Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > Всі товари виробника TEXAS INSTRUMENTS (626703) > Сторінка 4983 з 10446
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CSD18503Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
на замовлення 668 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CSD18504KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
на замовлення 532 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CSD18504Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD18509Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 195W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD18510KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD18510KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
CSD18510KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 250W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 200A On-state resistance: 2.6mΩ Gate charge: 119nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Drain-source voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 193 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
CSD18510Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.79mΩ Mounting: SMD Gate charge: 118nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD18511KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD18511KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD18511KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD18511Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD18512Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 139W Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD18514Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
на замовлення 878 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CSD18531Q5A | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
на замовлення 2004 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CSD18531Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
CSD18532KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 250W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 44nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
CSD18532NQ5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD18532Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD18533KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
CSD18533Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 116W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
CSD18534KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 164A; 107W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 164A Power dissipation: 107W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD18534Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
на замовлення 1210 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
CSD18535KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3 Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 63nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A On-state resistance: 1.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 139 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
CSD18535KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD18535KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
CSD18536KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A On-state resistance: 1.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 83nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 487 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
CSD18536KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A On-state resistance: 2.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
CSD18536KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A On-state resistance: 2.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 108nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 428 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
CSD18537NKCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CSD18537NQ5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
на замовлення 275 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CSD18540Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: VSON-CLIP8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 1.8mΩ Power dissipation: 188W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 5x6mm Gate charge: 41nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD18541F5T | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
CSD18542KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 44nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
CSD18542KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A On-state resistance: 5.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
CSD18542KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 250W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 200A On-state resistance: 5.1mΩ Gate charge: 44nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1825 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CSD18543Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Case: VSONP8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A On-state resistance: 8.1mΩ Power dissipation: 66W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 3.3x3.3mm Gate charge: 11.1nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 278 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
CSD18563Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
на замовлення 524 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
CSD19501KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 217W; TO220-3 Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A On-state resistance: 5.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 217W Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 255 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
CSD19502Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 195W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD19503KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
на замовлення 660 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
CSD19505KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3 Case: TO220-3 Drain-source voltage: 80V Drain current: 150A On-state resistance: 2.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 76nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 121 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
CSD19505KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD19505KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD19506KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CSD19506KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD19506KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
CSD19531KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
на замовлення 161 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
CSD19531Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm Technology: NexFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 276 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CSD19532KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 250W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 200A On-state resistance: 6.6mΩ Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Drain-source voltage: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 157 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CSD19532KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 250W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 200A On-state resistance: 6.6mΩ Gate charge: 44nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Drain-source voltage: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 193 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
CSD19532Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 195W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
CSD19533KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A On-state resistance: 8.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 188W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 27nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 149 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
CSD19533Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
на замовлення 228 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CSD19534KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
на замовлення 661 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
CSD19534Q5A | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 63W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 574 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
CSD19534Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 63W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
CSD19535KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
на замовлення 249 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CSD19535KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
CSD19535KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 300W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 200A On-state resistance: 4.1mΩ Gate charge: 75nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Drain-source voltage: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
CSD18503Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18503Q5AT SMD N channel transistors
CSD18503Q5AT SMD N channel transistors
на замовлення 668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 109.92 грн |
17+ | 67.74 грн |
45+ | 64.03 грн |
CSD18504KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18504KCS THT N channel transistors
CSD18504KCS THT N channel transistors
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 142.90 грн |
13+ | 84.44 грн |
36+ | 79.80 грн |
CSD18504Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18504Q5AT SMD N channel transistors
CSD18504Q5AT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18509Q5BT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18510KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18510KCS THT N channel transistors
CSD18510KCS THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18510KTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18510KTT SMD N channel transistors
CSD18510KTT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18510KTTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate charge: 119nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate charge: 119nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 224.84 грн |
7+ | 170.56 грн |
19+ | 155.89 грн |
50+ | 154.96 грн |
100+ | 149.40 грн |
CSD18510Q5BT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.79mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.79mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18511KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18511KCS THT N channel transistors
CSD18511KCS THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18511KTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18511KTT SMD N channel transistors
CSD18511KTT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18511KTTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18511KTTT SMD N channel transistors
CSD18511KTTT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18511Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18511Q5AT SMD N channel transistors
CSD18511Q5AT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18512Q5BT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 139W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 139W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18514Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18514Q5AT SMD N channel transistors
CSD18514Q5AT SMD N channel transistors
на замовлення 878 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 164.89 грн |
13+ | 84.44 грн |
36+ | 79.80 грн |
CSD18531Q5A |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18531Q5A SMD N channel transistors
CSD18531Q5A SMD N channel transistors
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 150.90 грн |
12+ | 90.94 грн |
33+ | 85.37 грн |
CSD18531Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18531Q5AT SMD N channel transistors
CSD18531Q5AT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18532KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 250W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 250W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 225.84 грн |
10+ | 116.60 грн |
27+ | 106.71 грн |
100+ | 102.07 грн |
CSD18532NQ5BT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18532Q5BT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18533KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18533KCS THT N channel transistors
CSD18533KCS THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 299.79 грн |
13+ | 85.37 грн |
35+ | 80.73 грн |
CSD18533Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 116W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 116W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 146.90 грн |
10+ | 95.40 грн |
13+ | 86.30 грн |
35+ | 81.66 грн |
100+ | 78.87 грн |
CSD18534KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 164A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 164A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18534Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18534Q5AT SMD N channel transistors
CSD18534Q5AT SMD N channel transistors
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 189.87 грн |
11+ | 103.93 грн |
29+ | 98.36 грн |
CSD18535KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 63nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 63nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 273.81 грн |
7+ | 165.74 грн |
19+ | 151.25 грн |
100+ | 147.54 грн |
500+ | 144.76 грн |
CSD18535KTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18535KTT SMD N channel transistors
CSD18535KTT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18535KTTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18535KTTT SMD N channel transistors
CSD18535KTTT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18536KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 83nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 83nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 346.76 грн |
3+ | 319.92 грн |
5+ | 235.69 грн |
13+ | 223.63 грн |
100+ | 214.35 грн |
CSD18536KTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18536KTTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 108nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 108nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 348.76 грн |
4+ | 291.01 грн |
10+ | 270.03 грн |
11+ | 264.46 грн |
50+ | 254.25 грн |
CSD18537NKCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18537NKCS THT N channel transistors
CSD18537NKCS THT N channel transistors
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 122.92 грн |
17+ | 64.96 грн |
46+ | 62.17 грн |
CSD18537NQ5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18537NQ5AT SMD N channel transistors
CSD18537NQ5AT SMD N channel transistors
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 150.90 грн |
13+ | 84.44 грн |
36+ | 79.80 грн |
CSD18540Q5BT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.8mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 41nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.8mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 41nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18541F5T |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18541F5T SMD N channel transistors
CSD18541F5T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18542KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 219.85 грн |
9+ | 131.05 грн |
24+ | 119.70 грн |
100+ | 115.06 грн |
CSD18542KTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD18542KTTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 200A
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate charge: 44nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 200A
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate charge: 44nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 227.84 грн |
10+ | 122.38 грн |
26+ | 111.35 грн |
50+ | 106.71 грн |
CSD18543Q3AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSONP8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
On-state resistance: 8.1mΩ
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate charge: 11.1nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Case: VSONP8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
On-state resistance: 8.1mΩ
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate charge: 11.1nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 113.92 грн |
5+ | 99.25 грн |
15+ | 74.23 грн |
41+ | 69.59 грн |
250+ | 66.81 грн |
CSD18563Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18563Q5AT SMD N channel transistors
CSD18563Q5AT SMD N channel transistors
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 142.90 грн |
13+ | 84.44 грн |
36+ | 79.80 грн |
CSD19501KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 217W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 217W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 183.87 грн |
10+ | 141.65 грн |
12+ | 96.50 грн |
32+ | 90.94 грн |
500+ | 89.08 грн |
CSD19502Q5BT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD19503KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19503KCS THT N channel transistors
CSD19503KCS THT N channel transistors
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 136.91 грн |
14+ | 82.59 грн |
37+ | 77.95 грн |
CSD19505KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 76nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 76nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 308.79 грн |
9+ | 132.98 грн |
24+ | 120.63 грн |
500+ | 118.78 грн |
750+ | 115.99 грн |
CSD19505KTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19505KTT SMD N channel transistors
CSD19505KTT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD19505KTTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19505KTTT SMD N channel transistors
CSD19505KTTT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD19506KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19506KCS THT N channel transistors
CSD19506KCS THT N channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 520.64 грн |
4+ | 328.49 грн |
10+ | 310.86 грн |
CSD19506KTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19506KTT SMD N channel transistors
CSD19506KTT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD19506KTTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19506KTTT SMD N channel transistors
CSD19506KTTT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD19531KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19531KCS THT N channel transistors
CSD19531KCS THT N channel transistors
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 169.88 грн |
11+ | 102.07 грн |
30+ | 96.50 грн |
CSD19531Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Technology: NexFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Technology: NexFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 175.88 грн |
5+ | 155.14 грн |
10+ | 117.85 грн |
26+ | 111.35 грн |
250+ | 106.71 грн |
CSD19532KTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 200A
On-state resistance: 6.6mΩ
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 200A
On-state resistance: 6.6mΩ
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 207.86 грн |
5+ | 183.09 грн |
9+ | 135.48 грн |
23+ | 128.05 грн |
250+ | 124.34 грн |
CSD19532KTTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 200A
On-state resistance: 6.6mΩ
Gate charge: 44nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 200A
On-state resistance: 6.6mΩ
Gate charge: 44nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 222.85 грн |
3+ | 197.54 грн |
8+ | 151.25 грн |
20+ | 142.90 грн |
50+ | 137.33 грн |
CSD19532Q5BT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD19533KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 167.88 грн |
3+ | 142.62 грн |
10+ | 124.34 грн |
12+ | 97.43 грн |
31+ | 91.87 грн |
100+ | 88.15 грн |
CSD19533Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19533Q5AT SMD N channel transistors
CSD19533Q5AT SMD N channel transistors
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 159.89 грн |
13+ | 89.08 грн |
34+ | 84.44 грн |
CSD19534KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19534KCS THT N channel transistors
CSD19534KCS THT N channel transistors
на замовлення 661 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 132.91 грн |
15+ | 76.09 грн |
40+ | 71.45 грн |
CSD19534Q5A |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 574 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 95.93 грн |
10+ | 64.18 грн |
33+ | 33.87 грн |
89+ | 32.01 грн |
CSD19534Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD19535KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19535KCS THT N channel transistors
CSD19535KCS THT N channel transistors
на замовлення 249 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 324.78 грн |
6+ | 197.65 грн |
16+ | 186.51 грн |
CSD19535KTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19535KTT SMD N channel transistors
CSD19535KTT SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CSD19535KTTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 200A
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate charge: 75nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 200A
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate charge: 75nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 336.77 грн |
3+ | 291.98 грн |
5+ | 234.77 грн |
13+ | 222.70 грн |
50+ | 213.42 грн |