Результат пошуку "IRFP064N" : 30
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 400
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 169
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 400
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 206
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 97
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 95
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 110
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP064NPBF Код товару: 52519
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247 Uds,V: 55 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4000/170 Монтаж: THT |
у наявності: 102 шт
75 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ 6 шт - РАДІОМАГ-Львів 16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
| IRFP064N | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP064; IRFP064N; SP001554926; IRFP064N JSMICRO TIRFP064n JSM кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRFP064N | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRFP064N | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRFP064N | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRFP064NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 98A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 113.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP064NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 98A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 113.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 603 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP064NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFP064NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFP064NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V |
на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP064NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP064NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP064NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFP064NPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 36616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRFP064NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP064NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 98 A, 8000 µohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 91238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP064NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 82797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP064NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 16984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP064NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC |
на замовлення 17138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP064NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 16984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFP064NPBF; 98A; 55V; 150W; 8mR; N-канальний; HEXFET; Корпус: TO-247; INFINEON (IRF) (шт) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
AUIRFP064N | International Rectifier |
Description: AUIRFP064 - 55V-60V N-CHANNEL AUPackaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| Транзистор IRFP064NPBF | IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=60V; Id=70A; Pdmax=300W; Rds=0,009 Ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| Транзистор польовий IRFP064NPBF 98A 55V N-ch TO-247 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
IRFP064N Код товару: 23063
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247 Uds,V: 55 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4000/170 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
|
IRFP064N | Infineon / IR |
MOSFETs |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFP064NPBF | International Rectifier |
Description: IRFP064 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
AUIRFP064N | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AUIRFP064N-IR | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
IRFP064 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFP064NPBF Код товару: 52519
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4000/170
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4000/170
Монтаж: THT
у наявності: 102 шт
75 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 76.00 грн |
| 10+ | 69.00 грн |
| 100+ | 64.50 грн |
| IRFP064N |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP064; IRFP064N; SP001554926; IRFP064N JSMICRO TIRFP064n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP064; IRFP064N; SP001554926; IRFP064N JSMICRO TIRFP064n JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 64.48 грн |
| IRFP064N |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 72.52 грн |
| IRFP064N |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 72.52 грн |
| IRFP064N |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; IRFP064N TIRFP064n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 72.52 грн |
| IRFP064NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 164.95 грн |
| 5+ | 130.15 грн |
| 10+ | 116.66 грн |
| 15+ | 108.72 грн |
| 25+ | 99.99 грн |
| 100+ | 80.15 грн |
| 400+ | 68.25 грн |
| 500+ | 66.66 грн |
| IRFP064NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 197.94 грн |
| 5+ | 162.19 грн |
| 10+ | 139.99 грн |
| 15+ | 130.47 грн |
| 25+ | 119.99 грн |
| 100+ | 96.18 грн |
| 400+ | 81.90 грн |
| IRFP064NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRFP064NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRFP064NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 221.69 грн |
| 25+ | 113.45 грн |
| 100+ | 102.01 грн |
| 500+ | 74.37 грн |
| 1000+ | 71.25 грн |
| IRFP064NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 400+ | 87.67 грн |
| 1600+ | 86.80 грн |
| 3200+ | 85.93 грн |
| IRFP064NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 169+ | 73.18 грн |
| 214+ | 57.94 грн |
| IRFP064NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 400+ | 93.93 грн |
| 1600+ | 93.00 грн |
| 3200+ | 92.06 грн |
| IRFP064NPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 36616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 206+ | 150.23 грн |
| 500+ | 134.80 грн |
| 1000+ | 124.51 грн |
| 10000+ | 107.16 грн |
| IRFP064NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP064NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 98 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFP064NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 98 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 91238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 228.19 грн |
| 10+ | 129.05 грн |
| 100+ | 113.67 грн |
| 500+ | 72.30 грн |
| 1000+ | 65.42 грн |
| IRFP064NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 82797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 97+ | 127.79 грн |
| 101+ | 122.92 грн |
| 104+ | 118.75 грн |
| 250+ | 111.04 грн |
| 500+ | 100.01 грн |
| 1000+ | 93.66 грн |
| 2500+ | 91.60 грн |
| 5000+ | 89.77 грн |
| IRFP064NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 16984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 95+ | 130.45 грн |
| 134+ | 92.40 грн |
| 500+ | 89.13 грн |
| 1600+ | 85.09 грн |
| 3200+ | 78.00 грн |
| IRFP064NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC
на замовлення 17138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 229.32 грн |
| 10+ | 122.66 грн |
| 100+ | 98.28 грн |
| 400+ | 73.06 грн |
| IRFP064NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 16984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 259.57 грн |
| 10+ | 140.06 грн |
| 100+ | 99.20 грн |
| 500+ | 92.27 грн |
| 1600+ | 84.59 грн |
| 3200+ | 80.39 грн |
| IRFP064NPBF; 98A; 55V; 150W; 8mR; N-канальний; HEXFET; Корпус: TO-247; INFINEON (IRF) (шт) |
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 101.14 грн |
| AUIRFP064N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUIRFP064 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUIRFP064 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 110+ | 192.88 грн |
| Транзистор IRFP064NPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=60V; Id=70A; Pdmax=300W; Rds=0,009 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=60V; Id=70A; Pdmax=300W; Rds=0,009 Ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 294.00 грн |
| 10+ | 163.80 грн |
| 100+ | 152.88 грн |
| Транзистор польовий IRFP064NPBF 98A 55V N-ch TO-247 |
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 76.12 грн |
| IRFP064N Код товару: 23063
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4000/170
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4000/170
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 36.00 грн |
| 10+ | 32.40 грн |
| IRFP064NPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFP064 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Description: IRFP064 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRFP064N |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRFP064N-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP064 | ![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.









