | Sanyo |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
2SA1208 |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||
2SA1208S | SANYO | TO92 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
2SA1208S-JVC-AE | SANYO | 09+ |
на замовлення 2018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
2SA1208T-AE | SANYO | 00+ |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
![]() |
2SA1208 Код товару: 31513 |
![]() ![]() Корпус: TO-92 fT: 150 MHz Uке, В: 160 V Uкб, В: 180 V Iк, А: 0,07 A h21,max: 400 |
товар відсутній
|
2SA1208S-AE |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 91000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2049+ | 10.65 грн |
2SA1208S-AE |
![]() |
Виробник: Sanyo
Description: 2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
Description: 2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2049+ | 10.65 грн |
2SA1208S-AE |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1208S-AE - 2SA1208S-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1208S-AE - 2SA1208S-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2466+ | 12.31 грн |
2SA1208T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1208T - 2SA1208T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA1208T - 2SA1208T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1527+ | 19.81 грн |
2SA1208T |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 13699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1268+ | 17.04 грн |
2SA1208T |
![]() |
Виробник: Sanyo
Description: 2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
Description: 2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 900 mW
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1268+ | 17.04 грн |
2SA1208 Код товару: 31513 |
![]() |
![]() |
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 150 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 0,07 A
h21,max: 400
Корпус: TO-92
fT: 150 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 0,07 A
h21,max: 400
товар відсутній