Результат пошуку "p24nf10" : 8
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP24NF10 Код товару: 1289
Додати до обраних
Обраний товар
|
ST |
![]() Uds,V: 100 V Idd,A: 26 A Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 870/30 Монтаж: THT |
у наявності: 9 шт
6 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Львів |
|
||||||||||
![]() |
STP24NF10 Код товару: 196973
Додати до обраних
Обраний товар
|
JSMICRO |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 26 A Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 870/30 Монтаж: THT |
у наявності: 97 шт
79 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||
![]() |
STP24NF10 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STP24NF10 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 52 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP24NF10 | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
на замовлення 506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STP24NF10 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 6715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
STP24NF10PB-FREE |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
STP24NF10 Код товару: 1289
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 26 A
Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 870/30
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 26 A
Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 870/30
Монтаж: THT
у наявності: 9 шт
6 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 22.00 грн |
10+ | 19.80 грн |
100+ | 17.90 грн |
STP24NF10 Код товару: 196973
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 26 A
Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 870/30
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 26 A
Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 870/30
Монтаж: THT
у наявності: 97 шт
79 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 21.00 грн |
10+ | 19.00 грн |
100+ | 17.20 грн |
STP24NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 119.66 грн |
6+ | 68.03 грн |
10+ | 50.65 грн |
24+ | 38.55 грн |
STP24NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 18A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 143.60 грн |
5+ | 84.78 грн |
10+ | 60.77 грн |
24+ | 46.26 грн |
64+ | 43.54 грн |
STP24NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 120.89 грн |
50+ | 41.48 грн |
100+ | 40.67 грн |
500+ | 37.42 грн |
STP24NF10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 24 Amp
MOSFETs N-Ch 100 Volt 24 Amp
на замовлення 6715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 139.69 грн |
10+ | 105.98 грн |
25+ | 43.03 грн |