Результат пошуку "IRLB3034PBF" : 16
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 167
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 700
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 49
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 795
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 167
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLB3034PBF Код товару: 36195
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Uds,V: 40 V Idd,A: 195 A Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 84 шт
49 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ 6 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Харків 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB3034PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 343A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB3034PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 343A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 123 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRLB3034PBF; 343A; 40V; 375W; 1,7mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) |
на замовлення 44 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRLB3034PBF | International Rectifier Corporation |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
Транзистор польовий IRLB3034PBF 195A 40V N-ch TO-220 |
на замовлення 25 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRLB3034PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRLB3034PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRLB3034PBF Код товару: 36195
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 84 шт
49 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 116.00 грн |
10+ | 105.60 грн |
IRLB3034PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 264.09 грн |
6+ | 150.20 грн |
17+ | 141.77 грн |
IRLB3034PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 316.91 грн |
6+ | 187.17 грн |
17+ | 170.13 грн |
250+ | 163.69 грн |
IRLB3034PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
167+ | 183.02 грн |
IRLB3034PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
700+ | 136.11 грн |
IRLB3034PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
49+ | 253.78 грн |
54+ | 229.38 грн |
100+ | 213.92 грн |
500+ | 182.75 грн |
1000+ | 157.60 грн |
2000+ | 147.81 грн |
IRLB3034PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
795+ | 147.76 грн |
IRLB3034PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
167+ | 183.02 грн |
IRLB3034PBF; 343A; 40V; 375W; 1,7mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) |
на замовлення 44 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 216.13 грн |
IRLB3034PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET N-CH 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 30 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
Транзистор польовий IRLB3034PBF 195A 40V N-ch TO-220 |
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 108.32 грн |
IRLB3034PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLB3034PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLB3034PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLB3034PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.