Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > Всі товари виробника TEXAS INSTRUMENTS (626344) > Сторінка 5001 з 10440

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 1044 2088 3132 4176 4996 4997 4998 4999 5000 5001 5002 5003 5004 5005 5006 5220 6264 7308 8352 9396 10440  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CD74HCT74M96 CD74HCT74M96 TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcd74hc74 HRISSE19-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop,resettable; Ch: 2; SMD; SO14; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop; resettable
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: HCT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.71 грн
11+29.30 грн
25+25.29 грн
87+12.74 грн
239+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CD74HCT75E TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcd74hc75 CD74HCT75E Latches
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.01 грн
14+82.10 грн
38+77.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CD74HCT86E CD74HCT86E TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcd74hc86 HRISS859-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; THT; DIP14; 4.5÷5.5VDC; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: quad; 4
Number of inputs: 2
Mounting: THT
Case: DIP14
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: HCT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.02 грн
6+54.58 грн
10+44.26 грн
25+38.88 грн
36+31.42 грн
98+29.72 грн
1000+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CD74HCT86M CD74HCT86M TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcd74hc86 HRISS859-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; SMD; SO14; 4.5÷5.5VDC; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: quad; 4
Number of inputs: 2
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: HCT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.47 грн
10+69.57 грн
21+52.84 грн
58+50.01 грн
500+49.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CD74HCT86M96 CD74HCT86M96 TEXAS INSTRUMENTS CD74HCT86M96-datsheet.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; SMD; SO14; 4.5÷5.5VDC; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: quad; 4
Number of inputs: 2
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: HCT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.15 грн
6+58.60 грн
25+47.37 грн
60+18.75 грн
163+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CD74HCT93E CD74HCT93E TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcd74hc93 Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 4bit,binary counter; THT; DIP14; HCT; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 4bit; binary counter
Case: DIP14
Mounting: THT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: HCT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+148.37 грн
10+105.83 грн
12+97.19 грн
25+93.42 грн
32+92.47 грн
100+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CD74HCU04M CD74HCU04M TEXAS INSTRUMENTS sn74hcs04.pdf?ts=1744706637700&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FSN74HCS04%252Fpart-details%252FSN74HCS04PWR%253Flogin-check%253Dtrue Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; SMD; SO14; 2÷6VDC; -55÷125°C; tube; HCU
Type of integrated circuit: digital
Family: HCU
Number of channels: hex; 6
Kind of gate: NOT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V DC
Frequency: 250MHz
Case: SO14
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.60 грн
10+83.29 грн
25+69.83 грн
100+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CDCV304PWR TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcdcv304 CDCV304PWR Supervisor circuits
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+338.40 грн
5+242.51 грн
13+229.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4T CSD13381F4T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd13381f4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3
Case: PICOSTAR3
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 7A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.73 грн
25+53.03 грн
100+46.71 грн
250+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3 CSD17308Q3 TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17308q3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.07 грн
10+51.64 грн
100+29.91 грн
250+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3T CSD17308Q3T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17308q3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.99 грн
10+81.72 грн
50+57.18 грн
100+50.01 грн
250+42.27 грн
500+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2T CSD17313Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 17W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 2x2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.69 грн
10+83.68 грн
21+54.82 грн
56+51.90 грн
250+49.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3T CSD17575Q3T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17575q3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
Case: VSON-CLIP8
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 108W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.88 грн
5+88.19 грн
25+74.55 грн
100+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17576Q5BT CSD17576Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Case: VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Dimensions: 5x6mm
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 125W
Drain current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17577Q3AT CSD17577Q3AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17577q3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 53W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.01 грн
10+97.99 грн
17+67.00 грн
46+63.22 грн
250+62.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17578Q3AT CSD17578Q3AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17578q3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 37W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 37W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.49 грн
5+78.39 грн
18+63.22 грн
48+60.39 грн
100+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17579Q5AT CSD17579Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; 36W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.69 грн
5+86.23 грн
15+77.38 грн
25+71.72 грн
100+69.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q3AT CSD17581Q3AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17581q3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: VSONP8
Gate charge: 20nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 63W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.99 грн
10+83.59 грн
22+50.96 грн
61+48.12 грн
250+46.52 грн
500+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCS CSD18502KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18502kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 259W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 2.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 259W
Drain current: 100A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+200.19 грн
10+148.95 грн
50+125.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5AT CSD18503Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18503q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 120W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 120W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182.92 грн
10+118.57 грн
17+68.88 грн
45+65.11 грн
500+62.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCS CSD18504KCS TEXAS INSTRUMENTS slps365 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.22 грн
10+72.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTT CSD18510KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 119nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+244.91 грн
7+173.44 грн
19+158.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18514Q5AT CSD18514Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18514q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 74W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 74W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 833 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+134.14 грн
5+97.01 грн
14+82.10 грн
38+77.38 грн
100+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18531Q5A CSD18531Q5A TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18531q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.11 грн
5+114.65 грн
13+87.76 грн
35+83.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532KCS CSD18532KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+203.24 грн
10+118.57 грн
27+108.52 грн
50+105.69 грн
100+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5AT CSD18533Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18533q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 116W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5AT CSD18534Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18534q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 77W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+180.88 грн
5+142.09 грн
10+121.73 грн
11+106.63 грн
25+101.91 грн
29+100.02 грн
100+97.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KCS CSD18535KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 63nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 1.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+272.34 грн
7+168.55 грн
19+152.87 грн
50+151.92 грн
100+147.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTT CSD18536KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+599.56 грн
4+300.83 грн
11+273.65 грн
150+271.76 грн
250+264.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCS CSD18537NKCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nkcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 94W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.03 грн
10+87.21 грн
18+65.11 грн
47+61.34 грн
100+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a CSD18537NQ5AT SMD N channel transistors
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.13 грн
43+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KCS CSD18542KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18542kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+211.37 грн
9+133.27 грн
24+121.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTT CSD18542KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18542ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.51 грн
10+125.43 грн
26+114.18 грн
50+110.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3AT CSD18543Q3AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18543q3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 66W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+150.40 грн
10+103.87 грн
15+74.55 грн
41+70.77 грн
100+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5AT CSD18563Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18563q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 116W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.07 грн
5+110.73 грн
10+99.08 грн
25+86.81 грн
100+78.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCS CSD19501KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19501kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 217W; TO220-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Gate charge: 38nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 217W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19503KCS CSD19503KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19503kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.53 грн
10+100.93 грн
14+83.98 грн
37+80.21 грн
100+77.38 грн
500+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19505KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs CSD19505KCS THT N channel transistors
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+354.66 грн
9+130.22 грн
24+122.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19506KCS CSD19506KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 375W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Case: TO220-3
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+361.77 грн
3+322.39 грн
5+296.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19531KCS CSD19531KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+175.80 грн
3+156.79 грн
10+129.28 грн
11+103.80 грн
30+98.14 грн
100+95.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19531Q5AT CSD19531Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+245.92 грн
10+124.45 грн
26+113.23 грн
250+108.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532KTT CSD19532KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+274.38 грн
5+221.46 грн
9+133.99 грн
23+127.39 грн
125+123.61 грн
250+122.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532KTTT CSD19532KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.76 грн
8+160.71 грн
10+150.04 грн
20+146.26 грн
50+144.37 грн
100+140.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533KCS CSD19533KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Gate charge: 27nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 8.7mΩ
Power dissipation: 188W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.37 грн
10+110.40 грн
12+99.08 грн
25+98.14 грн
32+93.42 грн
50+89.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5AT CSD19533Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 96W; VSONP8; 5x6mm
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: VSONP8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Gate charge: 27nC
Dimensions: 5x6mm
On-state resistance: 7.8mΩ
Power dissipation: 96W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.87 грн
5+141.11 грн
10+120.78 грн
13+90.59 грн
34+85.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534KCS CSD19534KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 118W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+146.33 грн
5+112.69 грн
10+98.14 грн
17+66.05 грн
47+62.28 грн
500+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5A CSD19534Q5A TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.38 грн
10+59.68 грн
25+52.28 грн
33+34.44 грн
50+34.35 грн
89+32.55 грн
5000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KCS CSD19535KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 538 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+352.62 грн
10+236.16 грн
50+185.89 грн
100+171.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTT CSD19535KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Pulsed drain current: 400A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+379.05 грн
3+336.11 грн
5+223.64 грн
14+211.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCS CSD19536KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+426.81 грн
2+377.27 грн
5+251.95 грн
13+237.79 грн
50+229.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTT CSD19536KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+546.72 грн
3+487.02 грн
4+356.69 грн
9+336.87 грн
25+333.10 грн
50+324.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3T CSD19537Q3T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19537q3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 12.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.07 грн
10+88.19 грн
25+75.49 грн
100+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2T CSD19538Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 20.2W; WSON6; 2x2mm
Kind of channel: enhancement
Case: WSON6
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.3nC
Dimensions: 2x2mm
On-state resistance: 49mΩ
Drain current: 14.4A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 20.2W
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.83 грн
7+47.04 грн
25+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3AT CSD19538Q3AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Kind of channel: enhancement
Case: VSONP8
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.3nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 49mΩ
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 23W
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.73 грн
25+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3T CSD25404Q3T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25404q3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W; VSON-CLIP8
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -60A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 10.9nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 96W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: VSON-CLIP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+148.37 грн
10+97.99 грн
15+86.81 грн
16+71.72 грн
43+67.00 грн
100+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87502Q2T CSD87502Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87502q2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.3W; WSON6; 2x2mm
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: WSON6
Gate charge: 2.2nC
Dimensions: 2x2mm
On-state resistance: 35.5mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDT CSD88537NDT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.59 грн
10+108.77 грн
18+65.11 грн
47+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd CSD88539NDT Multi channel transistors
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.22 грн
27+42.27 грн
73+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DAC0800LCM/NOPB DAC0800LCM/NOPB TEXAS INSTRUMENTS snas538c.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; SO16; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Case: SO16
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...18V DC
Converter resolution: 8bit
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 551 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+256.08 грн
5+219.50 грн
10+179.29 грн
48+158.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DAC0808LCM/NOPB DAC0808LCM/NOPB TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac0808 description Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; Ch: 1; SOP16; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Case: SOP16
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Relative accuracy: 0.5LSB
Operating voltage: 4.5...18V DC
Converter resolution: 8bit
Interface: parallel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+233.73 грн
3+199.90 грн
10+171.74 грн
48+147.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CD74HCT74M96 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcd74hc74 HRISSE19-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
CD74HCT74M96
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop,resettable; Ch: 2; SMD; SO14; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop; resettable
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: HCT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.71 грн
11+29.30 грн
25+25.29 грн
87+12.74 грн
239+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CD74HCT75E suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcd74hc75
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CD74HCT75E Latches
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.01 грн
14+82.10 грн
38+77.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CD74HCT86E suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcd74hc86 HRISS859-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
CD74HCT86E
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; THT; DIP14; 4.5÷5.5VDC; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: quad; 4
Number of inputs: 2
Mounting: THT
Case: DIP14
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: HCT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.02 грн
6+54.58 грн
10+44.26 грн
25+38.88 грн
36+31.42 грн
98+29.72 грн
1000+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CD74HCT86M suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcd74hc86 HRISS859-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
CD74HCT86M
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; SMD; SO14; 4.5÷5.5VDC; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: quad; 4
Number of inputs: 2
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: HCT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.47 грн
10+69.57 грн
21+52.84 грн
58+50.01 грн
500+49.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CD74HCT86M96 CD74HCT86M96-datsheet.pdf
CD74HCT86M96
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; SMD; SO14; 4.5÷5.5VDC; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: quad; 4
Number of inputs: 2
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: HCT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.15 грн
6+58.60 грн
25+47.37 грн
60+18.75 грн
163+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CD74HCT93E suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcd74hc93
CD74HCT93E
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 4bit,binary counter; THT; DIP14; HCT; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 4bit; binary counter
Case: DIP14
Mounting: THT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: HCT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.37 грн
10+105.83 грн
12+97.19 грн
25+93.42 грн
32+92.47 грн
100+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CD74HCU04M sn74hcs04.pdf?ts=1744706637700&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FSN74HCS04%252Fpart-details%252FSN74HCS04PWR%253Flogin-check%253Dtrue
CD74HCU04M
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; SMD; SO14; 2÷6VDC; -55÷125°C; tube; HCU
Type of integrated circuit: digital
Family: HCU
Number of channels: hex; 6
Kind of gate: NOT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V DC
Frequency: 250MHz
Case: SO14
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.60 грн
10+83.29 грн
25+69.83 грн
100+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CDCV304PWR suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcdcv304
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CDCV304PWR Supervisor circuits
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+338.40 грн
5+242.51 грн
13+229.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD13381F4T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd13381f4
CSD13381F4T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3
Case: PICOSTAR3
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 7A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.73 грн
25+53.03 грн
100+46.71 грн
250+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17308q3
CSD17308Q3
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.07 грн
10+51.64 грн
100+29.91 грн
250+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17308Q3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17308q3
CSD17308Q3T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.99 грн
10+81.72 грн
50+57.18 грн
100+50.01 грн
250+42.27 грн
500+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17313Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2
CSD17313Q2T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 17W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 2x2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.69 грн
10+83.68 грн
21+54.82 грн
56+51.90 грн
250+49.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17575Q3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17575q3
CSD17575Q3T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
Case: VSON-CLIP8
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 108W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.88 грн
5+88.19 грн
25+74.55 грн
100+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17576Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b
CSD17576Q5BT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Case: VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Dimensions: 5x6mm
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 125W
Drain current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17577Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17577q3a
CSD17577Q3AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 53W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.01 грн
10+97.99 грн
17+67.00 грн
46+63.22 грн
250+62.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17578Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17578q3a
CSD17578Q3AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 37W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 37W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.49 грн
5+78.39 грн
18+63.22 грн
48+60.39 грн
100+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17579Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a
CSD17579Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; 36W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.69 грн
5+86.23 грн
15+77.38 грн
25+71.72 грн
100+69.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD17581Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17581q3a
CSD17581Q3AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: VSONP8
Gate charge: 20nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 63W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.99 грн
10+83.59 грн
22+50.96 грн
61+48.12 грн
250+46.52 грн
500+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18502KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18502kcs
CSD18502KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 259W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 2.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 259W
Drain current: 100A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.19 грн
10+148.95 грн
50+125.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18503Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18503q5a
CSD18503Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 120W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 120W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.92 грн
10+118.57 грн
17+68.88 грн
45+65.11 грн
500+62.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18504KCS slps365
CSD18504KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.22 грн
10+72.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18510KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt
CSD18510KTTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 119nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.91 грн
7+173.44 грн
19+158.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18514Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18514q5a
CSD18514Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 74W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 74W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 833 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.14 грн
5+97.01 грн
14+82.10 грн
38+77.38 грн
100+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18531Q5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18531q5a
CSD18531Q5A
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.11 грн
5+114.65 грн
13+87.76 грн
35+83.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18532KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532kcs
CSD18532KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.24 грн
10+118.57 грн
27+108.52 грн
50+105.69 грн
100+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18533Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18533q5a
CSD18533Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 116W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18534Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18534q5a
CSD18534Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 77W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.88 грн
5+142.09 грн
10+121.73 грн
11+106.63 грн
25+101.91 грн
29+100.02 грн
100+97.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18535KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535kcs
CSD18535KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 63nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 1.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.34 грн
7+168.55 грн
19+152.87 грн
50+151.92 грн
100+147.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18536KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt
CSD18536KTTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+599.56 грн
4+300.83 грн
11+273.65 грн
150+271.76 грн
250+264.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NKCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nkcs
CSD18537NKCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 94W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.03 грн
10+87.21 грн
18+65.11 грн
47+61.34 грн
100+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18537NQ5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18537NQ5AT SMD N channel transistors
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.13 грн
43+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18542kcs
CSD18542KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.37 грн
9+133.27 грн
24+121.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18542KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18542ktt
CSD18542KTTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+157.51 грн
10+125.43 грн
26+114.18 грн
50+110.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18543Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18543q3a
CSD18543Q3AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 66W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.40 грн
10+103.87 грн
15+74.55 грн
41+70.77 грн
100+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD18563Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18563q5a
CSD18563Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 116W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.07 грн
5+110.73 грн
10+99.08 грн
25+86.81 грн
100+78.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19501KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19501kcs
CSD19501KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 217W; TO220-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Gate charge: 38nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 217W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19503KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19503kcs
CSD19503KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.53 грн
10+100.93 грн
14+83.98 грн
37+80.21 грн
100+77.38 грн
500+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19505KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19505KCS THT N channel transistors
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+354.66 грн
9+130.22 грн
24+122.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19506KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506kcs
CSD19506KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 375W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Case: TO220-3
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.77 грн
3+322.39 грн
5+296.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19531KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531kcs
CSD19531KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.80 грн
3+156.79 грн
10+129.28 грн
11+103.80 грн
30+98.14 грн
100+95.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19531Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531q5a
CSD19531Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.92 грн
10+124.45 грн
26+113.23 грн
250+108.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt
CSD19532KTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.38 грн
5+221.46 грн
9+133.99 грн
23+127.39 грн
125+123.61 грн
250+122.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19532KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt
CSD19532KTTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.76 грн
8+160.71 грн
10+150.04 грн
20+146.26 грн
50+144.37 грн
100+140.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533kcs
CSD19533KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Gate charge: 27nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 8.7mΩ
Power dissipation: 188W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.37 грн
10+110.40 грн
12+99.08 грн
25+98.14 грн
32+93.42 грн
50+89.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19533Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a
CSD19533Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 96W; VSONP8; 5x6mm
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: VSONP8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Gate charge: 27nC
Dimensions: 5x6mm
On-state resistance: 7.8mΩ
Power dissipation: 96W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.87 грн
5+141.11 грн
10+120.78 грн
13+90.59 грн
34+85.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534kcs
CSD19534KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 118W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.33 грн
5+112.69 грн
10+98.14 грн
17+66.05 грн
47+62.28 грн
500+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19534Q5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
CSD19534Q5A
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.38 грн
10+59.68 грн
25+52.28 грн
33+34.44 грн
50+34.35 грн
89+32.55 грн
5000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535kcs
CSD19535KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 538 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.62 грн
10+236.16 грн
50+185.89 грн
100+171.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19535KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt
CSD19535KTTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Pulsed drain current: 400A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.05 грн
3+336.11 грн
5+223.64 грн
14+211.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536kcs
CSD19536KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+426.81 грн
2+377.27 грн
5+251.95 грн
13+237.79 грн
50+229.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19536KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt
CSD19536KTTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+546.72 грн
3+487.02 грн
4+356.69 грн
9+336.87 грн
25+333.10 грн
50+324.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19537Q3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19537q3
CSD19537Q3T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 12.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.07 грн
10+88.19 грн
25+75.49 грн
100+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2
CSD19538Q2T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 20.2W; WSON6; 2x2mm
Kind of channel: enhancement
Case: WSON6
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.3nC
Dimensions: 2x2mm
On-state resistance: 49mΩ
Drain current: 14.4A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 20.2W
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.83 грн
7+47.04 грн
25+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD19538Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q3a
CSD19538Q3AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Kind of channel: enhancement
Case: VSONP8
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.3nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 49mΩ
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 23W
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.73 грн
25+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CSD25404Q3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25404q3
CSD25404Q3T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W; VSON-CLIP8
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -60A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 10.9nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 96W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: VSON-CLIP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.37 грн
10+97.99 грн
15+86.81 грн
16+71.72 грн
43+67.00 грн
100+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87502Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87502q2
CSD87502Q2T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.3W; WSON6; 2x2mm
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: WSON6
Gate charge: 2.2nC
Dimensions: 2x2mm
On-state resistance: 35.5mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd
CSD88537NDT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.59 грн
10+108.77 грн
18+65.11 грн
47+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD88539NDT Multi channel transistors
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.22 грн
27+42.27 грн
73+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DAC0800LCM/NOPB snas538c.pdf?t.download=true&u=5oefqw
DAC0800LCM/NOPB
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; SO16; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Case: SO16
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...18V DC
Converter resolution: 8bit
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 551 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.08 грн
5+219.50 грн
10+179.29 грн
48+158.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DAC0808LCM/NOPB description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac0808
DAC0808LCM/NOPB
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; Ch: 1; SOP16; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Case: SOP16
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Relative accuracy: 0.5LSB
Operating voltage: 4.5...18V DC
Converter resolution: 8bit
Interface: parallel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.73 грн
3+199.90 грн
10+171.74 грн
48+147.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 1044 2088 3132 4176 4996 4997 4998 4999 5000 5001 5002 5003 5004 5005 5006 5220 6264 7308 8352 9396 10440  [ Наступна Сторінка >> ]