Результат пошуку "MJE15032G" : 18

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
MJE15032G (транзистор біполярний NPN) MJE15032G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 28060
ON MJE15032,15033.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250 V
Ucbo,V: 250 V
Ic,A: 8 А
h21: 70
Монтаж: THT
у наявності: 115 шт
1+26.5 грн
10+ 23 грн
MJE15032G MJE15032G ONSEMI MJE15033.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.69 грн
5+ 80.03 грн
10+ 71.22 грн
13+ 61.04 грн
36+ 57.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE15032G MJE15032G ON Semiconductor mje15032-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+52.79 грн
12+ 50.19 грн
100+ 46.79 грн
500+ 44.66 грн
700+ 38.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJE15032G MJE15032G ONSEMI ONSM-S-A0014421682-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.87 грн
10+ 89.11 грн
100+ 62.89 грн
500+ 45.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15032G MJE15032G ON Semiconductor mje15032-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15032G MJE15032G onsemi MJE15032_D-2315972.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
на замовлення 37230 шт:
термін постачання 297-306 дні (днів)
3+104.83 грн
10+ 83.87 грн
100+ 59.58 грн
500+ 50.46 грн
700+ 43.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15032GMJE15033G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15031G MJE15031G onsemi MJE15028_D-2315691.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP
на замовлення 13460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.83 грн
10+ 83.87 грн
100+ 58.02 грн
500+ 49.88 грн
700+ 39.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15033G MJE15033G onsemi MJE15032_D-2315972.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP
на замовлення 8343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.43 грн
10+ 97.34 грн
100+ 67.07 грн
250+ 65.76 грн
500+ 55.67 грн
700+ 44.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15032G MJE15032G ONSEMI MJE15033.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+99.74 грн
10+ 85.46 грн
13+ 73.25 грн
36+ 69.18 грн
250+ 68.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15032G MJE15032G ON Semiconductor mje15032-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15032G MJE15032G ON Semiconductor mje15032-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15032G MJE15032G onsemi mje15032-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
NTE2666 NTE2666 NTE Electronics nte2666_67.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220
Mounting: THT
товар відсутній
MJE15032G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 28060
MJE15032,15033.pdf
MJE15032G (транзистор біполярний NPN)
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250 V
Ucbo,V: 250 V
Ic,A: 8 А
h21: 70
Монтаж: THT
у наявності: 115 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+26.5 грн
10+ 23 грн
MJE15032G MJE15033.PDF
MJE15032G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.69 грн
5+ 80.03 грн
10+ 71.22 грн
13+ 61.04 грн
36+ 57.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE15032G mje15032-d.pdf
MJE15032G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+52.79 грн
12+ 50.19 грн
100+ 46.79 грн
500+ 44.66 грн
700+ 38.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJE15032G ONSM-S-A0014421682-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJE15032G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+116.87 грн
10+ 89.11 грн
100+ 62.89 грн
500+ 45.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15032G mje15032-d.pdf
MJE15032G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15032G MJE15032_D-2315972.pdf
MJE15032G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
на замовлення 37230 шт:
термін постачання 297-306 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.83 грн
10+ 83.87 грн
100+ 59.58 грн
500+ 50.46 грн
700+ 43.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15032GMJE15033G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15031G MJE15028_D-2315691.pdf
MJE15031G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP
на замовлення 13460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.83 грн
10+ 83.87 грн
100+ 58.02 грн
500+ 49.88 грн
700+ 39.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15033G MJE15032_D-2315972.pdf
MJE15033G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP
на замовлення 8343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.43 грн
10+ 97.34 грн
100+ 67.07 грн
250+ 65.76 грн
500+ 55.67 грн
700+ 44.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15032G MJE15033.PDF
MJE15032G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.74 грн
10+ 85.46 грн
13+ 73.25 грн
36+ 69.18 грн
250+ 68.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15032G mje15032-d.pdf
MJE15032G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15032G mje15032-d.pdf
MJE15032G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE15032G mje15032-d.pdf
MJE15032G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
NTE2666 nte2666_67.pdf
NTE2666
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220
Mounting: THT
товар відсутній