Продукція > STMICROELECTRONICS > Всі товари виробника STMICROELECTRONICS (165600) > Сторінка 1111 з 2760
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NUCLEO-F303K8 | STMicroelectronics |
Налагоджувальна платформа для 32-бітних мікроконтролерів з процесором ARM® Cortex®-M4; Сімейства ІС, що підтр. = STM32F303K8; Комплект = Плата; Board |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NUCLEO-L053R8 | STMicroelectronics |
Налагоджувальна плата для 32-бітних мікроконтролерів з ядром ARM® Cortex®-M0+; Сімейства ІС, що підтр. = STM32L053R8, mbed-Enabled Development; Комплект = Плати; Board |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P-NUCLEO-WB55 | STMicroelectronics |
Налагоджувальна плата для 32-бітних мікроконтролерів з трансівером і Bluetooth; Сімейства ІС, що підтр. = STM32WB55; Комплект = Плати; F = 2,4 ГГц; Board |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STEVAL-IDW001V1 | STMicroelectronics |
Налагоджувальна плата для RF/RFID-рідерів; Комплектність = Плата; Сімейства ІС, що підтр. = SPWF01SA; Тип = 802.11 b/g/n (WiFi, WLAN); F = 2,4 ГГц; Board |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STM32F469I-DISCO | STMicroelectronics |
Налагоджувальний набір; Сімейства ІС, що підтр. = STM32 F4; Kit |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STM8-SO8-DISCO | STMicroelectronics |
Налагоджувальна плата; Сімейства ІС, що підтр. = STM8; Комплект = Плата; Board |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BTA16-600CWRG | STMicroelectronics |
Тиристор (альтерністор) вивідний; Udrm, В = 600; It(rms), А = 16; dIT/dt = 50 А/мкс; dVD/dt = 8,5 В/мкс; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+125; TO-220AB |
на замовлення 335 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BTA16-800BWRG | STMicroelectronics |
Тиристор вивідний; Udrm, В = 800; It(rms), А = 16; Igt, мА = 50; Ih, мА = 50; Тексп, °C = -40...+125; TO-220AB |
на замовлення 40 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SMP100LC-200 | STMicroelectronics |
Тиристор smd; Udrm, В = 200; It(rms), А = 100; Ih, мА = 150; Тексп, °С = -40...+150; SMB |
на замовлення 1413 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SMP100LC-8 | STMicroelectronics |
Тиристор smd; Udrm, В = 8; It(rms), А = 400; Ih, мА = 50; Тексп, °С = -40...+150; C = 75 пФ; SMB |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| T1235-600G | STMicroelectronics |
Симістор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 12; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+125; D2PAK |
на замовлення 25 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| T1235H-600G | STMicroelectronics |
Симістор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 12; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+150; D2PAK |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| T1635-600G-TR | STMicroelectronics |
Симістор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 16; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+125; D2PAK |
на замовлення 490 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TN1215-600B | STMicroelectronics |
Тиристор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 12; dIT/dt = 50; dVD/dt = 200; Igt, мА = 15; Ih, мА = 40; Тексп, °С = -40...+125; D-PAK |
на замовлення 124 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BD139-10 | STMicroelectronics |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BD139-10STU | STMicroelectronics | Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; hFE = 63; Р, Вт = 12,5; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = вивідний; ізольований; TO-126ISO |
на замовлення 100 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BD139-16 | STMicroelectronics |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3) |
на замовлення 590 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BU508D | STMicroelectronics |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 125; Uceo, В = 1 500; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 7; Icutoff-max = 1 мА; Тексп, °С = -65...+150; TO-218 |
на замовлення 60 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MJE340 | STMicroelectronics |
Транзистор NPN; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; hFE = 240 @ Ic = 50 mA, Vce = 10 V; Icutoff-max = 100 мкА; Р, Вт = 20 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MPS2222ARLRAG | STMicroelectronics |
Транзистор NPN; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; ft, МГц = 300; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В@ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 0,625 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-92-3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ST13003-K | STMicroelectronics |
Транзистор NPN; Uceo, В = 400; Ic = 1,5 А; hFE = 5 @ 1 А, 2 В; Icutoff-max = 1 мА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 500 мA, 1,5 A; Р, Вт = 40 Вт; Тексп, °C = -40...+150; Тип монт. = вивідний; SOT-32-3(TO-126-3) |
на замовлення 665 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BD136-16 | STMicroelectronics |
Транзистор PNP; Uceo, В = 45; Ic = 1,5 А; hFE = 40 @ 150 мА, 2 В; Р, Вт = 1,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; SOT-32-3 |
на замовлення 723 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BD140-16 | STMicroelectronics |
Транзистор PNP; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 1,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; SOT-32(TO-126) |
на замовлення 1217 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MJ2955 | STMicroelectronics |
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 115; Uceo, В = 70; Ic = 18; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 3; hFE = 20...70 @ 4 A, 4 V; Icutoff-max = 1 мА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 60 @ 200 mA, 0; Тексп, °С = -65...+200; Комплементарний 2N3055; TO-3 |
на замовлення 24 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BD679A | STMicroelectronics |
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 40; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 80; Ic = 4 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 40; hFE = 750 @ 2 А, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2.8 @ 40 мА, 2 А; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 |
на замовлення 293 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BDX33C | STMicroelectronics |
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 10 А; hFE = 750 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 6 мА, 3 А; Р, Вт = 70 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BDX53C | STMicroelectronics |
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 60; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 750 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2 @ 12 мA, 3 A; Тексп, °С = -65...+150; TO-220-3 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TIP122 | STMicroelectronics |
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 2; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 1000 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 20 мA, 5 A; Тексп, °С = -65...+150; TO-220-3 |
на замовлення 3180 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TIP127 | STMicroelectronics |
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 2; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 1000 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 20 мA, 5 A; Тексп, °С = -65...+150; TO-220-3 |
на замовлення 103 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TIP147G | STMicroelectronics |
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 125; Тип стр. = PNP; Uceo, В = 100; Ic = 10 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 3 @ 40 мA, 10 А; Icutoff-max = 2 мА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 40 мA, 10 А; Тексп, °С = -65...+150; TO-247-3 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ULN2003D1013TR | STMicroelectronics |
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = 7 NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА; Тексп, °С = -40...+85; SOICN-16 |
на замовлення 738 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ULN2803A | STMicroelectronics |
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 2,25; Тип стр. = 8 NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА; Тексп, °С = -20...+85; DIP-18 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ULQ2003D1013TR | STMicroelectronics |
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = 7 NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мкA; Тексп, °C = -40...+105; Тип монт. = вивідний; SOICN-16 |
на замовлення 25 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STB11NK40ZT4 | STMicroelectronics |
N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 9 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 930 @ 25; Qg, нКл = 32 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 4,5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА; D2PAK |
на замовлення 245 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STB9NK50ZT4 | STMicroelectronics |
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 7,2 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 910 @ 25; Qg, нКл = 32 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 3.6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА; D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STD11N50M2 | STMicroelectronics |
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Ciss, пФ @ Uds, В = 395pF @ 100V; Qg, нКл = 12; Rds = 0,53 Ом; Ugs(th) = 25; Р, Вт = 85; Тексп, °C = -55...150; DPAK |
на замовлення 37 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STD5NM60T4 | STMicroelectronics |
N-канальний ПТ; Udss, В = 600; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25; Qg, нКл = 18 @ 10 В; Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; DPAK-3 |
на замовлення 986 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STD7NK40ZT4 | STMicroelectronics |
N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 5,4 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 535 @ 25; Qg, нКл = 26 @ 10 В; Rds = 1 Ом @ 2,7 А, 10 В; Ugs(th) = 4,5V @ 50 мкА; Р, Вт = 70; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK |
на замовлення 1454 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STN4NF03L | STMicroelectronics |
N-канальный ПТ; Udss, В = 30; Id = 6,5 А; Ptot, Вт = 3,3; Тип монт. = smd; Qg, нКл = 9; Rds = 50 мОм @ 2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 10 D; Входная ёмкость = 330 пФ @ 25 В; SOT-223 |
на замовлення 1664 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| VNS1NV04DP-E | STMicroelectronics |
N-канальний ПТ OMNIFET II; Id = 1,7 А; Ptot, Вт = 4; Udss, В = 40; Тип монт. = smd; Rds = 250 мОм; Tексп, °C = -40...+150; SOIC-8 |
на замовлення 40 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STFW4N150 | STMicroelectronics |
N-канальний ПТ; Udss, В = 1 500; Id = 4 A; Ptot, Вт = 63; Тип монт. = вивідний; Qg, нКл = 30; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В; TO-220AB |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STL42P4LLF6 | STMicroelectronics |
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 42 А; Ptot, Вт = 75; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 2850 @ 25; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 18 мОм @ 5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; PowerVDFN-8 |
на замовлення 27 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STN3P6F6 | STMicroelectronics |
P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 48; Qg, нКл = 6,4 @ 10 В; Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,6; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-223 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 1.5KE100CA | STMicroelectronics |
1.5KE100CA Bidirectional TVS THT diodes |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
1.5KE120A | STMicroelectronics |
Category: Unidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 1.5kW; 120V; 9.1A; unidirectional; DO201; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 102V Breakdown voltage: 120V Max. forward impulse current: 9.1A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO201 Mounting: THT Leakage current: 1µA Peak pulse power dissipation: 1.5kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1.5KE12CA | STMicroelectronics |
Category: Bidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 12V; 90A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 10.2V Breakdown voltage: 12V Max. forward impulse current: 90A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO201 Mounting: THT Leakage current: 5µA Peak pulse power dissipation: 1.5kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1603 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1.5KE150A | STMicroelectronics |
Category: Unidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 1.5kW; 150V; 7.2A; unidirectional; DO201; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 128V Breakdown voltage: 150V Max. forward impulse current: 7.2A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO201 Mounting: THT Leakage current: 1µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3977 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1.5KE15A | STMicroelectronics |
Category: Unidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 1.5kW; 15V; 71A; unidirectional; DO201; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 12.8V Breakdown voltage: 15V Max. forward impulse current: 71A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO201 Mounting: THT Leakage current: 1µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 484 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 1.5KE15CA | STMicroelectronics |
1.5KE15CA Bidirectional TVS THT diodes |
на замовлення 74 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
1.5KE180A | STMicroelectronics |
Category: Unidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 1.5kW; 180V; 6.1A; unidirectional; DO201; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 154V Breakdown voltage: 180V Max. forward impulse current: 6.1A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO201 Mounting: THT Leakage current: 1µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 416 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1.5KE180CA | STMicroelectronics |
Category: Bidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 180V; 31.5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 154V Breakdown voltage: 180V Max. forward impulse current: 31.5A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO201 Mounting: THT Leakage current: 1µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1.5KE18A | STMicroelectronics |
Category: Unidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; DO201; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 15.3V Breakdown voltage: 18V Max. forward impulse current: 59.5A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO201 Mounting: THT Leakage current: 1µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 114 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1.5KE18CA | STMicroelectronics |
Category: Bidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 18V; 59.5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 15.3V Breakdown voltage: 18V Max. forward impulse current: 59.5A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO201 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Leakage current: 1µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 358 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1.5KE200A | STMicroelectronics |
Category: Unidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 1.5kW; 200V; 5.5A; unidirectional; DO201; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 171V Breakdown voltage: 200V Max. forward impulse current: 5.5A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO201 Mounting: THT Leakage current: 1µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1376 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1.5KE200CA | STMicroelectronics |
Category: Bidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 200V; 5.5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 171V Breakdown voltage: 200V Max. forward impulse current: 5.5A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO201 Mounting: THT Leakage current: 1µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 517 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1.5KE220A | STMicroelectronics |
Category: Unidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 1.5kW; 220V; 4.6A; unidirectional; DO201; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 188V Breakdown voltage: 220V Max. forward impulse current: 4.6A Semiconductor structure: unidirectional Case: DO201 Mounting: THT Leakage current: 1µA Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 447 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1.5KE220CA | STMicroelectronics |
Category: Bidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 220V; 4.6A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack Case: DO201 Mounting: THT Type of diode: TVS Leakage current: 1µA Max. forward impulse current: 4.6A Max. off-state voltage: 188V Breakdown voltage: 220V Peak pulse power dissipation: 1.5kW Kind of package: Ammo Pack Semiconductor structure: bidirectional кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 703 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1.5KE24CA | STMicroelectronics |
Category: Bidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 24V; 45A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 20.5V Breakdown voltage: 24V Max. forward impulse current: 45A Semiconductor structure: bidirectional Case: DO201 Mounting: THT Leakage current: 1µA Peak pulse power dissipation: 1.5kW Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 171 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1.5KE250A | STMicroelectronics |
Category: Unidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 1.5kW; 250V; 5A; unidirectional; DO201; Ammo Pack Type of diode: TVS Semiconductor structure: unidirectional Case: DO201 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Leakage current: 1µA Max. forward impulse current: 5A Max. off-state voltage: 213V Breakdown voltage: 250V Peak pulse power dissipation: 1.5kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 199 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1.5KE250CA | STMicroelectronics |
Category: Bidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 250V; 5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack Mounting: THT Type of diode: TVS Leakage current: 1µA Max. forward impulse current: 5A Max. off-state voltage: 213V Breakdown voltage: 250V Peak pulse power dissipation: 1.5kW Kind of package: Ammo Pack Semiconductor structure: bidirectional Case: DO201 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1407 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| NUCLEO-F303K8 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Налагоджувальна платформа для 32-бітних мікроконтролерів з процесором ARM® Cortex®-M4; Сімейства ІС, що підтр. = STM32F303K8; Комплект = Плата; Board
Налагоджувальна платформа для 32-бітних мікроконтролерів з процесором ARM® Cortex®-M4; Сімейства ІС, що підтр. = STM32F303K8; Комплект = Плата; Board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NUCLEO-L053R8 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Налагоджувальна плата для 32-бітних мікроконтролерів з ядром ARM® Cortex®-M0+; Сімейства ІС, що підтр. = STM32L053R8, mbed-Enabled Development; Комплект = Плати; Board
Налагоджувальна плата для 32-бітних мікроконтролерів з ядром ARM® Cortex®-M0+; Сімейства ІС, що підтр. = STM32L053R8, mbed-Enabled Development; Комплект = Плати; Board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| P-NUCLEO-WB55 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Налагоджувальна плата для 32-бітних мікроконтролерів з трансівером і Bluetooth; Сімейства ІС, що підтр. = STM32WB55; Комплект = Плати; F = 2,4 ГГц; Board
Налагоджувальна плата для 32-бітних мікроконтролерів з трансівером і Bluetooth; Сімейства ІС, що підтр. = STM32WB55; Комплект = Плати; F = 2,4 ГГц; Board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STEVAL-IDW001V1 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Налагоджувальна плата для RF/RFID-рідерів; Комплектність = Плата; Сімейства ІС, що підтр. = SPWF01SA; Тип = 802.11 b/g/n (WiFi, WLAN); F = 2,4 ГГц; Board
Налагоджувальна плата для RF/RFID-рідерів; Комплектність = Плата; Сімейства ІС, що підтр. = SPWF01SA; Тип = 802.11 b/g/n (WiFi, WLAN); F = 2,4 ГГц; Board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STM32F469I-DISCO |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Налагоджувальний набір; Сімейства ІС, що підтр. = STM32 F4; Kit
Налагоджувальний набір; Сімейства ІС, що підтр. = STM32 F4; Kit
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STM8-SO8-DISCO |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Налагоджувальна плата; Сімейства ІС, що підтр. = STM8; Комплект = Плата; Board
Налагоджувальна плата; Сімейства ІС, що підтр. = STM8; Комплект = Плата; Board
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BTA16-600CWRG | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Тиристор (альтерністор) вивідний; Udrm, В = 600; It(rms), А = 16; dIT/dt = 50 А/мкс; dVD/dt = 8,5 В/мкс; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+125; TO-220AB
Тиристор (альтерністор) вивідний; Udrm, В = 600; It(rms), А = 16; dIT/dt = 50 А/мкс; dVD/dt = 8,5 В/мкс; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+125; TO-220AB
на замовлення 335 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BTA16-800BWRG | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Тиристор вивідний; Udrm, В = 800; It(rms), А = 16; Igt, мА = 50; Ih, мА = 50; Тексп, °C = -40...+125; TO-220AB
Тиристор вивідний; Udrm, В = 800; It(rms), А = 16; Igt, мА = 50; Ih, мА = 50; Тексп, °C = -40...+125; TO-220AB
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SMP100LC-200 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Тиристор smd; Udrm, В = 200; It(rms), А = 100; Ih, мА = 150; Тексп, °С = -40...+150; SMB
Тиристор smd; Udrm, В = 200; It(rms), А = 100; Ih, мА = 150; Тексп, °С = -40...+150; SMB
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SMP100LC-8 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Тиристор smd; Udrm, В = 8; It(rms), А = 400; Ih, мА = 50; Тексп, °С = -40...+150; C = 75 пФ; SMB
Тиристор smd; Udrm, В = 8; It(rms), А = 400; Ih, мА = 50; Тексп, °С = -40...+150; C = 75 пФ; SMB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| T1235-600G |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Симістор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 12; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+125; D2PAK
Симістор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 12; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+125; D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| T1235H-600G | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Симістор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 12; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+150; D2PAK
Симістор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 12; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+150; D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| T1635-600G-TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Симістор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 16; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+125; D2PAK
Симістор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 16; Igt, мА = 35; Ih, мА = 35; Тексп, °С = -40...+125; D2PAK
на замовлення 490 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TN1215-600B |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Тиристор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 12; dIT/dt = 50; dVD/dt = 200; Igt, мА = 15; Ih, мА = 40; Тексп, °С = -40...+125; D-PAK
Тиристор smd; Udrm, В = 600; It(rms), А = 12; dIT/dt = 50; dVD/dt = 200; Igt, мА = 15; Ih, мА = 40; Тексп, °С = -40...+125; D-PAK
на замовлення 124 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BD139-10 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BD139-10STU |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; hFE = 63; Р, Вт = 12,5; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = вивідний; ізольований; TO-126ISO
Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; hFE = 63; Р, Вт = 12,5; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = вивідний; ізольований; TO-126ISO
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BD139-16 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BU508D | ![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 125; Uceo, В = 1 500; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 7; Icutoff-max = 1 мА; Тексп, °С = -65...+150; TO-218
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 125; Uceo, В = 1 500; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 7; Icutoff-max = 1 мА; Тексп, °С = -65...+150; TO-218
на замовлення 60 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MJE340 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; hFE = 240 @ Ic = 50 mA, Vce = 10 V; Icutoff-max = 100 мкА; Р, Вт = 20 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3
Транзистор NPN; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; hFE = 240 @ Ic = 50 mA, Vce = 10 V; Icutoff-max = 100 мкА; Р, Вт = 20 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MPS2222ARLRAG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; ft, МГц = 300; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В@ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 0,625 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-92-3
Транзистор NPN; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; ft, МГц = 300; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В@ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 0,625 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-92-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ST13003-K |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Uceo, В = 400; Ic = 1,5 А; hFE = 5 @ 1 А, 2 В; Icutoff-max = 1 мА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 500 мA, 1,5 A; Р, Вт = 40 Вт; Тексп, °C = -40...+150; Тип монт. = вивідний; SOT-32-3(TO-126-3)
Транзистор NPN; Uceo, В = 400; Ic = 1,5 А; hFE = 5 @ 1 А, 2 В; Icutoff-max = 1 мА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 500 мA, 1,5 A; Р, Вт = 40 Вт; Тексп, °C = -40...+150; Тип монт. = вивідний; SOT-32-3(TO-126-3)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BD136-16 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор PNP; Uceo, В = 45; Ic = 1,5 А; hFE = 40 @ 150 мА, 2 В; Р, Вт = 1,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; SOT-32-3
Транзистор PNP; Uceo, В = 45; Ic = 1,5 А; hFE = 40 @ 150 мА, 2 В; Р, Вт = 1,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; SOT-32-3
на замовлення 723 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BD140-16 | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор PNP; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 1,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; SOT-32(TO-126)
Транзистор PNP; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Р, Вт = 1,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; SOT-32(TO-126)
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MJ2955 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 115; Uceo, В = 70; Ic = 18; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 3; hFE = 20...70 @ 4 A, 4 V; Icutoff-max = 1 мА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 60 @ 200 mA, 0; Тексп, °С = -65...+200; Комплементарний 2N3055; TO-3
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 115; Uceo, В = 70; Ic = 18; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 3; hFE = 20...70 @ 4 A, 4 V; Icutoff-max = 1 мА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 60 @ 200 mA, 0; Тексп, °С = -65...+200; Комплементарний 2N3055; TO-3
на замовлення 24 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BD679A | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 40; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 80; Ic = 4 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 40; hFE = 750 @ 2 А, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2.8 @ 40 мА, 2 А; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 40; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 80; Ic = 4 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 40; hFE = 750 @ 2 А, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2.8 @ 40 мА, 2 А; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3
на замовлення 293 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BDX33C |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 10 А; hFE = 750 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 6 мА, 3 А; Р, Вт = 70 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 10 А; hFE = 750 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 6 мА, 3 А; Р, Вт = 70 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BDX53C |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 60; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 750 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2 @ 12 мA, 3 A; Тексп, °С = -65...+150; TO-220-3
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 60; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 750 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2 @ 12 мA, 3 A; Тексп, °С = -65...+150; TO-220-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TIP122 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 2; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 1000 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 20 мA, 5 A; Тексп, °С = -65...+150; TO-220-3
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 2; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 1000 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 20 мA, 5 A; Тексп, °С = -65...+150; TO-220-3
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TIP127 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 2; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 1000 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 20 мA, 5 A; Тексп, °С = -65...+150; TO-220-3
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 2; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 100; Ic = 5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 1000 @ 3 A, 3 В; Icutoff-max = 500 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 20 мA, 5 A; Тексп, °С = -65...+150; TO-220-3
на замовлення 103 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TIP147G |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 125; Тип стр. = PNP; Uceo, В = 100; Ic = 10 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 3 @ 40 мA, 10 А; Icutoff-max = 2 мА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 40 мA, 10 А; Тексп, °С = -65...+150; TO-247-3
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 125; Тип стр. = PNP; Uceo, В = 100; Ic = 10 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 3 @ 40 мA, 10 А; Icutoff-max = 2 мА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 40 мA, 10 А; Тексп, °С = -65...+150; TO-247-3
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ULN2003D1013TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = 7 NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА; Тексп, °С = -40...+85; SOICN-16
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = 7 NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА; Тексп, °С = -40...+85; SOICN-16
на замовлення 738 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ULN2803A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 2,25; Тип стр. = 8 NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА; Тексп, °С = -20...+85; DIP-18
Транзистор складений Дарлінгтона; Ptot, Вт = 2,25; Тип стр. = 8 NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мА; Тексп, °С = -20...+85; DIP-18
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ULQ2003D1013TR |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = 7 NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мкA; Тексп, °C = -40...+105; Тип монт. = вивідний; SOICN-16
Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = 7 NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мкA; Тексп, °C = -40...+105; Тип монт. = вивідний; SOICN-16
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STB11NK40ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 9 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 930 @ 25; Qg, нКл = 32 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 4,5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА; D2PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 9 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 930 @ 25; Qg, нКл = 32 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 4,5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА; D2PAK
на замовлення 245 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STB9NK50ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 7,2 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 910 @ 25; Qg, нКл = 32 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 3.6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА; D2PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 7,2 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 910 @ 25; Qg, нКл = 32 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 3.6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА; D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STD11N50M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Ciss, пФ @ Uds, В = 395pF @ 100V; Qg, нКл = 12; Rds = 0,53 Ом; Ugs(th) = 25; Р, Вт = 85; Тексп, °C = -55...150; DPAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Ciss, пФ @ Uds, В = 395pF @ 100V; Qg, нКл = 12; Rds = 0,53 Ом; Ugs(th) = 25; Р, Вт = 85; Тексп, °C = -55...150; DPAK
на замовлення 37 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STD5NM60T4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
N-канальний ПТ; Udss, В = 600; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25; Qg, нКл = 18 @ 10 В; Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; DPAK-3
N-канальний ПТ; Udss, В = 600; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25; Qg, нКл = 18 @ 10 В; Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; DPAK-3
на замовлення 986 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STD7NK40ZT4 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 5,4 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 535 @ 25; Qg, нКл = 26 @ 10 В; Rds = 1 Ом @ 2,7 А, 10 В; Ugs(th) = 4,5V @ 50 мкА; Р, Вт = 70; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 5,4 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 535 @ 25; Qg, нКл = 26 @ 10 В; Rds = 1 Ом @ 2,7 А, 10 В; Ugs(th) = 4,5V @ 50 мкА; Р, Вт = 70; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STN4NF03L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
N-канальный ПТ; Udss, В = 30; Id = 6,5 А; Ptot, Вт = 3,3; Тип монт. = smd; Qg, нКл = 9; Rds = 50 мОм @ 2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 10 D; Входная ёмкость = 330 пФ @ 25 В; SOT-223
N-канальный ПТ; Udss, В = 30; Id = 6,5 А; Ptot, Вт = 3,3; Тип монт. = smd; Qg, нКл = 9; Rds = 50 мОм @ 2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 10 D; Входная ёмкость = 330 пФ @ 25 В; SOT-223
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| VNS1NV04DP-E |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
N-канальний ПТ OMNIFET II; Id = 1,7 А; Ptot, Вт = 4; Udss, В = 40; Тип монт. = smd; Rds = 250 мОм; Tексп, °C = -40...+150; SOIC-8
N-канальний ПТ OMNIFET II; Id = 1,7 А; Ptot, Вт = 4; Udss, В = 40; Тип монт. = smd; Rds = 250 мОм; Tексп, °C = -40...+150; SOIC-8
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STFW4N150 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
N-канальний ПТ; Udss, В = 1 500; Id = 4 A; Ptot, Вт = 63; Тип монт. = вивідний; Qg, нКл = 30; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В; TO-220AB
N-канальний ПТ; Udss, В = 1 500; Id = 4 A; Ptot, Вт = 63; Тип монт. = вивідний; Qg, нКл = 30; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В; TO-220AB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STL42P4LLF6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 42 А; Ptot, Вт = 75; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 2850 @ 25; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 18 мОм @ 5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; PowerVDFN-8
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 42 А; Ptot, Вт = 75; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 2850 @ 25; Qg, нКл = 22 @ 4,5 В; Rds = 18 мОм @ 5 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; PowerVDFN-8
на замовлення 27 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| STN3P6F6 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 48; Qg, нКл = 6,4 @ 10 В; Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,6; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-223
P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 48; Qg, нКл = 6,4 @ 10 В; Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,6; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-223
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 1.5KE100CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
1.5KE100CA Bidirectional TVS THT diodes
1.5KE100CA Bidirectional TVS THT diodes
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.71 грн |
| 59+ | 19.20 грн |
| 160+ | 18.16 грн |
| 1.5KE120A | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 120V; 9.1A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 102V
Breakdown voltage: 120V
Max. forward impulse current: 9.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 120V; 9.1A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 102V
Breakdown voltage: 120V
Max. forward impulse current: 9.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.76 грн |
| 10+ | 30.65 грн |
| 100+ | 24.31 грн |
| 250+ | 22.23 грн |
| 500+ | 20.62 грн |
| 600+ | 20.24 грн |
| 1200+ | 18.73 грн |
| 1.5KE12CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 12V; 90A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 10.2V
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 90A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 12V; 90A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 10.2V
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 90A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.02 грн |
| 10+ | 41.45 грн |
| 25+ | 34.81 грн |
| 50+ | 31.12 грн |
| 100+ | 27.81 грн |
| 125+ | 26.86 грн |
| 250+ | 23.93 грн |
| 1.5KE150A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 150V; 7.2A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 128V
Breakdown voltage: 150V
Max. forward impulse current: 7.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 150V; 7.2A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 128V
Breakdown voltage: 150V
Max. forward impulse current: 7.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.58 грн |
| 13+ | 23.38 грн |
| 50+ | 20.62 грн |
| 100+ | 19.77 грн |
| 250+ | 18.73 грн |
| 500+ | 17.97 грн |
| 600+ | 17.69 грн |
| 1.5KE15A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 15V; 71A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 71A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 15V; 71A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 71A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 25.47 грн |
| 100+ | 21.51 грн |
| 500+ | 18.16 грн |
| 600+ | 17.97 грн |
| 1200+ | 17.69 грн |
| 1.5KE15CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
1.5KE15CA Bidirectional TVS THT diodes
1.5KE15CA Bidirectional TVS THT diodes
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.15 грн |
| 54+ | 21.00 грн |
| 147+ | 19.77 грн |
| 1.5KE180A | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 180V; 6.1A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 154V
Breakdown voltage: 180V
Max. forward impulse current: 6.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 180V; 6.1A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 154V
Breakdown voltage: 180V
Max. forward impulse current: 6.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 416 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.04 грн |
| 7+ | 46.95 грн |
| 10+ | 41.14 грн |
| 100+ | 28.66 грн |
| 250+ | 24.40 грн |
| 500+ | 21.66 грн |
| 600+ | 20.90 грн |
| 1.5KE180CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 180V; 31.5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 154V
Breakdown voltage: 180V
Max. forward impulse current: 31.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 180V; 31.5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 154V
Breakdown voltage: 180V
Max. forward impulse current: 31.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 305.59 грн |
| 10+ | 33.49 грн |
| 25+ | 30.74 грн |
| 56+ | 20.15 грн |
| 152+ | 19.11 грн |
| 1.5KE18A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.78 грн |
| 10+ | 30.35 грн |
| 100+ | 22.61 грн |
| 250+ | 20.62 грн |
| 500+ | 19.58 грн |
| 600+ | 19.20 грн |
| 1800+ | 17.88 грн |
| 1.5KE18CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 59.5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 59.5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.48 грн |
| 250+ | 23.38 грн |
| 600+ | 21.28 грн |
| 1200+ | 20.34 грн |
| 1800+ | 19.67 грн |
| 3000+ | 19.01 грн |
| 3600+ | 18.63 грн |
| 1.5KE200A | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 200V; 5.5A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Max. forward impulse current: 5.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 200V; 5.5A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Max. forward impulse current: 5.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 61.12 грн |
| 10+ | 44.10 грн |
| 100+ | 28.09 грн |
| 250+ | 22.98 грн |
| 500+ | 19.30 грн |
| 600+ | 18.44 грн |
| 1200+ | 15.89 грн |
| 1.5KE200CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 200V; 5.5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Max. forward impulse current: 5.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 200V; 5.5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 171V
Breakdown voltage: 200V
Max. forward impulse current: 5.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 517 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.21 грн |
| 6+ | 54.71 грн |
| 10+ | 49.66 грн |
| 100+ | 45.12 грн |
| 600+ | 41.71 грн |
| 1800+ | 39.63 грн |
| 4200+ | 38.02 грн |
| 1.5KE220A | ![]() |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 220V; 4.6A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 188V
Breakdown voltage: 220V
Max. forward impulse current: 4.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 220V; 4.6A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 188V
Breakdown voltage: 220V
Max. forward impulse current: 4.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.21 грн |
| 10+ | 31.43 грн |
| 100+ | 24.78 грн |
| 250+ | 22.61 грн |
| 500+ | 21.09 грн |
| 600+ | 20.62 грн |
| 1200+ | 19.01 грн |
| 1.5KE220CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 220V; 4.6A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Case: DO201
Mounting: THT
Type of diode: TVS
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 4.6A
Max. off-state voltage: 188V
Breakdown voltage: 220V
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
Semiconductor structure: bidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 220V; 4.6A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Case: DO201
Mounting: THT
Type of diode: TVS
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 4.6A
Max. off-state voltage: 188V
Breakdown voltage: 220V
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
Semiconductor structure: bidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.79 грн |
| 10+ | 60.35 грн |
| 25+ | 54.29 грн |
| 100+ | 45.97 грн |
| 125+ | 44.83 грн |
| 250+ | 42.00 грн |
| 1.5KE24CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 24V; 45A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 20.5V
Breakdown voltage: 24V
Max. forward impulse current: 45A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 24V; 45A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 20.5V
Breakdown voltage: 24V
Max. forward impulse current: 45A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.43 грн |
| 10+ | 52.55 грн |
| 50+ | 37.93 грн |
| 100+ | 33.67 грн |
| 125+ | 32.44 грн |
| 250+ | 28.94 грн |
| 600+ | 25.16 грн |
| 1.5KE250A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 250V; 5A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 213V
Breakdown voltage: 250V
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 250V; 5A; unidirectional; DO201; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 213V
Breakdown voltage: 250V
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.34 грн |
| 10+ | 56.09 грн |
| 100+ | 38.78 грн |
| 250+ | 33.11 грн |
| 600+ | 28.09 грн |
| 1200+ | 27.90 грн |
| 1.5KE250CA |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 250V; 5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Mounting: THT
Type of diode: TVS
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 213V
Breakdown voltage: 250V
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 250V; 5A; bidirectional; DO201; 1.5kW; Ammo Pack
Mounting: THT
Type of diode: TVS
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 213V
Breakdown voltage: 250V
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Kind of package: Ammo Pack
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.64 грн |
| 10+ | 70.72 грн |
| 25+ | 60.72 грн |
| 100+ | 49.00 грн |
| 250+ | 41.05 грн |
| 500+ | 39.35 грн |


