Результат пошуку "IRLB3034PBF" : 12
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 41
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLB3034PBF Код товару: 36195
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 40 V Idd,A: 195 A Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 247 шт
212 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ 6 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Харків 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB3034PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 343A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB3034PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 343A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB3034PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRLB3034PBF; 343A; 40V; 375W; 1,7mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | International Rectifier Corporation |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
Транзистор польовий IRLB3034PBF 195A 40V N-ch TO-220 |
на замовлення 25 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | Vishay / Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLB3034PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRLB3034PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRLB3034PBF Код товару: 36195
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 247 шт
212 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 116.00 грн |
10+ | 105.60 грн |
IRLB3034PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 236.10 грн |
6+ | 156.25 грн |
17+ | 148.28 грн |
IRLB3034PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 283.31 грн |
6+ | 194.71 грн |
17+ | 177.94 грн |
200+ | 172.20 грн |
IRLB3034PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
MOSFETs MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 369.65 грн |
10+ | 240.27 грн |
100+ | 163.78 грн |
500+ | 146.18 грн |
1000+ | 123.98 грн |
2000+ | 120.15 грн |
5000+ | 116.33 грн |
IRLB3034PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
41+ | 299.96 грн |
50+ | 264.81 грн |
100+ | 235.39 грн |
500+ | 222.25 грн |
1000+ | 201.41 грн |
2000+ | 174.44 грн |
IRLB3034PBF; 343A; 40V; 375W; 1,7mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт) |
на замовлення 28 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 217.17 грн |
IRLB3034PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET N-CH 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 30 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
Транзистор польовий IRLB3034PBF 195A 40V N-ch TO-220 |
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 108.84 грн |
IRLB3034PBF |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs Discrete Semiconductor Products - MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB - MOSFETs - Single
MOSFETs Discrete Semiconductor Products - MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB - MOSFETs - Single
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLB3034PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLB3034PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
MOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.