Результат пошуку "MJE15032G" : 18
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 217
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJE15032G (транзистор біполярний NPN) Код товару: 28060 |
ON |
![]() Корпус: TO-220 fT: 30 MHz Uceo,V: 250 V Ucbo,V: 250 V Ic,A: 8 А h21: 70 Монтаж: THT |
у наявності: 64 шт
|
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15032G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15032G | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15032G | onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 50 W |
на замовлення 537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15032G | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15032G | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15032G | onsemi |
![]() |
на замовлення 9097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15032G | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MJE15032GMJE15033G |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
MJE15031G | onsemi |
![]() |
на замовлення 17636 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15033G | onsemi |
![]() |
на замовлення 8893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15032G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 488 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15032G | ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
MJE15032G | Diodes Incorporated |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
MJE15032G | ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MJE15032 | onsemi |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
NTE2666 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220 Mounting: THT |
товар відсутній |
MJE15032G (транзистор біполярний NPN) Код товару: 28060 |
![]() |
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250 V
Ucbo,V: 250 V
Ic,A: 8 А
h21: 70
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250 V
Ucbo,V: 250 V
Ic,A: 8 А
h21: 70
Монтаж: THT
у наявності: 64 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 26.5 грн |
10+ | 23 грн |
MJE15032G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 97.1 грн |
10+ | 76.97 грн |
13+ | 65.97 грн |
36+ | 62.31 грн |
100+ | 60.84 грн |
250+ | 60.11 грн |
MJE15032G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 127.09 грн |
10+ | 94.73 грн |
100+ | 72.86 грн |
500+ | 49.85 грн |
1000+ | 45.06 грн |
MJE15032G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
Description: TRANS NPN 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 105.81 грн |
50+ | 81.8 грн |
100+ | 67.31 грн |
500+ | 53.45 грн |
MJE15032G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 47.95 грн |
MJE15032G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 79.53 грн |
12+ | 52.36 грн |
100+ | 51.84 грн |
500+ | 49.49 грн |
700+ | 41.78 грн |
MJE15032G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
на замовлення 9097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 113.3 грн |
10+ | 90.64 грн |
100+ | 64.39 грн |
500+ | 54.54 грн |
700+ | 46.8 грн |
MJE15032G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
217+ | 56.36 грн |
219+ | 55.8 грн |
500+ | 55.24 грн |
700+ | 48.57 грн |
MJE15031G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP
Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP
на замовлення 17636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 114.12 грн |
10+ | 92.25 грн |
100+ | 61.57 грн |
500+ | 53.06 грн |
700+ | 42.93 грн |
MJE15033G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP
Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP
на замовлення 8893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 117.4 грн |
10+ | 93.87 грн |
100+ | 66.78 грн |
500+ | 56.65 грн |
700+ | 52.35 грн |
2800+ | 50.03 грн |
5600+ | 48.63 грн |
MJE15032G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.52 грн |
10+ | 95.91 грн |
13+ | 79.17 грн |
36+ | 74.77 грн |
100+ | 73.01 грн |
250+ | 72.13 грн |
MJE15032G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15032G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
NTE2666 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220
Mounting: THT
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220
Mounting: THT
товар відсутній