Результат пошуку "G4PF50W" : 15
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRG4PF50WDPBF Код товару: 28038
Додати до обраних
Обраний товар
|
China |
Транзистори > IGBTКорпус: TO-247 Напруга колектор-емітер Vces, В: 900 В Напруга насичення Vce, В: 2,25 В Струм колектора Ic при 25°С, А: 51 А Струм колектора Ic при 100°С, А: 28 А Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 200 Вт |
у наявності: 3 шт
|
|
||||
|
IRG4PF50WPBF Код товару: 32408
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > IGBTКорпус: TO-247 Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В Напруга насичення Vce, В: 2,3 В Струм колектора Ic при 25°С, А: 55 А Струм колектора Ic при 100°С, А: 27 А Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 200 Вт |
у наявності: 40 шт
|
|
||||
| G4PF50W |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG4PF50W-CN | CHIPNOBO |
Transistor IGBT ; 900V; 20V; 60A; 120A; 5,0V~6,0V; 315nC; -40°C~175°C; Equivalent: IRG4PF50W; SP001533582; IRG4PF50W-CN CHIPNOBO TIRG4pf50w CNB кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRG4PF50W?92-0119? | IR | TO-247 |
на замовлення 13250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
IRG4PF50W Код товару: 197675
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|
||||||
|
IRG4PF50WD-201P | Infineon Technologies |
Description: IGBT 900V 51A TO-247ACPackaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 50ns/110ns Switching Energy: 2.63mJ (on), 1.34mJ (off) Test Condition: 720V, 28A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 51 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 204 A Power - Max: 200 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
IRG4PF50WDPBF | Infineon Technologies |
Description: IGBT 900V 51A TO-247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 71ns/150ns Switching Energy: 2.63mJ (on), 1.34mJ (off) Test Condition: 720V, 28A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 51 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 204 A Power - Max: 200 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| IRG4PF50WPBF | International Rectifier/Infineon |
Транзистор... Транзистори Корпус: xxx Од. вим: шткількість в упаковці: 25 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
IRG4PF50WPBF | Infineon Technologies |
Description: IGBT 900V 51A TO-247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 29ns/110ns Switching Energy: 190µJ (on), 1.06mJ (off) Test Condition: 720V, 28A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Current - Collector (Ic) (Max): 51 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 204 A Power - Max: 200 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| IRG4PF50W | International Rectifier |
(IGBT,N-CH,900V,51A,200W,TO-247AC) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
IRG4PF50WDPBF | Infineon |
(IGBT, N-CH, 900V,51A,TO-247AC) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| IRG4PF50WDPBF | International Rectifier |
(IGBT,N-CH,900V,28A,TO-247AC) Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| IRG4PF50WPBF | International Rectifier |
IGBT,N-CH,900V,51A,200W,TO-247AC,Pb Free Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
Транзистор IGBT IRG4PF50WPBF Infineon | Infineon | Транз. IGBT WARP TO247AC Uces=900V; Ic=51A; Ic=28A(100°C); Pdmax=200W IRG4PF50WPBF.pdf Транзистори IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRG4PF50WDPBF Код товару: 28038
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: China
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 900 В
Напруга насичення Vce, В: 2,25 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 51 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 28 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 200 Вт
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 900 В
Напруга насичення Vce, В: 2,25 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 51 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 28 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 200 Вт
у наявності: 3 шт
- 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 750.00 грн |
| IRG4PF50WPBF Код товару: 32408
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,3 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 55 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 27 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 200 Вт
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,3 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 55 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 27 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 200 Вт
у наявності: 40 шт
- 23 шт - склад
- 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 320.00 грн |
| 10+ | 295.00 грн |
| IRG4PF50W-CN |
Виробник: CHIPNOBO
Transistor IGBT ; 900V; 20V; 60A; 120A; 5,0V~6,0V; 315nC; -40°C~175°C; Equivalent: IRG4PF50W; SP001533582; IRG4PF50W-CN CHIPNOBO TIRG4pf50w CNB
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 900V; 20V; 60A; 120A; 5,0V~6,0V; 315nC; -40°C~175°C; Equivalent: IRG4PF50W; SP001533582; IRG4PF50W-CN CHIPNOBO TIRG4pf50w CNB
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 142.15 грн |
| IRG4PF50W?92-0119? |
Виробник: IR
TO-247
TO-247
на замовлення 13250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| IRG4PF50W Код товару: 197675
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 262.00 грн |
| IRG4PF50WD-201P |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 900V 51A TO-247AC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/110ns
Switching Energy: 2.63mJ (on), 1.34mJ (off)
Test Condition: 720V, 28A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 204 A
Power - Max: 200 W
Description: IGBT 900V 51A TO-247AC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/110ns
Switching Energy: 2.63mJ (on), 1.34mJ (off)
Test Condition: 720V, 28A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 204 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG4PF50WDPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 900V 51A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 71ns/150ns
Switching Energy: 2.63mJ (on), 1.34mJ (off)
Test Condition: 720V, 28A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 204 A
Power - Max: 200 W
Description: IGBT 900V 51A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 71ns/150ns
Switching Energy: 2.63mJ (on), 1.34mJ (off)
Test Condition: 720V, 28A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 204 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG4PF50WPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
Транзистор... Транзистори Корпус: xxx Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
Транзистор... Транзистори Корпус: xxx Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRG4PF50WPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 900V 51A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/110ns
Switching Energy: 190µJ (on), 1.06mJ (off)
Test Condition: 720V, 28A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 204 A
Power - Max: 200 W
Description: IGBT 900V 51A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/110ns
Switching Energy: 190µJ (on), 1.06mJ (off)
Test Condition: 720V, 28A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 204 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG4PF50W |
![]() |
Виробник: International Rectifier
(IGBT,N-CH,900V,51A,200W,TO-247AC) Транзистори
(IGBT,N-CH,900V,51A,200W,TO-247AC) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG4PF50WDPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
(IGBT, N-CH, 900V,51A,TO-247AC) Транзистори
(IGBT, N-CH, 900V,51A,TO-247AC) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG4PF50WDPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
(IGBT,N-CH,900V,28A,TO-247AC) Транзистори
(IGBT,N-CH,900V,28A,TO-247AC) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG4PF50WPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
IGBT,N-CH,900V,51A,200W,TO-247AC,Pb Free Транзистори
IGBT,N-CH,900V,51A,200W,TO-247AC,Pb Free Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Транзистор IGBT IRG4PF50WPBF Infineon |
Виробник: Infineon
Транз. IGBT WARP TO247AC Uces=900V; Ic=51A; Ic=28A(100°C); Pdmax=200W IRG4PF50WPBF.pdf Транзистори IGBT
Транз. IGBT WARP TO247AC Uces=900V; Ic=51A; Ic=28A(100°C); Pdmax=200W IRG4PF50WPBF.pdf Транзистори IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.







