Результат пошуку "dmc3021" : 37

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 DIODES INC. DIODS21602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3021LK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 14 A, 14 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.37 грн
500+ 19.06 грн
1000+ 14.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated DMC3021LK4_Rev6-3_May2021.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.2 грн
5000+ 13.43 грн
7500+ 12.81 грн
12500+ 11.37 грн
17500+ 10.99 грн
25000+ 10.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 DIODES INC. DIODS21602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3021LK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 14 A, 14 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.6 грн
19+ 42 грн
100+ 26.37 грн
500+ 19.06 грн
1000+ 14.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated DMC3021LK4_Rev6-3_May2021.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 97200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.66 грн
10+ 36.94 грн
100+ 23.98 грн
500+ 17.27 грн
1000+ 15.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated DIODS21602_1-2512497.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V,TO252,2.5K
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.81 грн
10+ 38.68 грн
100+ 23.43 грн
500+ 18.23 грн
1000+ 14.85 грн
2500+ 12.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 Diodes Zetex dmc3021lk4.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 DIODES INCORPORATED DMC3021LSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Zetex ds32152.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Zetex ds32152.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009865585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.71 грн
50+ 30 грн
100+ 23.29 грн
500+ 16.93 грн
Мінімальне замовлення: 22
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Incorporated ds32152.pdf MOSFETs MOSFET COMP PAIR
на замовлення 16997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.21 грн
10+ 33.75 грн
100+ 20.69 грн
500+ 16.4 грн
1000+ 12.67 грн
2500+ 11.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Zetex ds32152.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Incorporated ds32152.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 367500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.93 грн
5000+ 11.82 грн
12500+ 10.97 грн
25000+ 10.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Zetex ds32152.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
913+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 913
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Incorporated ds32152.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 368731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.06 грн
10+ 31.59 грн
100+ 21.94 грн
500+ 16.08 грн
1000+ 13.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009865585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.29 грн
500+ 16.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Zetex ds32152.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
611+12.4 грн
1000+ 11.34 грн
2500+ 10.46 грн
Мінімальне замовлення: 611
DMC3021LSD-13 DIODES/ZETEX ds32152.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-7 DMC3021LSD TDMC3021LSD
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 568 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
DMC3021LSD-13 DIODES/ZETEX ds32152.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-7 DMC3021LSD TDMC3021LSD
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 Diodes Zetex dmc3021lsdq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004145098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.66 грн
500+ 19.94 грн
1000+ 12.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 Diodes Incorporated DMC3021LSDQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.2 грн
5000+ 13.86 грн
12500+ 13.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004145098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.71 грн
20+ 40.97 грн
100+ 25.66 грн
500+ 19.94 грн
1000+ 12.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 Diodes Incorporated DMC3021LSDQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 30V Comp Pair
на замовлення 40746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.25 грн
10+ 37.87 грн
100+ 22.87 грн
500+ 19.07 грн
1000+ 16.26 грн
2500+ 13.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 Diodes Incorporated DMC3021LSDQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 98639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.58 грн
10+ 33.35 грн
100+ 23.1 грн
500+ 18.12 грн
1000+ 15.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13
Код товару: 88668 		ds32152.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 DIODES INCORPORATED DMC3021LK4-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-9.4A
Power dissipation: 2.75W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 Diodes Inc dmc3021lk4.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 Diodes Zetex dmc3021lk4.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 DIODES INCORPORATED DMC3021LSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Zetex ds32152.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Inc ds32152.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 Diodes Zetex dmc3021lsdq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 Diodes Inc dmc3021lsdq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 DIODES INCORPORATED DMC3021LK4-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-9.4A
Power dissipation: 2.75W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMC3021LK4-13 DIODS21602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3021LK4-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 14 A, 14 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+26.37 грн
500+ 19.06 грн
1000+ 14.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4_Rev6-3_May2021.pdf
DMC3021LK4-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.2 грн
5000+ 13.43 грн
7500+ 12.81 грн
12500+ 11.37 грн
17500+ 10.99 грн
25000+ 10.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMC3021LK4-13 DIODS21602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3021LK4-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 14 A, 14 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+50.6 грн
19+ 42 грн
100+ 26.37 грн
500+ 19.06 грн
1000+ 14.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4_Rev6-3_May2021.pdf
DMC3021LK4-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 97200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.66 грн
10+ 36.94 грн
100+ 23.98 грн
500+ 17.27 грн
1000+ 15.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMC3021LK4-13 DIODS21602_1-2512497.pdf
DMC3021LK4-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V,TO252,2.5K
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+45.81 грн
10+ 38.68 грн
100+ 23.43 грн
500+ 18.23 грн
1000+ 14.85 грн
2500+ 12.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMC3021LK4-13 dmc3021lk4.pdf
DMC3021LK4-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMC3021LSD-13 DIOD-S-A0009865585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3021LSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+36.71 грн
50+ 30 грн
100+ 23.29 грн
500+ 16.93 грн
Мінімальне замовлення: 22
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET COMP PAIR
на замовлення 16997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.21 грн
10+ 33.75 грн
100+ 20.69 грн
500+ 16.4 грн
1000+ 12.67 грн
2500+ 11.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 367500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+12.93 грн
5000+ 11.82 грн
12500+ 10.97 грн
25000+ 10.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
913+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 913
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 368731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.06 грн
10+ 31.59 грн
100+ 21.94 грн
500+ 16.08 грн
1000+ 13.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMC3021LSD-13 DIOD-S-A0009865585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3021LSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+23.29 грн
500+ 16.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
611+12.4 грн
1000+ 11.34 грн
2500+ 10.46 грн
Мінімальне замовлення: 611
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
Виробник: DIODES/ZETEX
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-7 DMC3021LSD TDMC3021LSD
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 568 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
Виробник: DIODES/ZETEX
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-7 DMC3021LSD TDMC3021LSD
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
DMC3021LSDQ-13 dmc3021lsdq.pdf
DMC3021LSDQ-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMC3021LSDQ-13 DIOD-S-A0004145098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3021LSDQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.66 грн
500+ 19.94 грн
1000+ 12.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ.pdf
DMC3021LSDQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.2 грн
5000+ 13.86 грн
12500+ 13.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMC3021LSDQ-13 DIOD-S-A0004145098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3021LSDQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+48.71 грн
20+ 40.97 грн
100+ 25.66 грн
500+ 19.94 грн
1000+ 12.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ.pdf
DMC3021LSDQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 30V Comp Pair
на замовлення 40746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.25 грн
10+ 37.87 грн
100+ 22.87 грн
500+ 19.07 грн
1000+ 16.26 грн
2500+ 13.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ.pdf
DMC3021LSDQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 98639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.58 грн
10+ 33.35 грн
100+ 23.1 грн
500+ 18.12 грн
1000+ 15.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMC3021LSD-13
Код товару: 88668		 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13.pdf
DMC3021LK4-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-9.4A
Power dissipation: 2.75W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMC3021LK4-13 dmc3021lk4.pdf
DMC3021LK4-13
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMC3021LK4-13 dmc3021lk4.pdf
DMC3021LK4-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMC3021LSDQ-13 dmc3021lsdq.pdf
DMC3021LSDQ-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMC3021LSDQ-13 dmc3021lsdq.pdf
DMC3021LSDQ-13
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13.pdf
DMC3021LK4-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-9.4A
Power dissipation: 2.75W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній