Результат пошуку "FQP4N90C" : 5
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQP4N90C Код товару: 60621 |
ON |
![]() Uds,V: 900 V Idd,A: 2,3 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 740/15 Монтаж: THT |
у наявності: 68 шт
|
|
||||
FQP4N90C | ONS |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
FQP4N90C | ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
FQP4N90C | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
![]() |
FQP4N90C | onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |
FQP4N90C Код товару: 60621 |
![]() |
Виробник: ON
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/15
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/15
Монтаж: THT
у наявності: 68 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 46 грн |
10+ | 41.5 грн |
FQP4N90C |
![]() |
Виробник: ONS
MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 145.25 грн |
FQP4N90C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FQP4N90C |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
товар відсутній