Результат пошуку "2SK1058" : 5
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SK10582SJ162 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
NTE2926 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 160V Drain current: 7A Power dissipation: 100W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±15V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
![]() |
2SK1058 Код товару: 38377
Додати до обраних
Обраний товар
|
Renesas |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-3P Uds,V: 160 V Idd,A: 7 А Ciss, pF/Qg, nC: 600/ Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||
![]() |
2SK1058 + 2SJ162 пара Код товару: 38449
Додати до обраних
Обраний товар
|
Renesas |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-3P Uds,V: 160 V Idd,A: 7 А Ciss, pF/Qg, nC: 600/ Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||
![]() |
2SK1058-E | Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
NTE2926 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1214.82 грн |
2+ | 876.93 грн |
2SK1058 Код товару: 38377
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Renesas
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3P
Uds,V: 160 V
Idd,A: 7 А
Ciss, pF/Qg, nC: 600/
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3P
Uds,V: 160 V
Idd,A: 7 А
Ciss, pF/Qg, nC: 600/
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 125.00 грн |
2SK1058 + 2SJ162 пара Код товару: 38449
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Renesas
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3P
Uds,V: 160 V
Idd,A: 7 А
Ciss, pF/Qg, nC: 600/
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3P
Uds,V: 160 V
Idd,A: 7 А
Ciss, pF/Qg, nC: 600/
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 248.00 грн |
10+ | 215.60 грн |
2SK1058-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 160V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.