Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > Всі товари виробника TEXAS INSTRUMENTS (623061) > Сторінка 5057 з 10385
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CD74HCT541M96 | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Buffers, transceivers, driversDescription: IC: digital; buffer,non-inverting,line driver; Ch: 8; CMOS; SMD Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: buffer; line driver; non-inverting Number of channels: 8 Technology: CMOS Mounting: SMD Case: SO20 Kind of output: 3-state Supply voltage: 4.5...5.5V DC Family: HCT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 412 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CD74HCT640E | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Buffers, transceivers, driversDescription: IC: digital; bus transceiver; Ch: 8; CMOS,TTL; THT; DIP20; HCT Supply voltage: 4.5...5.5V DC Technology: CMOS; TTL Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: bus transceiver Mounting: THT Family: HCT Number of channels: 8 Kind of output: 3-state Case: DIP20 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 505 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CD74HCT688E | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: ComparatorsDescription: IC: digital; 8bit,comparator; CMOS; THT; DIP20; HCT; 4.5÷5.5VDC Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: 8bit; comparator Case: DIP20 Mounting: THT Supply voltage: 4.5...5.5V DC Number of channels: 8 Family: HCT Technology: CMOS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 691 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CD74HCT688M96 | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: ComparatorsDescription: IC: digital; 8bit,comparator; CMOS; SMD; SO20; HCT; 4.5÷5.5VDC; Ch: 8 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: 8bit; comparator Technology: CMOS Mounting: SMD Number of channels: 8 Supply voltage: 4.5...5.5V DC Family: HCT Case: SO20 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 124 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CD74HCT73E | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Flip-FlopsDescription: IC: digital; JK flip-flop; Ch: 2; CMOS; THT; DIP14; HCT; tube Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: JK flip-flop Number of channels: 2 Technology: CMOS Mounting: THT Case: DIP14 Operating temperature: -55...125°C Family: HCT Supply voltage: 4.5...5.5V DC Trigger: negative-edge-triggered Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 601 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CD74HCT74M | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Flip-FlopsDescription: IC: digital; D flip-flop,resettable; Ch: 2; CMOS,TTL; SMD; SO14; HCT Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: D flip-flop; resettable Number of channels: 2 Technology: CMOS; TTL Mounting: SMD Case: SO14 Operating temperature: -55...125°C Family: HCT Supply voltage: 4.5...5.5V DC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 142 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CD74HCT74M96 | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Flip-FlopsDescription: IC: digital; D flip-flop,resettable; Ch: 2; CMOS,TTL; SMD; SO14; HCT Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: D flip-flop; resettable Number of channels: 2 Technology: CMOS; TTL Mounting: SMD Case: SO14 Operating temperature: -55...125°C Family: HCT Supply voltage: 4.5...5.5V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 683 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CD74HCT75E | TEXAS INSTRUMENTS |
CD74HCT75E Latches |
на замовлення 163 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CD74HCT86E | TEXAS INSTRUMENTS |
CD74HCT86E Gates, inverters |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CD74HCT86M | TEXAS INSTRUMENTS |
CD74HCT86M Gates, inverters |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CD74HCT86M96 | TEXAS INSTRUMENTS |
CD74HCT86M96 Gates, inverters |
на замовлення 962 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
CD74HCT93E | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Counters/dividersDescription: IC: digital; 4bit,binary counter; CMOS; THT; DIP14; HCT; 4.5÷5.5VDC Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: 4bit; binary counter Technology: CMOS Mounting: THT Case: DIP14 Family: HCT Supply voltage: 4.5...5.5V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CD74HCU04M | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Gates, invertersDescription: IC: digital; NOT; Ch: 6; SMD; SO14; 2÷6VDC; -55÷125°C; tube; HCU Type of integrated circuit: digital Family: HCU Number of channels: hex; 6 Kind of gate: NOT Kind of package: tube Mounting: SMD Operating temperature: -55...125°C Supply voltage: 2...6V DC Frequency: 250MHz Case: SO14 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 202 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CDCV304PWR | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Supervisor circuitsDescription: IC: peripheral circuit; clock buffer; TSSOP8; 2.3÷3.6VDC; Ch: 1 Type of integrated circuit: peripheral circuit Kind of integrated circuit: clock buffer Case: TSSOP8 Mounting: SMD Supply voltage: 2.3...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Number of inputs/outputs: 1/4 Number of channels: 1 Frequency: 200MHz Output current: 24mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 349 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CLVC1G125QDBVRQ1 | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Buffers, transceivers, driversDescription: IC: digital; bus buffer; Ch: 1; CMOS; SMD; SOT23; -40÷125°C; 74LVC Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: bus buffer Number of channels: 1 Technology: CMOS Mounting: SMD Case: SOT23 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Kind of output: 3-state Supply voltage: 1.65...5.5V DC Family: 74LVC Quiescent current: 10µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD13381F4T | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3 Pulsed drain current: 7A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Polarisation: unipolar Case: PICOSTAR3 Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 0.5W Drain current: 2.1A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 238 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD17308Q3 | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 3.3x3.3mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD17308Q3T | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Pulsed drain current: 167A Power dissipation: 2.7W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 3.3x3.3mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD17313Q2T | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD17313Q2T SMD N channel transistors |
на замовлення 1634 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
CSD17575Q3T | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8 Kind of channel: enhancement Case: VSON-CLIP8 Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 23nC On-state resistance: 2.6mΩ Dimensions: 3.3x3.3mm Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 108W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 169 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD17576Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Dimensions: 5x6mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 431 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD17577Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD17577Q3AT SMD N channel transistors |
на замовлення 145 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CSD17578Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD17578Q3AT SMD N channel transistors |
на замовлення 428 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CSD17579Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD17579Q5AT SMD N channel transistors |
на замовлення 236 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CSD17581Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD17581Q3AT SMD N channel transistors |
на замовлення 938 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
CSD18502KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 259W; TO220-3 Power dissipation: 259W Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220-3 Kind of package: tube Gate charge: 52nC Heatsink thickness: 1.14...1.4mm On-state resistance: 2.4mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD18503Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD18503Q5AT SMD N channel transistors |
на замовлення 108 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CSD18504KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD18504KCS THT N channel transistors |
на замовлення 330 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
CSD18510KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 119nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 161 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD18514Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD18514Q5AT SMD N channel transistors |
на замовлення 819 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CSD18531Q5A | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD18531Q5A SMD N channel transistors |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CSD18532KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD18532KCS THT N channel transistors |
на замовлення 252 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
CSD18533Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm Technology: NexFET™ Mounting: SMD Case: VSONP8 Power dissipation: 116W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 29nC On-state resistance: 4.7mΩ Dimensions: 5x6mm Drain current: 100A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1108 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD18534Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD18534Q5AT SMD N channel transistors |
на замовлення 931 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
CSD18535KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD18536KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 375W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
CSD18536KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 108nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 373 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD18537NKCS | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD18537NKCS THT N channel transistors |
на замовлення 125 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
CSD18537NQ5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 75W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 75W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD18542KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 200W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD18542KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD18543Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD18543Q3AT SMD N channel transistors |
на замовлення 221 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
CSD18563Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm Technology: NexFET™ Mounting: SMD Case: VSONP8 Power dissipation: 116W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 15nC On-state resistance: 5.7mΩ Dimensions: 5x6mm Drain current: 100A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 357 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD19501KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD19501KCS THT N channel transistors |
на замовлення 124 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CSD19503KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD19503KCS THT N channel transistors |
на замовлення 550 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
CSD19505KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 562 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD19506KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 375W; TO220-3 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 0.12µC Heatsink thickness: 1.14...1.4mm On-state resistance: 2mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 375W Drain-source voltage: 80V Drain current: 150A Case: TO220-3 Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD19531KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD19531KCS THT N channel transistors |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CSD19531Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD19531Q5AT SMD N channel transistors |
на замовлення 329 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
CSD19532KTT | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 138 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD19532KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 176 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD19533KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD19533KCS THT N channel transistors |
на замовлення 263 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD19533Q5AT SMD N channel transistors |
на замовлення 122 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
CSD19534KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 118W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 16.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 139 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
CSD19534Q5A | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 63W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1336 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD19535KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD19535KCS THT N channel transistors |
на замовлення 536 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
CSD19535KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD19536KCS | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD19536KCS THT N channel transistors |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
CSD19536KTTT | TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 118nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 111 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD19538Q2T | TEXAS INSTRUMENTS |
CSD19538Q2T SMD N channel transistors |
на замовлення 1937 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| CD74HCT541M96 |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting,line driver; Ch: 8; CMOS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; line driver; non-inverting
Number of channels: 8
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO20
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: HCT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting,line driver; Ch: 8; CMOS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; line driver; non-inverting
Number of channels: 8
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SO20
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: HCT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 412 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.15 грн |
| 12+ | 26.06 грн |
| 25+ | 22.34 грн |
| 100+ | 19.39 грн |
| 250+ | 18.11 грн |
| 500+ | 17.32 грн |
| 1000+ | 16.83 грн |
| CD74HCT640E |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; bus transceiver; Ch: 8; CMOS,TTL; THT; DIP20; HCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Technology: CMOS; TTL
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bus transceiver
Mounting: THT
Family: HCT
Number of channels: 8
Kind of output: 3-state
Case: DIP20
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; bus transceiver; Ch: 8; CMOS,TTL; THT; DIP20; HCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Technology: CMOS; TTL
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bus transceiver
Mounting: THT
Family: HCT
Number of channels: 8
Kind of output: 3-state
Case: DIP20
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 361.38 грн |
| 10+ | 266.72 грн |
| 20+ | 241.10 грн |
| 40+ | 227.32 грн |
| 100+ | 212.56 грн |
| 260+ | 208.62 грн |
| CD74HCT688E |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Comparators
Description: IC: digital; 8bit,comparator; CMOS; THT; DIP20; HCT; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; comparator
Case: DIP20
Mounting: THT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Number of channels: 8
Family: HCT
Technology: CMOS
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Comparators
Description: IC: digital; 8bit,comparator; CMOS; THT; DIP20; HCT; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; comparator
Case: DIP20
Mounting: THT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Number of channels: 8
Family: HCT
Technology: CMOS
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 691 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.18 грн |
| 10+ | 48.95 грн |
| 20+ | 44.58 грн |
| 40+ | 42.32 грн |
| 100+ | 40.64 грн |
| CD74HCT688M96 |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Comparators
Description: IC: digital; 8bit,comparator; CMOS; SMD; SO20; HCT; 4.5÷5.5VDC; Ch: 8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; comparator
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Number of channels: 8
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: HCT
Case: SO20
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Comparators
Description: IC: digital; 8bit,comparator; CMOS; SMD; SO20; HCT; 4.5÷5.5VDC; Ch: 8
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; comparator
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Number of channels: 8
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Family: HCT
Case: SO20
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.35 грн |
| 7+ | 47.21 грн |
| 10+ | 40.94 грн |
| 25+ | 35.92 грн |
| CD74HCT73E |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; JK flip-flop; Ch: 2; CMOS; THT; DIP14; HCT; tube
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: JK flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: THT
Case: DIP14
Operating temperature: -55...125°C
Family: HCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Trigger: negative-edge-triggered
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; JK flip-flop; Ch: 2; CMOS; THT; DIP14; HCT; tube
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: JK flip-flop
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: THT
Case: DIP14
Operating temperature: -55...125°C
Family: HCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Trigger: negative-edge-triggered
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.06 грн |
| 10+ | 49.67 грн |
| 25+ | 43.59 грн |
| 100+ | 38.67 грн |
| 250+ | 36.12 грн |
| 500+ | 35.72 грн |
| CD74HCT74M |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop,resettable; Ch: 2; CMOS,TTL; SMD; SO14; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop; resettable
Number of channels: 2
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -55...125°C
Family: HCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop,resettable; Ch: 2; CMOS,TTL; SMD; SO14; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop; resettable
Number of channels: 2
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -55...125°C
Family: HCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.51 грн |
| 10+ | 54.98 грн |
| CD74HCT74M96 |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop,resettable; Ch: 2; CMOS,TTL; SMD; SO14; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop; resettable
Number of channels: 2
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -55...125°C
Family: HCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop,resettable; Ch: 2; CMOS,TTL; SMD; SO14; HCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop; resettable
Number of channels: 2
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -55...125°C
Family: HCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.39 грн |
| 11+ | 28.31 грн |
| 25+ | 24.40 грн |
| 100+ | 21.16 грн |
| 250+ | 19.58 грн |
| 500+ | 18.60 грн |
| 1000+ | 17.71 грн |
| CD74HCT75E |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CD74HCT75E Latches
CD74HCT75E Latches
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.41 грн |
| 14+ | 84.63 грн |
| 38+ | 80.69 грн |
| CD74HCT86E |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CD74HCT86E Gates, inverters
CD74HCT86E Gates, inverters
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.64 грн |
| 34+ | 35.13 грн |
| 92+ | 33.26 грн |
| CD74HCT86M |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CD74HCT86M Gates, inverters
CD74HCT86M Gates, inverters
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.87 грн |
| 21+ | 56.09 грн |
| 58+ | 53.14 грн |
| CD74HCT86M96 |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CD74HCT86M96 Gates, inverters
CD74HCT86M96 Gates, inverters
на замовлення 962 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.59 грн |
| 60+ | 19.75 грн |
| 163+ | 18.68 грн |
| CD74HCT93E |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 4bit,binary counter; CMOS; THT; DIP14; HCT; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 4bit; binary counter
Technology: CMOS
Mounting: THT
Case: DIP14
Family: HCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 4bit,binary counter; CMOS; THT; DIP14; HCT; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 4bit; binary counter
Technology: CMOS
Mounting: THT
Case: DIP14
Family: HCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 144.13 грн |
| 10+ | 102.19 грн |
| 25+ | 92.50 грн |
| CD74HCU04M |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; SMD; SO14; 2÷6VDC; -55÷125°C; tube; HCU
Type of integrated circuit: digital
Family: HCU
Number of channels: hex; 6
Kind of gate: NOT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V DC
Frequency: 250MHz
Case: SO14
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; SMD; SO14; 2÷6VDC; -55÷125°C; tube; HCU
Type of integrated circuit: digital
Family: HCU
Number of channels: hex; 6
Kind of gate: NOT
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 2...6V DC
Frequency: 250MHz
Case: SO14
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.92 грн |
| 10+ | 86.86 грн |
| 25+ | 72.82 грн |
| 100+ | 63.96 грн |
| CDCV304PWR |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Supervisor circuits
Description: IC: peripheral circuit; clock buffer; TSSOP8; 2.3÷3.6VDC; Ch: 1
Type of integrated circuit: peripheral circuit
Kind of integrated circuit: clock buffer
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.3...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs/outputs: 1/4
Number of channels: 1
Frequency: 200MHz
Output current: 24mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Supervisor circuits
Description: IC: peripheral circuit; clock buffer; TSSOP8; 2.3÷3.6VDC; Ch: 1
Type of integrated circuit: peripheral circuit
Kind of integrated circuit: clock buffer
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.3...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs/outputs: 1/4
Number of channels: 1
Frequency: 200MHz
Output current: 24mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 310.51 грн |
| 5+ | 257.52 грн |
| 10+ | 229.29 грн |
| CLVC1G125QDBVRQ1 |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; bus buffer; Ch: 1; CMOS; SMD; SOT23; -40÷125°C; 74LVC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bus buffer
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Family: 74LVC
Quiescent current: 10µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; bus buffer; Ch: 1; CMOS; SMD; SOT23; -40÷125°C; 74LVC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bus buffer
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Family: 74LVC
Quiescent current: 10µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.73 грн |
| 13+ | 24.53 грн |
| 25+ | 18.89 грн |
| 100+ | 14.17 грн |
| 250+ | 12.69 грн |
| 500+ | 11.91 грн |
| 1000+ | 11.22 грн |
| CSD13381F4T |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3
Pulsed drain current: 7A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Polarisation: unipolar
Case: PICOSTAR3
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.1A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3
Pulsed drain current: 7A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Polarisation: unipolar
Case: PICOSTAR3
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.38 грн |
| 25+ | 55.30 грн |
| 100+ | 48.71 грн |
| 250+ | 46.15 грн |
| CSD17308Q3 |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.94 грн |
| 10+ | 53.86 грн |
| 100+ | 31.20 грн |
| 250+ | 28.34 грн |
| CSD17308Q3T |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.35 грн |
| 10+ | 85.02 грн |
| 50+ | 59.44 грн |
| 100+ | 52.06 грн |
| 250+ | 43.99 грн |
| 500+ | 42.71 грн |
| CSD17313Q2T |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD17313Q2T SMD N channel transistors
CSD17313Q2T SMD N channel transistors
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.62 грн |
| 21+ | 57.08 грн |
| 57+ | 53.93 грн |
| CSD17575Q3T |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
Case: VSON-CLIP8
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 108W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
Case: VSON-CLIP8
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 108W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.93 грн |
| 5+ | 91.97 грн |
| 25+ | 77.74 грн |
| 100+ | 69.87 грн |
| CSD17576Q5BT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.36 грн |
| CSD17577Q3AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD17577Q3AT SMD N channel transistors
CSD17577Q3AT SMD N channel transistors
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.83 грн |
| 17+ | 70.85 грн |
| 46+ | 66.92 грн |
| CSD17578Q3AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD17578Q3AT SMD N channel transistors
CSD17578Q3AT SMD N channel transistors
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.87 грн |
| 18+ | 65.93 грн |
| 49+ | 62.98 грн |
| 250+ | 62.34 грн |
| CSD17579Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD17579Q5AT SMD N channel transistors
CSD17579Q5AT SMD N channel transistors
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.77 грн |
| 15+ | 80.69 грн |
| 40+ | 76.76 грн |
| CSD17581Q3AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD17581Q3AT SMD N channel transistors
CSD17581Q3AT SMD N channel transistors
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.50 грн |
| 23+ | 53.04 грн |
| 61+ | 50.19 грн |
| CSD18502KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 259W; TO220-3
Power dissipation: 259W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 52nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 2.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 259W; TO220-3
Power dissipation: 259W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Gate charge: 52nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 2.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 209.83 грн |
| 10+ | 156.35 грн |
| 50+ | 131.87 грн |
| CSD18503Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18503Q5AT SMD N channel transistors
CSD18503Q5AT SMD N channel transistors
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 207.71 грн |
| 16+ | 74.79 грн |
| 44+ | 70.85 грн |
| CSD18504KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18504KCS THT N channel transistors
CSD18504KCS THT N channel transistors
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.62 грн |
| 15+ | 79.71 грн |
| 41+ | 75.77 грн |
| CSD18510KTTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 119nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 119nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 237.39 грн |
| 50+ | 181.90 грн |
| CSD18514Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18514Q5AT SMD N channel transistors
CSD18514Q5AT SMD N channel transistors
на замовлення 819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 174.86 грн |
| 14+ | 85.61 грн |
| 38+ | 80.69 грн |
| CSD18531Q5A |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18531Q5A SMD N channel transistors
CSD18531Q5A SMD N channel transistors
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.72 грн |
| 20+ | 59.04 грн |
| 55+ | 56.09 грн |
| CSD18532KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18532KCS THT N channel transistors
CSD18532KCS THT N channel transistors
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 223.61 грн |
| 10+ | 119.07 грн |
| 27+ | 112.18 грн |
| CSD18533Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Power dissipation: 116W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Dimensions: 5x6mm
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Power dissipation: 116W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Dimensions: 5x6mm
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.72 грн |
| CSD18534Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18534Q5AT SMD N channel transistors
CSD18534Q5AT SMD N channel transistors
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.79 грн |
| 11+ | 112.18 грн |
| 29+ | 106.28 грн |
| CSD18535KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 262.82 грн |
| 10+ | 193.14 грн |
| 50+ | 153.51 грн |
| CSD18536KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CSD18536KTTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 576.51 грн |
| 10+ | 375.04 грн |
| 50+ | 296.20 грн |
| 100+ | 273.57 грн |
| CSD18537NKCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18537NKCS THT N channel transistors
CSD18537NKCS THT N channel transistors
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.89 грн |
| 18+ | 67.90 грн |
| 48+ | 63.96 грн |
| CSD18537NQ5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 75W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 75W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 75W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 75W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.12 грн |
| CSD18542KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 204.54 грн |
| 10+ | 147.16 грн |
| 50+ | 124.98 грн |
| CSD18542KTTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.26 грн |
| 10+ | 143.07 грн |
| 50+ | 114.15 грн |
| CSD18543Q3AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18543Q3AT SMD N channel transistors
CSD18543Q3AT SMD N channel transistors
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.38 грн |
| 15+ | 78.73 грн |
| 42+ | 73.81 грн |
| CSD18563Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Power dissipation: 116W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 5.7mΩ
Dimensions: 5x6mm
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Power dissipation: 116W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 5.7mΩ
Dimensions: 5x6mm
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.65 грн |
| 5+ | 116.50 грн |
| 10+ | 103.33 грн |
| 25+ | 90.53 грн |
| 100+ | 81.68 грн |
| CSD19501KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19501KCS THT N channel transistors
CSD19501KCS THT N channel transistors
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 199.24 грн |
| 12+ | 104.31 грн |
| 31+ | 98.41 грн |
| CSD19503KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19503KCS THT N channel transistors
CSD19503KCS THT N channel transistors
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 173.80 грн |
| 14+ | 87.58 грн |
| 37+ | 83.65 грн |
| CSD19505KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 325.35 грн |
| 10+ | 208.47 грн |
| 25+ | 184.02 грн |
| 50+ | 171.23 грн |
| 100+ | 160.40 грн |
| 250+ | 145.64 грн |
| 500+ | 134.82 грн |
| CSD19506KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 375W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Case: TO220-3
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 375W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Case: TO220-3
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 374.10 грн |
| 3+ | 333.15 грн |
| 5+ | 308.01 грн |
| CSD19531KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19531KCS THT N channel transistors
CSD19531KCS THT N channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.88 грн |
| 11+ | 108.25 грн |
| 30+ | 102.34 грн |
| CSD19531Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19531Q5AT SMD N channel transistors
CSD19531Q5AT SMD N channel transistors
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 270.24 грн |
| 10+ | 124.98 грн |
| 26+ | 118.09 грн |
| CSD19532KTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 263.88 грн |
| 5+ | 212.56 грн |
| 10+ | 183.04 грн |
| 25+ | 155.48 грн |
| 100+ | 126.94 грн |
| CSD19532KTTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.38 грн |
| 10+ | 152.27 грн |
| CSD19533KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19533KCS THT N channel transistors
CSD19533KCS THT N channel transistors
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.01 грн |
| 13+ | 94.47 грн |
| 34+ | 89.55 грн |
| CSD19533Q5AT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19533Q5AT SMD N channel transistors
CSD19533Q5AT SMD N channel transistors
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 197.12 грн |
| 13+ | 95.45 грн |
| 34+ | 90.53 грн |
| CSD19534KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 118W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 118W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.01 грн |
| 5+ | 108.32 грн |
| 10+ | 94.47 грн |
| 25+ | 82.66 грн |
| 50+ | 75.77 грн |
| 100+ | 68.88 грн |
| 500+ | 62.98 грн |
| CSD19534Q5A |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.72 грн |
| 10+ | 57.64 грн |
| 25+ | 50.48 грн |
| 50+ | 46.94 грн |
| 100+ | 43.69 грн |
| 250+ | 39.36 грн |
| 500+ | 36.41 грн |
| CSD19535KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19535KCS THT N channel transistors
CSD19535KCS THT N channel transistors
на замовлення 536 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 414.37 грн |
| 6+ | 195.83 грн |
| 17+ | 185.01 грн |
| CSD19535KTTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 365.62 грн |
| 3+ | 323.95 грн |
| 10+ | 253.89 грн |
| 50+ | 220.43 грн |
| CSD19536KCS |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19536KCS THT N channel transistors
CSD19536KCS THT N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 465.24 грн |
| 5+ | 261.76 грн |
| 13+ | 247.00 грн |
| CSD19536KTTT |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 527.76 грн |
| 3+ | 470.08 грн |
| 10+ | 381.82 грн |
| 25+ | 338.52 грн |
| CSD19538Q2T |
![]() |
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD19538Q2T SMD N channel transistors
CSD19538Q2T SMD N channel transistors
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.60 грн |
| 28+ | 42.91 грн |
| 75+ | 40.54 грн |





















