Результат пошуку "dmc3021" : 33

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 Diodes Zetex dmc3021lk4.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 Diodes Zetex dmc3021lk4.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated DMC3021LK4_Rev6-3_May2021.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 67506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated DMC3021LK4_Rev6-3_May2021.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V,TO252,2.5K
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.30 грн
10+60.28 грн
100+44.33 грн
1000+36.91 грн
2500+14.83 грн
5000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 DIODES INC. DIODS21602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3021LK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 14 A, 14 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.57 грн
500+31.12 грн
1000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 DIODES INC. DIODS21602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3021LK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 14 A, 14 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.33 грн
20+43.28 грн
100+36.57 грн
500+31.12 грн
1000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated DMC3021LK4_Rev6-3_May2021.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.18 грн
5000+13.19 грн
7500+12.62 грн
12500+11.18 грн
17500+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B4177EE3A31BF&compId=DMC3021LSD-13.pdf?ci_sign=7077910c249d2c8319aabed39f68a0f2f03c40ef Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 7/-8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+55.16 грн
11+37.27 грн
25+30.49 грн
50+25.92 грн
64+14.66 грн
174+13.87 грн
2500+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B4177EE3A31BF&compId=DMC3021LSD-13.pdf?ci_sign=7077910c249d2c8319aabed39f68a0f2f03c40ef Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 7/-8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.19 грн
10+46.44 грн
25+36.59 грн
50+31.11 грн
64+17.59 грн
174+16.64 грн
2500+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Incorporated ds32152.pdf MOSFETs MOSFET COMP PAIR
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.01 грн
10+39.06 грн
100+22.09 грн
500+16.87 грн
1000+15.13 грн
2500+12.93 грн
5000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Incorporated ds32152.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.00 грн
5000+12.36 грн
7500+11.78 грн
12500+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009865585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.58 грн
500+19.54 грн
1000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Incorporated ds32152.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 45516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.91 грн
10+35.38 грн
100+22.88 грн
500+16.43 грн
1000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009865585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.39 грн
50+42.43 грн
100+27.58 грн
500+19.54 грн
1000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Zetex ds32152.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 DIODES/ZETEX ds32152.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-7 DMC3021LSD TDMC3021LSD
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMC3021LSDQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET
Type of transistor: N/P-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004145098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.23 грн
500+22.85 грн
1000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004145098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.83 грн
18+48.96 грн
100+31.23 грн
500+22.85 грн
1000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 Diodes Incorporated DMC3021LSDQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 Diodes Incorporated ds32152.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 30V Comp Pair
на замовлення 33397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.60 грн
10+45.15 грн
100+24.96 грн
500+19.74 грн
1000+17.17 грн
2500+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 Diodes Zetex dmc3021lsdq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.32 грн
5000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 Diodes Incorporated DMC3021LSDQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.91 грн
10+40.82 грн
100+26.58 грн
500+19.19 грн
1000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 Diodes Zetex dmc3021lsdq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.08 грн
5000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13
Код товару: 88668
Додати до обраних Обраний товар

ds32152.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B3F437BC251BF&compId=DMC3021LK4-13.pdf?ci_sign=4d61fa8e2334dfe31eddc6f1e5b25ffcc531047d Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO252-4
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Power dissipation: 2.75W
Drain current: 6.8/-9.4A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 Diodes Zetex dmc3021lk4.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Zetex ds32152.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Zetex ds32152.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 Diodes Zetex dmc3021lsdq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B3F437BC251BF&compId=DMC3021LK4-13.pdf?ci_sign=4d61fa8e2334dfe31eddc6f1e5b25ffcc531047d Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO252-4
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Power dissipation: 2.75W
Drain current: 6.8/-9.4A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 dmc3021lk4.pdf
DMC3021LK4-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 dmc3021lk4.pdf
DMC3021LK4-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4_Rev6-3_May2021.pdf
DMC3021LK4-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 67506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4_Rev6-3_May2021.pdf
DMC3021LK4-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V,TO252,2.5K
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.30 грн
10+60.28 грн
100+44.33 грн
1000+36.91 грн
2500+14.83 грн
5000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 DIODS21602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3021LK4-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 14 A, 14 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.57 грн
500+31.12 грн
1000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 DIODS21602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3021LK4-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 14 A, 14 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.33 грн
20+43.28 грн
100+36.57 грн
500+31.12 грн
1000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4_Rev6-3_May2021.pdf
DMC3021LK4-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.18 грн
5000+13.19 грн
7500+12.62 грн
12500+11.18 грн
17500+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B4177EE3A31BF&compId=DMC3021LSD-13.pdf?ci_sign=7077910c249d2c8319aabed39f68a0f2f03c40ef
DMC3021LSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 7/-8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.16 грн
11+37.27 грн
25+30.49 грн
50+25.92 грн
64+14.66 грн
174+13.87 грн
2500+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B4177EE3A31BF&compId=DMC3021LSD-13.pdf?ci_sign=7077910c249d2c8319aabed39f68a0f2f03c40ef
DMC3021LSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 7/-8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.19 грн
10+46.44 грн
25+36.59 грн
50+31.11 грн
64+17.59 грн
174+16.64 грн
2500+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET COMP PAIR
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.01 грн
10+39.06 грн
100+22.09 грн
500+16.87 грн
1000+15.13 грн
2500+12.93 грн
5000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.00 грн
5000+12.36 грн
7500+11.78 грн
12500+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 DIOD-S-A0009865585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3021LSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.58 грн
500+19.54 грн
1000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 45516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.91 грн
10+35.38 грн
100+22.88 грн
500+16.43 грн
1000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 DIOD-S-A0009865585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3021LSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+63.39 грн
50+42.43 грн
100+27.58 грн
500+19.54 грн
1000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
Виробник: DIODES/ZETEX
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-7 DMC3021LSD TDMC3021LSD
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET
Type of transistor: N/P-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 DIOD-S-A0004145098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3021LSDQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.23 грн
500+22.85 грн
1000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 DIOD-S-A0004145098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3021LSDQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.83 грн
18+48.96 грн
100+31.23 грн
500+22.85 грн
1000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ.pdf
DMC3021LSDQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 ds32152.pdf
DMC3021LSDQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 30V Comp Pair
на замовлення 33397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.60 грн
10+45.15 грн
100+24.96 грн
500+19.74 грн
1000+17.17 грн
2500+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 dmc3021lsdq.pdf
DMC3021LSDQ-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.32 грн
5000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ.pdf
DMC3021LSDQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.91 грн
10+40.82 грн
100+26.58 грн
500+19.19 грн
1000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 dmc3021lsdq.pdf
DMC3021LSDQ-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.08 грн
5000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13
Код товару: 88668
Додати до обраних Обраний товар

ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B3F437BC251BF&compId=DMC3021LK4-13.pdf?ci_sign=4d61fa8e2334dfe31eddc6f1e5b25ffcc531047d
DMC3021LK4-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO252-4
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Power dissipation: 2.75W
Drain current: 6.8/-9.4A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 dmc3021lk4.pdf
DMC3021LK4-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSDQ-13 dmc3021lsdq.pdf
DMC3021LSDQ-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LK4-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B3F437BC251BF&compId=DMC3021LK4-13.pdf?ci_sign=4d61fa8e2334dfe31eddc6f1e5b25ffcc531047d
DMC3021LK4-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: TO252-4
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Power dissipation: 2.75W
Drain current: 6.8/-9.4A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.