Результат пошуку "MJE15032G" : 13
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJE15032G (біполярний транзистор NPN) Код товару: 28060
Додати до обраних
Обраний товар
|
ON |
Транзистори > Біполярні NPNКорпус: TO-220 Гранична частота fT: 30 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 250 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 250 В Струм колектора Ic, А: 8 А Коефіцієнт передачі струму h21: 70 Монтаж: THT |
у наявності: 73 шт
|
|
||||||||||||||
|
MJE15032G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJE15032G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MJE15032G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJE15032G | onsemi |
Description: TRANS NPN 250V 8A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 50 W |
на замовлення 7715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJE15032G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJE15032G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJE15032G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN |
на замовлення 13856 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MJE15032GMJE15033G |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MJE15032G | ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot,Вт = 2, VCEO,В = 250, Ic = 8 А, Тип монт. = выводной, ft,МГц =30, hFE = 10 @ 2A, 5В, VCEO(sat),В = 0.5 @ 100 мA, 1A, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
MJE15032G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MJE15032G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJE15032G | On Semiconductor |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MJE15032G (біполярний транзистор NPN) Код товару: 28060
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Гранична частота fT: 30 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 250 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 250 В
Струм колектора Ic, А: 8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 70
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
Гранична частота fT: 30 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 250 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 250 В
Струм колектора Ic, А: 8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 70
Монтаж: THT
у наявності: 73 шт
- 63 шт - склад
- 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 26.50 грн |
| 10+ | 23.00 грн |
| MJE15032G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 165.49 грн |
| MJE15032G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJE15032G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 84.06 грн |
| 50+ | 83.22 грн |
| 100+ | 82.39 грн |
| 500+ | 78.64 грн |
| 1000+ | 72.09 грн |
| MJE15032G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
Description: TRANS NPN 250V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 7715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 219.01 грн |
| 50+ | 104.81 грн |
| 100+ | 94.47 грн |
| 500+ | 71.64 грн |
| 1000+ | 66.18 грн |
| 2000+ | 61.58 грн |
| 5000+ | 55.74 грн |
| MJE15032G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 102+ | 144.76 грн |
| 250+ | 90.64 грн |
| 500+ | 88.80 грн |
| 1000+ | 82.98 грн |
| MJE15032G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 175+ | 83.78 грн |
| 177+ | 82.94 грн |
| 179+ | 82.11 грн |
| 500+ | 78.39 грн |
| 1000+ | 71.85 грн |
| MJE15032G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
на замовлення 13856 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 202.76 грн |
| 10+ | 108.15 грн |
| 100+ | 69.22 грн |
| 500+ | 57.63 грн |
| 700+ | 53.87 грн |
| MJE15032GMJE15033G |
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| MJE15032G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot,Вт = 2, VCEO,В = 250, Ic = 8 А, Тип монт. = выводной, ft,МГц =30, hFE = 10 @ 2A, 5В, VCEO(sat),В = 0.5 @ 100 мA, 1A, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Транзистор NPN, Ptot,Вт = 2, VCEO,В = 250, Ic = 8 А, Тип монт. = выводной, ft,МГц =30, hFE = 10 @ 2A, 5В, VCEO(sat),В = 0.5 @ 100 мA, 1A, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MJE15032G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MJE15032G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.








