Результат пошуку "2SK1058" : 5
Вид перегляду :
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK10582SJ162 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
|
|
NTE2926 | NTE Electronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 160V Drain current: 7A Power dissipation: 100W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±15V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
|
|
2SK1058 Код товару: 38377 |
Renesas |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 160 V Idd,A: 7 А Ciss, pF/Qg, nC: 600/ Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||
|
|
2SK1058 + 2SJ162 пара Код товару: 38449 |
Renesas |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 160 V Idd,A: 7 А Ciss, pF/Qg, nC: 600/ Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||
|
|
2SK1058-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 160V 7A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V |
товар відсутній |
| NTE2926 |
|
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1203.05 грн |
| 2+ | 798.99 грн |
| 2SK1058 Код товару: 38377 |
Виробник: Renesas
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 160 V
Idd,A: 7 А
Ciss, pF/Qg, nC: 600/
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 160 V
Idd,A: 7 А
Ciss, pF/Qg, nC: 600/
Монтаж: THT
товар відсутній
| 2SK1058 + 2SJ162 пара Код товару: 38449 |
Виробник: Renesas
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 160 V
Idd,A: 7 А
Ciss, pF/Qg, nC: 600/
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 160 V
Idd,A: 7 А
Ciss, pF/Qg, nC: 600/
Монтаж: THT
товар відсутній
| 2SK1058-E |
|
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
товар відсутній